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[導讀]微電子系統(tǒng)必須在接觸放電模式下維持 8kV 的 ESD 水平,才能達到系統(tǒng)級 ESD 標準(IEC 61000-4-2)中“4 級”的抗擾度要求。硅片中器件尺寸有限的片上 ESD 保護電路難以承受系統(tǒng)級 ESD 測試的過應力。因此,在微電子系統(tǒng)的印刷電路板 (PCB) 上添加了分立 TVS,以保護 CMOS IC 免受系統(tǒng)級 ESD 測試的過應力。

微電子系統(tǒng)必須在接觸放電模式下維持 8kV 的 ESD 水平,才能達到系統(tǒng)級 ESD 標準(IEC 61000-4-2)中“4 級”的抗擾度要求。硅片中器件尺寸有限的片上 ESD 保護電路難以承受系統(tǒng)級 ESD 測試的過應力。因此,在微電子系統(tǒng)的印刷電路板 (PCB) 上添加了分立 TVS,以保護 CMOS IC 免受系統(tǒng)級 ESD 測試的過應力。此類 TVS 通常放置在 PCB 布局上 CMOS IC 的 I/O 端口附近,以及電源引腳附近。具有較低保持電壓的 TVS 可以承受更高的 ESD 規(guī)格,因為當 ESD 電流通過其放電時,其自身產生的熱量較低。因此,一些商用 TVS 產品設計為具有較低的保持電壓,以提供高 ESD 規(guī)格。但是,據報道,保持電壓低于電路工作電壓的片上 ESD 保護器件會遭受類似閂鎖的故障。在本文中,我們想研究保持電壓低于系統(tǒng)工作電壓的板載 TVS 是否確實對微電子系統(tǒng)造成了負面影響。

測試設置

1 顯示了被測設備 (EUT),其中兩個 CMOS IC(IC-1 和 IC-2)由 PCB 上的一條信號跡線上的 TVS 保護。為了模擬微電子系統(tǒng)中的輸出端口,CMOS 反相器(IC-1)被用作傳輸端口來傳輸信號。另一個 CMOS 反相器 (IC-2) 是一個接收端口,用于模擬微電子系統(tǒng)中的輸入端口。IC-1的電源腳接3.3V的VDD1,IC-2的電源腳接3.3V的VDD2。施加到 IC-1 的輸入信號為邏輯“低”。因此,IC-2的輸入管腳接收到的信號為邏輯“高”,IC-2的輸出保持“低”狀態(tài)。為了在微電子系統(tǒng)的 PCB 上模擬 TVS 的 ESD 保護,一個 TVS 從信號走線(連接 IC-1 的輸出引腳和 IC-2 的輸入引腳)到地。所有這三個器件(IC-1、IC-2 和 TVS)都焊接到 PCB 上,形成用于系統(tǒng)級 ESD 測試的 EUT。系統(tǒng)級 ESD 測試期間 IC-1 和 IC-2 輸出引腳的瞬態(tài)電壓波形通過示波器的通道 1(CH-1)和通道 2(CH- 2),如圖1所示。將測試三個具有不同保持電壓的商用 TVS。這三款TVS都宣稱可以作為3.3-VI/O口保護器使用。沒有 TVS 的 EUT 也將作為參考進行測試。通過對這些 EUT 進行系統(tǒng)級 ESD 測試,

1 還顯示了采用 IEC 61000-4-2 標準規(guī)定的間接接觸放電測試模式的系統(tǒng)級 ESD 測試的測量設置。具有指定 ESD 電壓的系統(tǒng)級 ESD 槍快速掃描到水平耦合平面 (HCP),ESD 能量將耦合到 EUT。IC-1和IC-2輸出引腳的瞬態(tài)電壓波形將通過示波器通道1(CH-1)和通道2(CH-2)的分離電壓探頭進行監(jiān)測和記錄。

瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 在系統(tǒng)級 ESD 測試下的 CMOS IC 微電子系統(tǒng)信號完整性 

