臺積電臺積電3nm取得重大突破后，對2nm工藝2025年末進(jìn)入量產(chǎn) 信心十足！

臺積電生產(chǎn)的每一代旗艦芯片都在刷新業(yè)內(nèi)科技水平紀(jì)錄，尤其是在智能手機(jī)領(lǐng)域，跑分已經(jīng)成為衡量芯片性能的一大參考因素。4nm制程工藝的芯片跑分已經(jīng)突破一百多萬，如果到了更先進(jìn)的3nm芯片，恐怕跑分還會更高。

值得一提的是，臺積電3nm已經(jīng)取得了重大突破，預(yù)計8月份投產(chǎn)。臺積電已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)3nm，三星呢?3nm芯片時代要來了?

近期傳出臺積電(TSMC)在3nm工藝開發(fā)上取得突破，第二版3nm制程的N3B會在今年8月份率先投片，第三版3nm制程的N3E的量產(chǎn)時間可能由原來的2023年下半年提前到2023年第二季度。去年臺積電總裁魏哲家曾表示，N3制程節(jié)點(diǎn)仍使用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)，推出的時候?qū)⒊蔀闃I(yè)界最先進(jìn)的PPA和晶體管技術(shù)，同時也會是臺積電另一個大規(guī)模量產(chǎn)且持久的制程節(jié)點(diǎn)。

在實(shí)現(xiàn)3nm工藝上的突破后，臺積電似乎對2nm工藝變得更加有信心。據(jù)TomsHardware報道，本周臺積電總裁魏哲家證實(shí)，N2制程節(jié)點(diǎn)將如預(yù)期那樣使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管，，制造的過程仍依賴于現(xiàn)有的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。預(yù)計臺積電在2024年末將做好風(fēng)險生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并在2025年末進(jìn)入大批量生產(chǎn)，客戶在2026年就能收到首批2nm芯片。

魏哲家認(rèn)為，臺積電N2制程節(jié)點(diǎn)在研發(fā)上已走上正軌，無論晶體管結(jié)構(gòu)和工藝進(jìn)度都達(dá)到了預(yù)期。

隨著晶體管變得越來越細(xì)小，臺積電采用新工藝技術(shù)上的速度也變慢了，以往大概每兩年就會進(jìn)入一個新的制程節(jié)點(diǎn)，現(xiàn)在則要等更長的時間。N2制程節(jié)點(diǎn)的時間表一直都不太確定，臺積電在2020年首次確認(rèn)了該項工藝的研發(fā)，根據(jù)過往信息，2022年初開始建設(shè)配套的晶圓廠，預(yù)計2023年中期完成建筑框架，2024年下半年安裝生產(chǎn)設(shè)備。

臺積電是全球芯片工藝領(lǐng)導(dǎo)者，是芯片制造行業(yè)的標(biāo)桿，以臺積電為主的技術(shù)體系生產(chǎn)了全球一半以上的芯片。其公司產(chǎn)品覆蓋廣泛，手機(jī)、汽車、電腦等等都有臺積電芯片工藝技術(shù)的身影。

不只是產(chǎn)品覆蓋廣泛，而且芯片技術(shù)工藝也在持續(xù)提升。已經(jīng)實(shí)現(xiàn)5nm，4nm高端芯片量產(chǎn)的臺積電，已經(jīng)在向著3nm芯片工藝出發(fā)了，而且傳來了關(guān)于3nm芯片的最新進(jìn)展。

據(jù)臺媒表示，臺積電3nm取得了重大突破，預(yù)計8月份投產(chǎn)。

另外初期的產(chǎn)量大概在每月4萬到5萬片，工藝架構(gòu)采用FinFET作為3nm制程底座。這種鰭式場效晶體管被沿用了十幾年，除了臺積電之外，其余的中芯國際，英特爾和三星等芯片制造巨頭都在鰭式場效晶體管架構(gòu)層面取得相應(yīng)的工藝突破。

沒想到臺積電依然沿用FinFET下探到3nm芯片工藝。除了能看出FinFET架構(gòu)的廣泛適用性質(zhì)之外，說明臺積電在這一架構(gòu)的技術(shù)積累是非常深厚的。臺積電量產(chǎn)3nm只是時間問題，而這個時間就在不久后的8月份。實(shí)際上臺積電多次對3nm進(jìn)行表態(tài)，都展現(xiàn)能順利量產(chǎn)的自信。4月12日，《聯(lián)合報》報道，一度因開發(fā)時程延誤的臺積電3納米制程近期獲得重大突破。臺積電決定今年率先量產(chǎn)第二版3納米制程，命名為“N3B”。

