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[導(dǎo)讀]BJT是所有電子元件之王,它改變了電子技術(shù)的進(jìn)程。晶體管_也可以是一個(gè)功率元件,并允許重要的電流值通過。功率 BJT 雖然采用與信號(hào)晶體管不同的技術(shù)制造,但具有非常相似的工作特性。主要區(qū)別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此,需要以相當(dāng)高的基極電流驅(qū)動(dòng)功率晶體管。

BJT是所有電子元件之王,它改變了電子技術(shù)的進(jìn)程。晶體管_也可以是一個(gè)功率元件,并允許重要的電流值通過。功率 BJT 雖然采用與信號(hào)晶體管不同的技術(shù)制造,但具有非常相似的工作特性。主要區(qū)別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此,需要以相當(dāng)高的基極電流驅(qū)動(dòng)功率晶體管。

功率晶體管的開關(guān)速度不是很高,因此,在最新一代的設(shè)計(jì)中,不再使用這些組件。功率 BJT 由三個(gè)端子組成:集電極 (C)、發(fā)射極 (E) 和基極 (B)。發(fā)射極-基極結(jié)遠(yuǎn)小于集電極-基極結(jié)。基極很薄,電子可以很容易地穿過它,到達(dá)集電極區(qū),它攜帶更多的電荷。功率晶體管用于放大器、電源和開關(guān)電路。

當(dāng)一個(gè)小信號(hào)被饋送到基極時(shí),BJT 會(huì)傳導(dǎo)大量電流。只要在底座上有控制信號(hào),該組件就保持在 ON 狀態(tài)。功率晶體管可以用作放大器、線性區(qū)域或開關(guān)。如果它用作放大器,那么小的輸入電流會(huì)產(chǎn)生大的輸出電流。相反,作為開關(guān),它工作在遮斷 (OFF) 或飽和 (ON) 狀態(tài),耗散更少的功率。圖 5 顯示了晶體管的一般操作。該方案包括輝煌的 2N3055 晶體管,具有以下特性的示例:

集電極-基極電壓 (VCBO):100 V;

集電極-發(fā)射極電壓 (VCEO):60 V;

發(fā)射極-基極電壓 (VEBO):7 V;

集電極電流 (Ic):15 A;

基極電流 (Ib):7 A;

總功耗(Pd,TC=25°C):115 W;

直流電流增益 (hfe):70。

示例電路的特點(diǎn)是直流電源電壓為 48 V,燈為 3 A,基極電阻為 220 Ohm。在飽和條件下,約 200 mA 的基極電流足以使約 3 A 的電流通過集電極和負(fù)載,晶體管的總功耗約為 1.5 W。為確保良好的飽和度,它足以讓比理論電流高 4-5 倍的電流通過基極,顯然是考慮到組件的增益。圖“a”顯示了集電極電流隨基極電流變化的趨勢。在電路采用的配置中,比例集電極電流對(duì)應(yīng)于 0 mA 和 200 mA 之間的基極電流。一旦超過這個(gè)門檻,晶體管處于飽和狀態(tài),基極電流的進(jìn)一步增加不再影響集電極電流。下一個(gè)模擬涉及通過兩種不同的技術(shù)以一半功率打開燈泡:

· 提供基極電流以使集電極達(dá)到 VCC / 2;

· PWM信號(hào)的使用

在第一種情況下,使用了一個(gè) 850 歐姆的電阻,以使僅 56 mA 的電流通過基極,使晶體管進(jìn)入線性區(qū)域,并在集電極上流過 1.5 A 的電流。這種技術(shù)有效并且允許燈泡以一半的光亮起,但晶體管耗散(以及隨之而來的功率損耗)太高(參見圖表“b”的結(jié)果)。事實(shí)上,測量產(chǎn)生了以下結(jié)果:

IB:56毫安;

Ic:1.58 安;

Pd(電池):75.8 W;

Pd(燈):37.4 W;

Pd(BJT):38.4 瓦;

Pd(R_base):2.6W;

效率:只有49.3%。

超過 50% 的功率因晶體管不必要地因熱量而損失,為了使其無危險(xiǎn)地工作,必須使用良好的散熱器對(duì)其進(jìn)行充分冷卻。然而,使用 PWM 技術(shù),在獲得與燈相同的照明時(shí),耗散和功率損耗要低得多。該技術(shù)包括使晶體管的基極經(jīng)受一系列適當(dāng)寬度的開-關(guān)脈沖。負(fù)載由所有可用能量供電,并且半導(dǎo)體組件耗散非常低的功率。對(duì) PWM 解決方案進(jìn)行的測量返回以下結(jié)果:

信號(hào):矩形 50 Hz,占空比 25 %;

Ib:53毫安(平均);

Ic:0.8 A(平均);

Pd(電池):38.1 W;

Pd(燈):37.7 W;

Pd(BJT):385.6 毫瓦;

Pd(R_base):2.54 W;

效率:99%。

您會(huì)立即注意到兩種解決方案在效率和功耗方面的差異。圖“c”顯示了晶體管導(dǎo)通開始時(shí)的功率損耗。在這種僅持續(xù)幾微秒的情況下,電流和電壓不再彼此同相,并產(chǎn)生耗散功率的高峰值。在元件導(dǎo)通結(jié)束期間也會(huì)重復(fù)相同的峰值。所有電源設(shè)備都存在同樣的問題。


電力電子課程:第 6 部分 -  BJT圖 5:晶體管可以使用多種技術(shù)驅(qū)動(dòng)大負(fù)載

結(jié)論

在本文中,我們研究了一些更常用的功率元件。

在一些解決方案中,它們?nèi)匀槐皇褂谩?

其他功率元件類型將在下一篇文章中進(jìn)行探討;其中一些是近年來電子技術(shù)開發(fā)的設(shè)備,代表了該行業(yè)的未來。


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