1:IEC 61000-4-2 標準中規(guī)定的采用間接接觸放電測試模式的系統(tǒng)級 ESD 測試的被測設備 (EUT) 和測量設置。

實驗結果

A. TVS 的 DC IV 特性

通過曲線跟蹤儀(Tek370B)測量三個商用TVS的dc IV特性,結果如圖2所示。通過較低的觸發(fā)電壓,可以更早地觸發(fā)TVS以保護微電子系統(tǒng)中的CMOS IC當過應力電壓在它上面跳動時。三個 TVS 的保持電壓 (V Hold ) 和保持電流 (I Hold ) 總結在表 I 中。使用較低的保持電壓,耦合到 PCB 上的跡線的過應力電壓可以被 TVS 鉗制得更低。

瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 在系統(tǒng)級 ESD 測試下的 CMOS IC 微電子系統(tǒng)信號完整性 

2:三個商用 TVS(TVS-1、TVS-2 和 TVS-3)在不同保持電壓下的測量直流 IV 特性。

這三個 TVS 的直流特性總結在表 I 中。TVS-1 和 TVS-2 的保持電壓分別為 0.8V 和 1.7V,小于 3.3V 的系統(tǒng)工作電壓。TVS-3的保持電壓為4.9V,高于系統(tǒng)工作電壓3.3V。下面將研究不同保持電壓的 TVS 保護的微電子系統(tǒng)的信號完整性。

1:TVS DC 特性總結

瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 在系統(tǒng)級 ESD 測試下的 CMOS IC 微電子系統(tǒng)信號完整性 

系統(tǒng)級 ESD 測試下的瞬態(tài)響應

在系統(tǒng)級ESD測試下(如圖1所示),在+的系統(tǒng)級ESD測試期間,在具有TVS-1保護的IC-1輸出管腳和IC-2輸出管腳處測得的電壓波形1000V 熔斷如圖 3 所示。在 ESD 熔斷之前,IC-1 的輸出引腳和 IC-2 的輸出引腳的初始狀態(tài)保持在邏輯“高(3.3V)”和邏輯“低(0V)” )”,分別如圖 3 所示的 CH-1 和 CH-2 波形。在系統(tǒng)級 ESD 擊穿期間,從 ESD 槍注入的瞬態(tài)電壓將耦合到 PCB 上的跡線,作為在 CH-1 和 CH-2 電壓波形中觀察到的瞬態(tài)尖峰。在 +1000V 的 ESD 擊穿后,IC-1 輸出引腳的電壓下降到 0.8V,即使 IC-1 輸入引腳的輸入信號仍保持在邏輯低電平 (0V)。就在 ESD 擊穿引起的瞬態(tài)尖峰之后,CH-1 的電壓從 3.3V 下降到 0.8V。這個 0.8V 的鉗位電壓與表 I 中 TVS-1 的保持電壓完全相同。系統(tǒng)級 ESD 測試期間的瞬態(tài)尖峰可以觸發(fā) TVS-1 進入其保持狀態(tài),因此信號電壓電平在IC-1 的輸出引腳被鉗位到 0.8V。TVS-1 確實打開以鉗制瞬態(tài)尖峰,因此可以很好地保護 PCB 上的 IC 免受電氣過應力。但是,IC-1輸出引腳的信號電壓電平被TVS-1的較低保持電壓(0.8V)鎖定,進而導致IC-2輸出引腳的錯誤邏輯狀態(tài)變?yōu)檫壿嫺撸?.3V) 。這種由 TVS-1 在系統(tǒng)級 ESD 測試后引起的錯誤邏輯狀態(tài),即使硬件(CMOS IC)沒有被 ESD 應力損壞,也會對系統(tǒng)操作造成一些錯誤(軟錯誤)或故障。當 ESD 電壓更高時(在大多數系統(tǒng)級應用中通常為 8kV),這種信號完整性問題在受此 TVS-1 保護的微電子系統(tǒng)中會變得更加嚴重。

瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 在系統(tǒng)級 ESD 測試下的 CMOS IC 微電子系統(tǒng)信號完整性 

3:IC-1(CH-1)輸出引腳和 IC-2(CH-2)輸出引腳測量的瞬態(tài)電壓波形,在系統(tǒng)級 ESD 測試期間具有TVS-1保護+1000V 電擊。

