西部數據宣布,與鎧俠聯合開發(fā)的BiCS NAND閃存將進入第六代,堆疊層數達到162層,今年即投入量產。
目前的3D NAND閃存已經紛紛堆到176層,美光日前更是宣布全球首個達到232層。
但是西數指出,自家的162層閃存單元尺寸更小,只有68平方毫米,小于競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米,因此存儲密度更高,可以提供和競品相同的單芯片容量。
西數表示,BiCS6 162層堆疊下,一塊晶圓就可以做到100TB容量,而目前只有大約70TB。
性能方面,西數宣稱自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元,性能可達60MB/s,比對手快了一半。
西數還預告了下下一代BiCS+閃存,堆疊超過200層,預計可帶來60%的傳輸速度提升、15%的編程帶寬提升、55%的晶圓容量提升,然后繼續(xù)一路堆疊,2032年左右將超過500層!
另外,西數在PPT上海列出了PLC閃存,但沒有任何細節(jié)消息。