在Intel去年推出的IDM 2.0戰(zhàn)略中，在美國本土投資200億美元建設(shè)2座先進工藝晶圓廠是非常關(guān)鍵的一環(huán)，前幾天傳出了跳票的消息，因為美國官方的520億美元芯片補貼法案還沒通過，不過現(xiàn)在消息稱Intel已經(jīng)得到了補貼，新工廠已經(jīng)開工了。
據(jù)digitimes報道，日前傳出Intel出正式購得美國俄亥俄州新晶圓廠所需的土地，這項投資金額高達200億美元。
雖然工廠開工了，但是Intel的晶圓廠還有很多問題，美國政府補助將決定建廠規(guī)模，此前Intel表示由于政府520億美元規(guī)模的芯片法案陷入停滯，他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規(guī)模，甚至威脅去歐洲建廠。
根據(jù)Intel之前的信息，新建的兩座晶圓廠分別會命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會在2024年量產(chǎn)20A工藝，這是Intel面向未來的CPU工藝，首次進入后納米時代，首發(fā)埃米級工藝，其中的A就代表埃米。
雖然工藝細節(jié)還沒公布，不過20A相當于友商的2nm工藝，還會有2大黑科技——Ribbon FET及PowerVia。
根據(jù)Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時實現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。
PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。
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