-7000V zapping 的系統(tǒng)級ESD 測試中,IC-1 輸出管腳和IC-2 帶TVS-2 保護的輸出管腳測得的電壓波形如圖4 所示。在 -7000V 的 ESD 擊穿后,IC-1 輸出引腳的電壓電平下降并鉗位在 ~1.7V,接近 TVS-2 的保持電壓(如表 I 所示)。由于 CH-1 的 TVS-2 鉗位電壓電平,IC-2 (CH-2) 輸出引腳的電壓電平完全錯誤 (0.3 ~ 0.7V)。CH-2 的輸出邏輯狀態(tài)從邏輯“低”變?yōu)槟@鈨煽傻臓顟B(tài),在系統(tǒng)級 ESD 擊穿 -7000V 后,將導致系統(tǒng)運行嚴重故障。

瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 在系統(tǒng)級 ESD 測試下的 CMOS IC 微電子系統(tǒng)信號完整性 

4:系統(tǒng)級 ESD 測試期間IC-1(CH-1)和 IC-2(CH-2)輸出引腳處測量的瞬態(tài)電壓波形,TVS-2保護-7000V 電擊。

在高達 ±30000V 的系統(tǒng)級 ESD 跳變期間,IC-1 的輸出引腳和具有 TVS-3 保護的 IC-2 的輸出引腳的測量電壓波形如圖 5 所示。 ESD 尖峰耦合到IC-1 的輸出引腳會在微電子系統(tǒng)中產生過沖電壓。雖然過沖電壓會在 TVS-3 上觸發(fā),但在過應力電壓釋放到地后 TVS-3 會關閉。由于 TVS-3 的保持電壓大于系統(tǒng)工作電壓,在耦合的 ESD 能量釋放后,TVS-3 會自動關閉。在 IC-1 的輸出引腳保持正確的邏輯狀態(tài) (3.3V) 的情況下,在高達 ±30000V 的系統(tǒng)級 ESD 跳變之后,CH-2 的輸出邏輯狀態(tài)也保持在正確的狀態(tài) (0V) . 因此,TVS-3 可以為 PCB 提供高效的系統(tǒng)級 ESD 保護,

瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 在系統(tǒng)級 ESD 測試下的 CMOS IC 微電子系統(tǒng)信號完整性 

5:IC-1(CH-1)輸出引腳和 IC-2(CH-2)輸出引腳上測得的瞬態(tài)電壓波形,在系統(tǒng)級 ESD 測試期間具有TVS-3保護±30000V 跳動。

TVS 保護的 PCB 在系統(tǒng)級 ESD 測試下的瞬態(tài)響應測量結果總結在表 II 中。沒有 TVS 保護的 EUT 可以通過高達 ±19000V 的系統(tǒng)級 ESD 測試。但是,具有 TVS-1 和 TVS-2 保護的 EUT 的通過 ESD 電壓降低到低于 7000V。由于 TVS-1 和 TVS-2 的保持電壓低于系統(tǒng)工作電壓,由于信號完整性問題,這兩個 TVS 保護的 EUT 不能滿足“4 級”的抗擾度要求。為了安全地保護微電子系統(tǒng)免受系統(tǒng)級 ESD 過應力的影響,以及在現(xiàn)場應用中保持信號完整性正確,TVS 的保持電壓應略高于微電子系統(tǒng)中信號的最大電壓電平。

表二:測量結果匯總

瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 在系統(tǒng)級 ESD 測試下的 CMOS IC 微電子系統(tǒng)信號完整性 

結論

在系統(tǒng)級ESD測試下,詳細研究了由三種不同保持電壓的商用TVS保護的微電子系統(tǒng)的信號完整性。由于信號完整性問題,某些 TVS 可能會導致系統(tǒng)操作出現(xiàn)軟錯誤或故障。從本工作的實驗結果來看,通過選擇保持電壓大于系統(tǒng)工作電壓的TVS-3,受TVS-3保護的系統(tǒng)可以有效提高系統(tǒng)級ESD抗擾度高達±30000V。為了在微電子系統(tǒng)中保持信號完整性正確和良好,強烈推薦保持電壓大于系統(tǒng)工作電壓的 TVS。



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