據(jù)報道，臺積電將于今年8月于新竹十二廠研發(fā)中心第八期工廠及南科十八廠P5廠同步投片，正式以鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu)，對決三星的環(huán)繞閘極(GAA)制程。

臺積電和三星是追逐芯片先進(jìn)制程的主要對手。今年2月份，據(jù)韓媒THEELEC報道，三星電子正在為全球最領(lǐng)先的3納米GAA制程技術(shù)的量產(chǎn)而做準(zhǔn)備。三星計劃與主要客戶公司在今年上半年內(nèi)完成產(chǎn)品的設(shè)計及質(zhì)量認(rèn)證的工作。

業(yè)界傳言，之前因臺積電開發(fā)時程延誤，導(dǎo)致蘋果手機(jī)新一代處理器今年仍采用5納米加強(qiáng)版N4P。

臺灣《聯(lián)合報》報道，目前臺積電初步規(guī)劃新竹工廠每月產(chǎn)能約1萬至2萬片，臺南工廠產(chǎn)能為1.5萬片。

今年1月份，臺積電總裁魏哲家在法人說明會上表示，臺積電3納米制程進(jìn)展符合預(yù)期，將于今年下半年量產(chǎn)，客戶也比預(yù)期多。同時，他還指出，3納米制程將主要應(yīng)用于高效應(yīng)運(yùn)算及智能手機(jī)領(lǐng)域，預(yù)期3納米將是繼5納米之后，另一大規(guī)模世代制程。

今年第一季度，臺積電營收同比增長35.5%至4910.8億新臺幣，創(chuàng)下歷史新高。

去年底，OPPO 采用臺積電 6nm 工藝的影像專用 NPU “馬里亞納 MariSiliconX”問世，開啟 OPPO 自研芯片序幕，而真正的重頭戲其實(shí)是 OPPO 的手機(jī)處理器 AP 計劃。

根據(jù)《問芯Voice》了解，OPPO 首顆自研AP芯片原本是要采用臺積電的 3nm 工藝，但英特爾加入臺積電的 3nm 行列后，與蘋果兩家客戶幾乎已包圓 3nm 工藝產(chǎn)能，且后面還有聯(lián)發(fā)科、AMD 等第二梯隊大客戶在排隊。OPPO 盤算無法獲得足夠的3nm產(chǎn)能數(shù)量后，緊急改弦易撤采用 4nm 工藝。

因此，OPPO 首顆手機(jī)處理器 AP 芯片，將會以臺積電 4nm 工藝打造。同時，業(yè)界期待這會是一顆整合基頻且功能完整的 AP 芯片。

臺積電的 3nm 客戶有蘋果、英特爾、博通、高通、英偉達(dá)、AMD、聯(lián)發(fā)科。供應(yīng)鏈對《問芯Voice》透露，OPPO 會進(jìn)入臺積電 3nm 工藝客戶的候選名單，是遞補(bǔ)華為原本的位子。

華為原本是臺積電 3nm 工藝的前三大客戶之一，但因為被美國制裁則無法繼續(xù) 3nm 工藝的量產(chǎn)之路。據(jù)說 OPPO 內(nèi)部也是經(jīng)過再三評估，最終決定拿下這張門票。

臺積電 3nm 工藝客戶目前浮上臺面的有八家。若是要論實(shí)力、比手腕，在臺積電內(nèi)部的第一梯隊客戶是蘋果、英特爾;第二梯隊是聯(lián)發(fā)科與 AMD ;第三梯隊是英偉達(dá)和高通。意思是，OPPO 若要加入戰(zhàn)局，可能只能排上第四梯隊。

《問芯Voice》從供應(yīng)鏈了解，去年 8 月臺積電通知 OPPO 將延后釋出 3nm 制程技術(shù)的設(shè)計規(guī)則手冊(Design Rule Manual, DRM)DRM 1.0。這個信息可能有兩個含義：一是臺積電的 3nm 制程量產(chǎn)時程可能延后;二是臺積電的3nm工藝的技術(shù)資源，可能無法充分支援 OPPO，因為英特爾要的數(shù)量遠(yuǎn)超過預(yù)期，擠壓到其他客戶的需求。因此，在考慮產(chǎn)能與技術(shù)支援的資源可能不足的情況下，OPPO 轉(zhuǎn)而采用 4nm 工藝。