車用芯片大廠安森美(Onsemi)IGBT停止接單！國產廠商的機會來了？

據業(yè)內人士爆料稱，車用芯片大廠安森美(Onsemi)深圳廠內部人士透露，其車用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)訂單已滿且不再接單，2022年-2023年產能已全部售罄，但不排除有部分客戶重復下單的可能。

據安森美深圳公司的內部人士透露，“我們對大客戶都是采取直供模式，且2年一簽，我們現(xiàn)在的產能剛好能滿足已簽訂單的需求。目前我們今年、明年的訂單都已經全部訂出去了，我們現(xiàn)在已經不接單了。沒有足夠的產能，接單也無法交付，還要面臨違約的風險。不僅是我們，其他主要供應商也面臨這樣的情況?！?

自2020年底以來，受益于新能源汽車市場對于IGBT等關鍵功率半導體的旺盛需求，以及全球半導體制造產能緊缺的影響，英飛凌、安森美等功率半導體大廠都陷入了IGBT訂單交貨緊張的情況。此前供應鏈消息也顯示，目前IGBT缺貨已高達50周以上，供需缺口已經擴大到50%以上，IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2:1。自去年以來，部分車企也因為英飛凌、安森美等IGBT大廠供應的持續(xù)緊張，也開始擴大尋求斯達半導、時代電氣、比亞迪半導體、華潤微、士蘭微等本土供應商供貨。

受安森美IGBT停止接單消息影響，5月11日，國內相關功率半導體概念個股大漲，截至午間收盤，華微電子、立昂微、聞泰科技紛紛漲停，斯達半導上漲超5%，士蘭微、華潤微等均上漲超4%。雖然午后大盤指數沖高后大幅回落，但聞泰科技仍封死漲停，華微電子、立昂微仍保持了7%以上的漲幅，士蘭微、華潤微等漲幅則回落至2%左右。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見;IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless (TOLL) 封裝的碳化硅 (SiC) MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。TOLL 封裝的尺寸僅為 9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 封裝的PCB 面積節(jié)省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 封裝的體積小 60%。除了更小尺寸之外，TOLL 封裝還提供比 D2PAK 7 引腳更好的熱性能和更低的封裝電感 (2 nH)。 其開爾文源極(Kelvin source)配置可確保更低的門極噪聲和開關損耗 – 包括與沒有Kelvin配置的器件相比，導通損耗 (EON) 減少60%，確保在具有挑戰(zhàn)性的電源設計中能顯著提高能效和功率密度，以及改善電磁干擾(EMI) 和更容易進行PCB 設計。

目前IGBT供不應求已有愈演愈烈之勢，目前車規(guī)級IGBT的缺口已達50%甚至更高。也不知道芯片缺口何時是個頭啊。