在本系列的前幾期中,我討論了實現(xiàn)備選方案以及這些決策如何影響設(shè)備參數(shù)以及受設(shè)備參數(shù)影響。在這篇文章中,我將解釋設(shè)備參數(shù)和系統(tǒng)因素如何影響可實現(xiàn)的精度。
要了解我們可以實現(xiàn)的測量精度,我們首先需要了解潛在誤差的來源。以下是兩種錯誤來源的列表——請注意,這不是一個詳盡的列表,而是重點介紹了一些主要來源:
放大器相關(guān)的誤差(噪聲)源:
· 輸入失調(diào)電壓 (V OS )。
· V OS漂移。
· 共模抑制比 (CMRR)。
· 電源抑制比 (PSRR)。
· 增益誤差。
· 增益誤差漂移。
非放大器誤差源:
· 印刷電路板 (PCB) 布局。
· 分流電阻容差和漂移。
· 增益設(shè)置無源器件容差、匹配和漂移。
最差情況下的精度是所有誤差源 e 的簡單線性求和,如公式 1 所示:
(1)
在統(tǒng)計上不可能同時使所有誤差達到最大值,因此更可能的精度方程將是誤差源的和方根,如方程 2 所示:
(2)
首先,讓我們考慮外部誤差源。放大器看到的 V SENSE是輸入引腳上的值,這與設(shè)計人員在電阻上測量時可能會遇到的不同。理想情況下 V SHUNT = V SENSE,但寄生效應(yīng)和跡線蝕刻將導致這不正確。開爾文連接將最小化 PCB 寄生誤差的貢獻。
當談到分流電阻容差和漂移時,您愿意支付的成本與應(yīng)用所需的性能之間需要權(quán)衡取舍。分流電阻器溫度漂移是溫度范圍內(nèi)的主要誤差源之一,除非您選擇昂貴的電阻器。目錄分銷網(wǎng)站上的高精度 (0.1%)、低漂移 (50ppm/°C) 電阻器以 1,000 件為單位的價格在 4.00 美元到 8.00 美元之間。
由于其集成的、匹配的、低漂移增益電阻網(wǎng)絡(luò),使用電流分流監(jiān)視器可以消除運算放大器外部電路的誤差貢獻。這些片上網(wǎng)絡(luò)的影響被考慮到電流檢測放大器本身的誤差貢獻中。
對于放大器誤差源,您需要在精度與成本之間做出類似的權(quán)衡。查看數(shù)據(jù)表中列出的每個參數(shù)規(guī)格的工作條件并將其與您的實際工作條件進行比較非常重要。在本次討論中,我將重點關(guān)注兩個主要誤差因素:輸入失調(diào)電壓和增益誤差。
輸入失調(diào)電壓將是低 V SENSE電平下的主要誤差源。如果簡化并假設(shè) V SENSE = V SHUNT = I LOAD x R SHUNT(無寄生誤差貢獻),則 V OS的誤差貢獻可使用公式 3 計算:
(3)
讓我們看看兩種不同的電流分流監(jiān)視器INA199和INA210,看看 V OS將如何影響誤差。INA199數(shù)據(jù)表將 V OS(MAX)列為 150μV,而INA210為 35μV。表 1 顯示了使用 1mA 電流值和 1Ω 分流電阻器時各自的誤差貢獻。
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INA199 |
INA210 |
V OS(最大值) |
150μV |
35μV |
V操作系統(tǒng)錯誤 |
15.0% |
3.5% |
表 1:INA199和INA210分流監(jiān)控器誤差貢獻
如果您正在測量將導致低 V SENSE值的低電流值,則將 V OS最小化以最小化誤差至關(guān)重要。隨著 V SENSE相對于 V OS(MAX)增長,該誤差貢獻被最小化。如果 V SENSE是 V OS值的 1,000 倍,則誤差貢獻為 0.1%。另一方面,當 V SENSE遠大于 V O時。主要的誤差貢獻將是增益誤差。在大多數(shù)數(shù)據(jù)表中,這被指定為一個固定百分比,并且貢獻是一個簡單的百分比加法器。
讓我們看看這兩個錯誤如何導致總錯誤,再次假設(shè)它們是僅有的兩個錯誤源。圖 1 顯示了INA199和INA210的線性和以及誤差計算平方根方法的工作原理。
圖 1:INA210和INA199總誤差
這里,當 V SENSE較低 時,失調(diào)電壓是主要誤差源,而當 V SENSE相對于 V OS較高時,增益誤差占主導地位。
我的分析已將誤差計算簡化為兩個主要來源。然而,電流測量精度是一個非常復雜的主題,其中有許多移動部件需要相互權(quán)衡,以在特定操作條件下最大限度地提高性能。進行更徹底分析的關(guān)鍵要素之一是溫度。溫度漂移會影響多種規(guī)格,包括分流電阻值、失調(diào)電壓和增益誤差。使用具有零漂移的分流監(jiān)控器(包括INA210或INA282)將有助于最大限度地減少失調(diào)漂移的影響。