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[導讀] (全球TMT2022年6月9日訊)韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry)宣布,將發(fā)布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。BCD是一種將雙極晶體管(Bipolar)、互補金屬氧化物半導體(CMOS)和用于高壓處理的雙擴散金屬氧化物半導體...

(全球TMT2022年6月9日訊)韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry)宣布,將發(fā)布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。BCD是一種將雙極晶體管(Bipolar)、互補金屬氧化物半導體(CMOS)和用于高壓處理的雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)集成在同一個芯片上的工藝技術(shù)。與啟方半導體現(xiàn)有帶EPI外延層的BCD工藝相比,這個新的0.18微米30V非EPI BCD工藝盡管去除了EPI外延層,但仍保持了同等性能。這個新工藝非常適合于與普通半導體相比需要更高電壓,更高可靠性 和更高效率的功率半導體應(yīng)用。能夠適用于低功耗電源管理如智能手機和智能手表應(yīng)用的 DC-DC 和充電芯片的生產(chǎn)。

啟方半導體發(fā)布用于低功耗電源管理芯片的0.18微米非外延BCD工藝

這種新工藝比導通電阻(Rsp)性能與0.18微米EPI BCD工藝相比保持不變。啟方半導體可提供5V至30V之間的各種功率器件選擇。由于該工藝不需要EPI制程,因此提高了工藝效率,通過為5V電源模塊提供5V LDMOS晶體管,實現(xiàn)了高效設(shè)計。特別值得一提的是,這個新的非EPI BCD工藝的邏輯器件保持了和現(xiàn)有EPI BCD工藝邏輯器件非常接近的電性能,同時其數(shù)據(jù)庫(libraries) & IP和目前大規(guī)模量產(chǎn)的工藝相兼容。為了提高使用者的便利性,新工藝還提供了MTP(多次編程)和OTP(一次性編程)IP,而不需要任何額外的工藝步驟。得益于這些優(yōu)點,該工藝適用于需要存儲功能的功率半導體,也可以用于其它多種類型的應(yīng)用,如移動直流-直流IC和充電器IC。

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