全球首家量產(chǎn)3納米芯片公司誕生：已開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片
韓國三星電子周四宣布，公司已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。
三星在官方聲明中表示，公司已經(jīng)開始在其位于韓國的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體芯片。與前幾代使用FinFET的芯片不同，3納米芯片采用了新的 GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu)，該架構(gòu)大大改善了功率效率。與傳統(tǒng)的5納米芯片相比，第一代3納米芯片工藝可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并減少16% 的面積。而第二代3納米芯片工藝則可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面積減少35%。
雖然三星沒有透露其最新代工技術(shù)的客戶身份，但市場預(yù)計，三星本身和中國芯片設(shè)計公司上海磐矽半導(dǎo)體將是3納米芯片的首批客戶。
三星3納米芯片量產(chǎn)使得其生產(chǎn)進度略快于同行。在同業(yè)競爭方面，臺積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。
雖然三星是全球第一個生產(chǎn)3納米芯片的公司，但臺積電正計劃在2025年實現(xiàn)2納米芯片的全球首個批量生產(chǎn)。
在本月初的股東會上，臺積電董事長劉德音才強調(diào)，臺積電的先進制程的進展都按照計劃發(fā)展中，預(yù)計2022下半年將量產(chǎn)3納米芯片。與三星不同的是，臺積電將仍采較為成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET)工藝。一直到2025年量產(chǎn)2納米時，才會采用GAA技術(shù)。
在市場份額方面，臺積電依然牢牢保持的全球市場第一的寶座。根據(jù)TrendForce 的數(shù)據(jù)，目前臺積電控制著全球54%的芯片合同生產(chǎn)市場，三星以16.3%的市場份額排名第二。
三星在一份聲明中表示，與傳統(tǒng)的5納米芯片相比，新開發(fā)的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，并減少16%的面積。
不過，這家韓國公司并沒有透露其最新代工技術(shù)的客戶，分析人士認為，三星本身和相關(guān)中國企業(yè)預(yù)計將成為首批客戶。
今年早些時候，三星聯(lián)合首席執(zhí)行官Kyung Kye hyun曾表示，其代工業(yè)務(wù)將在中國尋找新客戶，因為目前從汽車制造商到家電產(chǎn)品制造商的公司都急于確保產(chǎn)能，以解決全球芯片持續(xù)短缺的問題，該公司預(yù)計中國市場將出現(xiàn)高增長。
據(jù)了解，目前臺積電仍然是全球最先進的代工芯片制造商，控制著全球芯片代工市場約54%的份額，主要客戶包括蘋果和高通等。而據(jù)數(shù)據(jù)提供商TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，三星電子以16.3%的市場份額排名第二，遙遙領(lǐng)先于其他對手。該公司還曾于去年宣布了一項171萬億韓元(約合1320億美元)的投資計劃，期望到2030年超越臺積電，成為全球最大的邏輯芯片制造商。
“我們將在有競爭力的技術(shù)開發(fā)方面繼續(xù)積極創(chuàng)新，”三星公司代工業(yè)務(wù)主管Siyoung Choi評論道。
雖然三星電子是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司，但根據(jù)臺積電的計劃，該公司將在2025年量產(chǎn)2納米芯片。
分析師對此表示，三星是內(nèi)存芯片市場的領(lǐng)頭羊，但在更加多樣化的代工業(yè)務(wù)上，三星已經(jīng)被領(lǐng)先者臺積電超越，這使得三星很難與之競爭。
Daol Investment & Securities分析師Kim Yang-jae表示，相對于內(nèi)存芯片，非內(nèi)存芯片代工業(yè)務(wù)是不同的，種類也太多了。目前，內(nèi)存芯片只有兩種類型——DRAM和NAND閃存，三星可以專注于這一業(yè)務(wù)，提高效率并大量生產(chǎn)，但該公司不能在一千種不同的非內(nèi)存芯片上做到同樣的效果。
另外，還有分析人士認為，在過去一年左右的時間里，舊芯片業(yè)務(wù)的收益率低于預(yù)期，也阻礙了三星與臺積電的競爭。不過，該公司在今年3月份表示，其運營狀況已逐步改善。
韓聯(lián)社30日報道稱，與前幾代使用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的芯片不同，第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術(shù)，大幅提升了效能。與三星5納米工藝相比，第一代3納米工藝可使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。三星表示，將于明年投入的第二代3納米工藝可使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。
三星電子計劃將3納米制程工藝優(yōu)先應(yīng)用于高性能計算(HPC)芯片，再擴大至移動系統(tǒng)芯片(SoC)等。此外，三星電子還計劃從2025年開始生產(chǎn)基于GAA的2納米芯片，力爭在先進芯片制造領(lǐng)域趕超臺積電(TSMC)。
據(jù)調(diào)研機構(gòu)集邦咨詢(TrendForce)提供的數(shù)據(jù)，以今年第一季度為準(zhǔn)，臺積電的全球市場份額以53.6%位居第一，三星電子以16.3%位居第二。據(jù)悉，臺積電計劃下半年起量產(chǎn)3納米芯片，再將GAA技術(shù)應(yīng)用于其2納米工藝。
6月30日消息，三星方面在今日宣布，其公司位于韓國的華城工廠已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米工藝芯片，三星將成為全球首家量產(chǎn)3nm技術(shù)產(chǎn)品的公司。
根據(jù)三星官方公布的信息，三星在3nm工藝上采用了全新的GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu)，相比較于傳統(tǒng)的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)架構(gòu)有所不同。
三星方面表示，與傳統(tǒng)的 5 納米芯片相比，新開發(fā)的第一代 3 納米工藝可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并減少 16% 的面積。而目前三星官方尚未公布此3nm芯片的客戶。
臺積電方面則將在今年下半年啟動3nm工藝的大規(guī)模量產(chǎn)，仍將會采用FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)架構(gòu)。
三星電子將在6月30日左右正式發(fā)布其3納米芯片量產(chǎn)消息。三星電子此前公布計劃，將在今年上半年量產(chǎn)基于全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)的3納米制程產(chǎn)品，2023年推出第二代3納米產(chǎn)品，2025年量產(chǎn)2納米產(chǎn)品。
三星稱，與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，GAA技術(shù)將使芯片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。
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