“缺芯”+國(guó)產(chǎn)替代背景下，華虹半導(dǎo)體再創(chuàng)佳績(jī)

這兩年的“缺芯”疊加最近半導(dǎo)體芯片行業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代邏輯，使得半導(dǎo)體行業(yè)受到市場(chǎng)關(guān)注，而半導(dǎo)體晶圓代工廠業(yè)績(jī)也持續(xù)走高。國(guó)內(nèi)晶圓龍頭華虹半導(dǎo)體(01347.HK)相繼發(fā)布2022年中報(bào)業(yè)績(jī)。同期華虹半導(dǎo)體營(yíng)收6.21億美元。

“工欲善其事，必先利其器”，半導(dǎo)體作為構(gòu)建智能時(shí)代、數(shù)字時(shí)代的基礎(chǔ)元素之一，其發(fā)展關(guān)系到時(shí)代變革進(jìn)程，國(guó)家積極鼓勵(lì)行業(yè)發(fā)展，欲縮小與國(guó)際差距，打造變革利器。近年隨著新能源車的火熱，“缺芯”狀況加劇。對(duì)比傳統(tǒng)燃油車來說，新能源車所需芯片種類與數(shù)量更多。燃油車的芯片數(shù)量大約在500到600個(gè)，新能源車的芯片數(shù)量大約在1000到1200個(gè)。供需狀況失衡疊加國(guó)產(chǎn)替代邏輯，半導(dǎo)體芯片行業(yè)受到市場(chǎng)廣泛關(guān)注。

“消費(fèi)市場(chǎng)需求有所下降，但總的下降幅度在可控范圍?！比A虹半導(dǎo)體總裁唐均君表示。同時(shí)，其表示將“把握汽車電子、新能源等新興市場(chǎng)的機(jī)遇，堅(jiān)定特色工藝高品質(zhì)發(fā)展”。在業(yè)績(jī)說明會(huì)的問答環(huán)節(jié)，華虹半導(dǎo)體表示：從業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)看，公司產(chǎn)品有1/3的eFlash平臺(tái)，還有1/3的功率器件，另外有1/3的邏輯和射頻以及模擬電路。在這樣的業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)下，即使消費(fèi)電子市場(chǎng)需求有所下降，公司依然可以維持100%的產(chǎn)能利用率。

由于全線產(chǎn)能滿載，甚至超載，加上強(qiáng)勁價(jià)格漲勢(shì)，價(jià)量齊增帶動(dòng)下，推升晶圓代工產(chǎn)業(yè)2021年業(yè)績(jī)攀上新高，賣方市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)加持下，擴(kuò)產(chǎn)大計(jì)也取得多家芯片客戶長(zhǎng)約包產(chǎn)能承諾，2023年產(chǎn)能開出后，可確保營(yíng)運(yùn)仍能維穩(wěn)。

不過，近月來市場(chǎng)頻傳終端需求已見疲弱，2022年半導(dǎo)體電子業(yè)成長(zhǎng)動(dòng)能將不若2021年強(qiáng)勁等雜音，市場(chǎng)對(duì)于半導(dǎo)體派對(duì)何時(shí)結(jié)束看法分歧。

目前終端產(chǎn)品需求確實(shí)出現(xiàn)消長(zhǎng)，且按產(chǎn)品與客戶別，以及接單實(shí)力不同，芯片出貨走勢(shì)不一，如面板驅(qū)動(dòng)IC、非車用MUC等不少芯片缺貨已緩解，但也有芯片持續(xù)大缺，且為反應(yīng)成本而續(xù)漲，如安森美、瑞薩、意法半導(dǎo)體、英飛凌等交期也都拉長(zhǎng)。

然而，隨著需求漸獲滿足與晶圓代工新產(chǎn)能在2023年后陸續(xù)開出，半導(dǎo)體整體成長(zhǎng)表現(xiàn)最終也會(huì)趨于正常，能保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)動(dòng)能的會(huì)是在手機(jī)、車用、PC與服務(wù)器需求翻倍的PMIC，或是部分網(wǎng)通IC，也就是2022年起IC設(shè)計(jì)不再是全數(shù)維持高檔不墜，而轉(zhuǎn)由各自表現(xiàn)。

晶圓加工屬于晶圓制造領(lǐng)域，按照廠商類型可分為IDM和Foundry模式，IDM屬于重資產(chǎn)模式，為IC設(shè)計(jì)—IC制造—IC封測(cè)一體化垂直整合，主要企業(yè)為三星等，F(xiàn)oundry模式廠商相較IDM僅具備IC制造和封測(cè)能力，剝離了設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)。就作用而言，晶圓專業(yè)代工廠商降低了IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門檻，激發(fā)了上游IC設(shè)計(jì)廠商的爆發(fā)，以及產(chǎn)品設(shè)計(jì)和應(yīng)用的創(chuàng)新，繼而加速了IC產(chǎn)品的開發(fā)應(yīng)用周期，拓展了下游IC產(chǎn)品應(yīng)用。

為什么代工廠突然虛報(bào)其晶體管進(jìn)展情況?這比承認(rèn)進(jìn)展遇阻要容易得多。假冒的4納米工藝和“真正”4納米工藝之間的區(qū)別僅僅在于5%的光學(xué)微縮(10%的面積縮減)。即使是這小小的進(jìn)步也打破了三星的產(chǎn)量模型，臺(tái)積電也是花了兩年時(shí)間才完成。這兩家頭部的代工廠預(yù)計(jì)明年將實(shí)現(xiàn)3納米的大規(guī)模量產(chǎn)，而盡管他們?cè)?納米工藝方面奮力掙扎，卻未能激發(fā)出多少信心。

考慮到節(jié)點(diǎn)之間的間隔時(shí)間較長(zhǎng)，代工廠可能會(huì)在等待下一個(gè)節(jié)點(diǎn)的同時(shí)提高速度、功率或產(chǎn)量(最終達(dá)到相同的效果)。例如，雖然三星的4LPX與5LPE工藝具有相同的尺寸，但前者可能會(huì)提供一些其他優(yōu)勢(shì)來證明其有資格獲得新名稱。但是在晶體管密度沒有任何提高的情況下，名稱應(yīng)采用5LPX，以表明該工藝仍然屬于5nm節(jié)點(diǎn)的范疇。大多數(shù)人用5nm或4nm的簡(jiǎn)寫來代替完整的工藝名稱，所以數(shù)字還是很重要的。