全球代工巨頭：3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，2nm會在2025年量產(chǎn)

今天的Q2財(cái)報(bào)會議上，臺積電除了公布當(dāng)季運(yùn)營數(shù)據(jù)之外，還談到了工藝進(jìn)展，確認(rèn)3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，2nm則會在2025年量產(chǎn)。目前HPC高性能計(jì)算占了臺積電營收的重要部分，對先進(jìn)工藝要求也是很高的，臺積電的3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營收，不過初期會拉低一些毛利率，大約2-3個(gè)點(diǎn)。

臺積電的3nm工藝共有5個(gè)衍生版本，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等，會陸續(xù)在未來兩三年內(nèi)量產(chǎn)。

再往后就是2nm節(jié)點(diǎn)了，這是臺積電的有一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，會采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，也就是進(jìn)入GAA晶體管時(shí)代，不過三星在3nm節(jié)點(diǎn)就已經(jīng)采用這個(gè)技術(shù)了。

N2相較于N3，在相同功耗下，速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%，開啟高效能新紀(jì)元。

不過密度方面擠牙膏了，相比3nm僅提升了10%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到摩爾定律密度翻倍的要求，比之前臺積電新工藝至少70%的密度提升也差遠(yuǎn)了。

根據(jù)臺積電的信息，2nm工藝將在2024年試產(chǎn)，2025年量產(chǎn)。

7 月 14 日消息，在今日舉行的財(cái)報(bào)電話會上，臺積電發(fā)布了 2 季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示第 2 季合并營收約達(dá)新臺幣 5,341.4 億元(約人民幣 120.5 億元)，稅后凈利潤約 2,370.3 億元(約人民幣 53.47 億元)。

臺積電表示，公司 2022 年銷售額(以美元計(jì)算)預(yù)計(jì)增長 30% 左右，并且今年產(chǎn)能不會受設(shè)備供應(yīng)延遲的影響。不過，目前客戶需求仍超過公司供應(yīng)能力，今年產(chǎn)能持續(xù)吃緊。對于芯片需求前景，臺積電稱 2023 年將出現(xiàn)一個(gè)典型的芯片需求下滑周期，但整體下滑程度將好于 2008 年。同時(shí)，公司預(yù)計(jì)客戶將開始減少庫存，但目前高端智能手機(jī)庫存不太多。因此對于臺積電而言，2023 年依然是“增長之年”。

此外，公司 2023 年的增長將由先進(jìn)技術(shù)支撐，高性能計(jì)算(HPC)將成為長期增長的主要引擎。公司目前預(yù)計(jì) 2023 年產(chǎn)能利用率將保持良好。在下一代芯片投產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)方面，臺積電重申公司 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營收。值得一提的是，臺積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，會陸續(xù)在未來兩三年內(nèi)量產(chǎn)。

對于 2nm 芯片(N2)，臺積電重申其將于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2nm 芯片是臺積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將會采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，這意味著臺積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。了解到，臺積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工藝營收繼續(xù)提升，但還未超過 7nm 制程工藝帶來的營收。此外，臺積電先進(jìn)制程 (7nm 及更先進(jìn)制程) 營收總占比達(dá)到 51%，較前季的 50% 繼續(xù)擴(kuò)大。

三星已經(jīng)宣布成功量產(chǎn)3nm制程工藝，成為行業(yè)內(nèi)首個(gè)量產(chǎn)3nm制程的廠商，而且相比較5nm制程工藝，3nm制程工藝看起來更像是更新?lián)Q代的產(chǎn)品，性能平均提升20%，而功耗也將降低35%。

三星已經(jīng)宣布成功量產(chǎn)3nm制程工藝，成為行業(yè)內(nèi)首個(gè)量產(chǎn)3nm制程的廠商，而且相比較5nm制程工藝，3nm制程工藝看起來更像是更新?lián)Q代的產(chǎn)品，性能平均提升20%，而功耗也將降低35%。預(yù)計(jì)明年大家就可以看到三星全新的3nm制程工藝的產(chǎn)品了，當(dāng)然作為半導(dǎo)體代工行業(yè)數(shù)一數(shù)二的企業(yè)，三星在制程更新上也不會停下腳步，據(jù)悉在3nm制程之后，三星就將迎來2nm制程工藝，預(yù)計(jì)在2025年正式量產(chǎn)。

在Intel去年推出的IDM 2.0戰(zhàn)略中，在美國本土投資200億美元建設(shè)2座先進(jìn)工藝晶圓廠是非常關(guān)鍵的一環(huán)，前幾天傳出了跳票的消息，因?yàn)槊绹俜降?20億美元芯片補(bǔ)貼法案還沒通過，不過現(xiàn)在消息稱Intel已經(jīng)得到了補(bǔ)貼，新工廠已經(jīng)開工了。

據(jù)digitimes報(bào)道， 日前傳出Intel出正式購得美國俄亥俄州新晶圓廠所需的土地， 這項(xiàng)投資金額高達(dá)200億美元。

雖然工廠開工了，但是Intel的晶圓廠還有很多問題，美國政府補(bǔ)助將決定建廠規(guī)模，此前Intel表示由于政府520億美元規(guī)模的芯片法案陷入停滯，他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規(guī)模，甚至威脅去歐洲建廠。

根據(jù)Intel之前的信息，新建的兩座晶圓廠分別會命名為Fab 52、Fab 62， 并首次透露這些工廠將會在2024年量產(chǎn)20A工藝，這是Intel面向未來的CPU工藝，首次進(jìn)入后納米時(shí)代，首發(fā)埃米級工藝，其中的A就代表埃米。

臺積電表示，公司 2022 年銷售額(以美元計(jì)算)預(yù)計(jì)增長 30% 左右，并且今年產(chǎn)能不會受設(shè)備供應(yīng)延遲的影響。不過，目前客戶需求仍超過公司供應(yīng)能力，今年產(chǎn)能持續(xù)吃緊。

對于芯片需求前景，臺積電稱 2023 年將出現(xiàn)一個(gè)典型的芯片需求下滑周期，但整體下滑程度將好于 2008 年。同時(shí)，公司預(yù)計(jì)客戶將開始減少庫存，但目前高端智能手機(jī)庫存不太多。因此對于臺積電而言，2023 年依然是“增長之年”。

此外，公司 2023 年的增長將由先進(jìn)技術(shù)支撐，高性能計(jì)算(HPC)將成為長期增長的主要引擎。公司目前預(yù)計(jì) 2023 年產(chǎn)能利用率將保持良好。

在下一代芯片投產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)方面，臺積電重申公司 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營收。值得一提的是，臺積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，會陸續(xù)在未來兩三年內(nèi)量產(chǎn)。

對于 2nm 芯片(N2)，臺積電重申其將于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2nm 芯片是臺積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將會采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，這意味著臺積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。

IT之家了解到，臺積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工藝營收繼續(xù)提升，但還未超過 7nm 制程工藝帶來的營收。此外，臺積電先進(jìn)制程 (7nm 及更先進(jìn)制程) 營收總占比達(dá)到 51%，較前季的 50% 繼續(xù)擴(kuò)大。