存儲(chǔ)器市場(chǎng)寒氣逼人，但是車用DRAM卻熱得發(fā)燙

根據(jù) IC Insights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，從2020年下半年開(kāi)始并持續(xù)到2022年5月的DRAM市場(chǎng)強(qiáng)勁回暖已經(jīng)結(jié)束。DRAM銷量在5月份創(chuàng)下兩年多來(lái)的最高月度銷量后，6月份和7月份分別暴跌36%和21%。市場(chǎng)崩潰的速度是如此之快，以至于7月份的DRAM市場(chǎng)規(guī)模只有5月份的一半(圖1)。對(duì)通貨膨脹和經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂削減了消費(fèi)者在新智能手機(jī)、電腦、電視和其他電子產(chǎn)品上的支出。反過(guò)來(lái)，系統(tǒng)制造商也縮減了新的 DRAM 訂單，理由是需要消耗他們積累的現(xiàn)有庫(kù)存。

隨著人工智能和元宇宙等對(duì)于高性能計(jì)算有強(qiáng)烈需求的應(yīng)用逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)的新市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，內(nèi)存的性能發(fā)展也成了這些應(yīng)用的重要支撐，這也成為內(nèi)存行業(yè)繼續(xù)大力投入新技術(shù)發(fā)展的重要?jiǎng)恿Α?

盡管面臨大行業(yè)的下行周期，但車載存儲(chǔ)市場(chǎng)卻風(fēng)景獨(dú)好，蘊(yùn)含強(qiáng)勁增長(zhǎng)動(dòng)力。

在智能化、網(wǎng)聯(lián)化趨勢(shì)推動(dòng)下，自動(dòng)駕駛系統(tǒng)向更高級(jí)別升級(jí)、更多傳感器的配置、車聯(lián)網(wǎng) 5G 通信功能的部署以及更多車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)的上車，都推動(dòng)了車載存儲(chǔ)包括 DRAM、NAND、NOR、EEPROM 等需求的快速增長(zhǎng)。

以 DRAM 為例，存儲(chǔ)市場(chǎng)分析師認(rèn)為，接下來(lái)幾年，向 L2+ 及更高級(jí)別自動(dòng)駕駛的升級(jí)遷移將是車載 DRAM 的最主要驅(qū)動(dòng)力。目前，配備 L2 級(jí)別自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的汽車大概需要 DRAM 1.48GB，到 L2+ 級(jí) DRAM 需求將大幅提升到 27.15GB。今年以來(lái)，隨著大算力芯片的量產(chǎn)上車，汽車智能駕駛系統(tǒng)向 L2+、L3 級(jí)別升級(jí)，對(duì) DRAM 的需求會(huì)明顯提升，預(yù)計(jì)車載 DRAM 在整個(gè) DRAM 市場(chǎng)的營(yíng)收占比有望從 2021 年的 2.4%，大幅提升到 2026 年的 10%。此外，車聯(lián)網(wǎng)及自動(dòng)駕駛功能的廣泛運(yùn)用，對(duì) NAND 存儲(chǔ)也帶來(lái)明顯增長(zhǎng)，同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)要求也越來(lái)越高。

進(jìn)入1960年代后，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，電子行業(yè)開(kāi)始了將集成電路技術(shù)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)領(lǐng)域的嘗試。

當(dāng)時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失，也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù)，斷電后，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，也稱內(nèi)存。今天，我們重點(diǎn)說(shuō)說(shuō)RAM這個(gè)領(lǐng)域。1966年，來(lái)自IBM Thomas J. Watson研究中心的羅伯特·丹納德(Robert H. Dennard)，率先發(fā)明了DRAM存儲(chǔ)器(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。

總之，DRAM存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)、手機(jī)等產(chǎn)品的重要組成部分，也是數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施不可或缺的“零件”。

目前，國(guó)內(nèi)DRAM存儲(chǔ)器已經(jīng)基本解決了有無(wú)的問(wèn)題。下一步，要解決就是良品率提升的問(wèn)題，以及產(chǎn)能爬坡問(wèn)題。在融資能力、產(chǎn)業(yè)鏈配套及人才梯隊(duì)等方面，我們還需要不斷加強(qiáng)，謹(jǐn)慎前行。

上周，三星召開(kāi)了2022年技術(shù)發(fā)布會(huì)(Tech Day 2022)，其中發(fā)布了三星在未來(lái)幾年內(nèi)的內(nèi)存技術(shù)發(fā)展路線圖。從中，我們認(rèn)為其對(duì)于內(nèi)存發(fā)展的主題圍繞著“更快，更大，更智能”幾個(gè)方向，這也與前面所討論的高性能計(jì)算對(duì)于內(nèi)存的需求相吻合。由于三星是內(nèi)存芯片領(lǐng)域的*，我們認(rèn)為它公布的路線圖將會(huì)很大程度上反映整體內(nèi)存芯片行業(yè)的發(fā)展動(dòng)向。

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示，今年二季度(4~6月)期間，三星電子拿下了DRAM市場(chǎng)43.4%的市場(chǎng)份額，已連續(xù)第三季擴(kuò)大份額。

與此同時(shí)，緊隨其后的SK海力士份額為28.1%，環(huán)比增加1%，美光23.6%，環(huán)比下滑1.2%。

新一代DDR5擁有超高帶寬及低功耗優(yōu)勢(shì)，不僅傳輸速率能增加50%，工作電壓亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V，能夠提高整體系統(tǒng)能源效率。此外，DDR5模塊配置電源管理IC，直接單獨(dú)在DIMM模組上執(zhí)行電源控制，能夠獲得更加穩(wěn)定的電源，并具備較佳的訊號(hào)完整性，進(jìn)而優(yōu)化能源效率。再者，DDR5內(nèi)建On-die ECC糾錯(cuò)機(jī)制，大幅精進(jìn)數(shù)據(jù)正確性并強(qiáng)化系統(tǒng)可靠度，有效提升運(yùn)算密集型應(yīng)用的效能表現(xiàn)。