1.4nm是什么？三星宣布將在2027年量產(chǎn)，趕超臺積電？

近日，在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上，三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來技術(shù)路線圖，宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝，更先進的1.4nm工藝則預(yù)計會在2027年投產(chǎn)，主要面向高性能計算和人工智能等應(yīng)用。

三星聯(lián)合首席執(zhí)行官 Kyung Kye-hyun 說，其代工業(yè)務(wù)在5nm和4nm芯片的開發(fā)進度和性能方面落后于臺積電，但客戶對將于2024 年開始制造的第二代3nm工藝感興趣。

三星的目標(biāo)是在 2024 年開始量產(chǎn)第二代3nm 芯片，然后在 2025 年開始量產(chǎn)2nm，從而在先進芯片制造領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。這將為其兩年后量產(chǎn)1.4nm 產(chǎn)品奠定基礎(chǔ)。

與臺積電和英特爾相比，三星的未來2nm的量產(chǎn)進度并不一定領(lǐng)先。根據(jù)臺積電的公布的路線圖顯示，其2nm制程可能將會在2025年上半年量產(chǎn)。而英特爾在將會在2024年量產(chǎn)Intel 20A和Intel 18A制程。三星高級副總裁 Moonsoo Kang表示，該公司的芯片合同制造部門(即晶圓代工業(yè)務(wù)部門)希望到2027年將其收入比2021年增加兩倍。

三星是韓國的知名公司之一，是韓國最大的企業(yè)集團三星集團的簡稱，該集團包括44個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，“世界最受尊敬企業(yè)”企業(yè)之一的三星在全世界68個國家擁有429個據(jù)點23萬員工，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。 三星集團成立于1938年，公司最初主要出口朝鮮南半島的魚干、蔬菜和水果。

分析師指出，由于通貨膨脹飆升、高利率及俄烏沖突等因素影響，全球消費性電子產(chǎn)品需求疲軟，使得存儲芯片價格持續(xù)下滑，這也是三星第三季獲利表現(xiàn)失色的主要原因。作為全球最大的存儲芯片制造商，今年二季度其存儲業(yè)務(wù)營業(yè)利潤為9.98萬億韓元，在整體營業(yè)利潤當(dāng)中的占比高達(dá)70%

近年來，三星和英特爾一直在爭奪半導(dǎo)體市場的頭把交椅。2017年，三星的芯片業(yè)務(wù)營收首次超越英特爾，成為全球最大芯片制造商，并連續(xù)兩年蟬聯(lián)老大。不過，英特爾在2019年反超三星，直到2021年三星才再次超越英特爾。

近期半導(dǎo)體市場負(fù)面消息不斷，主要受地緣政治、疫情、通膨等因素導(dǎo)致終端消費力道銳減，庫存水位節(jié)節(jié)攀升影響，各大廠紛紛啟動應(yīng)對措施，包括臺積電在內(nèi)的指標(biāo)廠普遍認(rèn)為，明年上半年庫存調(diào)整可告一段落，但三星認(rèn)為迄今尚未看到明年市場可能復(fù)蘇的跡象，是現(xiàn)階段國際半導(dǎo)體大廠當(dāng)中最悲觀。

此前，包括英特爾、AMD、英偉達(dá)、美光等國際科技巨頭都釋出保守展望，凸顯PC、消費性電子與伺服器等相關(guān)領(lǐng)域市場正面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。英特爾坦言，下半年的展望“有大量雜音”，該公司尋求調(diào)整支出和投資。美光則示警，由于PC和智能手機銷售減少，“產(chǎn)業(yè)需求環(huán)境已經(jīng)轉(zhuǎn)弱”。英偉達(dá)更面臨顯卡庫存爆倉的壓力，正積極透過降價等策略出清庫存。慶桂顯強調(diào)，三星的策略是針對市場變化快速反應(yīng)，可在經(jīng)濟放緩時，以既有優(yōu)勢爭取更多市占率。他還提到了3nm進度，將持續(xù)提升效能與降低成本，目標(biāo)2024年量產(chǎn)下世代3nm晶片。

8 月份的時候，IC Insights 將其對全球集成電路市場的下半年增長預(yù)測，從 11% 下調(diào)到了 7% —— 主要歸咎于存儲市場的崩潰。該公司在上月的一份報告中寫道 —— 自 6 月以來，需求端似乎將市場開關(guān)撥動到了關(guān)閉的位置。這標(biāo)志著三星自 2020 年 1 季度以來的首次利潤同比下降 —— 大流行期間的居家需求，曾極大地刺激了人們的設(shè)備需求。此外芯片需求的急劇下滑，導(dǎo)致三星高管對今年剩余時間、以及 2023 年的市場前景表示悲觀。

三星表示，三星已在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域分別處于領(lǐng)先地位 30 年和 20 年。目前，三星正在開發(fā)第五代 10nm 級 (1b) DRAM 以及第八代和第九代垂直 NAND (V-NAND)，承諾在未來十年繼續(xù)提供最強大的內(nèi)存技術(shù)組合。