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[導(dǎo)讀]據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示,今年二季度(4~6月)期間,三星電子拿下了DRAM市場43.4%的市場份額,已連續(xù)第三季擴(kuò)大份額。與此同時(shí),緊隨其后的SK海力士份額為28.1%,環(huán)比增加1%,美光23.6%,環(huán)比下滑1.2%。

據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示,今年二季度(4~6月)期間,三星電子拿下了DRAM市場43.4%的市場份額,已連續(xù)第三季擴(kuò)大份額。與此同時(shí),緊隨其后的SK海力士份額為28.1%,環(huán)比增加1%,美光23.6%,環(huán)比下滑1.2%。

根據(jù)臺積電近期公布的財(cái)報(bào),今年第三季度銷售額同比增長 48% 至 6131.4 億美元(約合人民幣 44091 億元)。而三星電子第三季度的 DS(半導(dǎo)體)銷售額預(yù)計(jì)在 24 萬億至 25 萬億韓元(約合人民幣 1200 億元至 1250 億元)之間。

包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠已量產(chǎn)DDR5,但占產(chǎn)能比重仍然不高,隨著DRAM行情低迷,業(yè)者降價(jià)出清DDR4庫存,可望加速DDR5的出貨量。 其中,三星宣布開始量產(chǎn)基于極紫外光(EUV)技術(shù)的14納米DDR5,SK海力士采用1y納米及1a納米生產(chǎn)DDR5,美光已采用1α納米擴(kuò)大DDR5產(chǎn)能。

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查顯示,明年服務(wù)器整機(jī)出貨量預(yù)估僅年增3.7%,低于今年的5.1%,且考量成本,服務(wù)器DRAM平均搭載容量年增幅也僅7%,為2016年以來首度降至10%以下。

一直以來,DRAM芯片都是以微縮制程的方式,來提高存儲密度。

DRAM每一次制程的更新?lián)Q代,都需要大量的投入。

以30nm更新到20nm為例,后者需要的光刻掩模版數(shù)目增加了30%,非光刻工藝步驟數(shù)翻倍。對潔凈室廠房面積的要求,也隨著設(shè)備數(shù)的上升而增加了80%以上。

以前,這些成本都可以通過單晶圓更多的芯片產(chǎn)出,以及性能帶來的溢價(jià),進(jìn)行彌補(bǔ)。但是,隨著工藝制程的不斷微縮,增加的成本和收入之間的差距逐漸縮小。

2013年左右,當(dāng)制程工藝進(jìn)入20nm之后,制造難度大幅提升。18/16nm之后,繼續(xù)在二維方向縮減尺寸,已不再具備成本和性能方面的優(yōu)勢。

于是,DRAM芯片廠商開始另辟蹊徑,開始研究Z方向的擴(kuò)展能力。也就是說,開始推進(jìn)3D封裝。

作為行業(yè)龍頭,三星率先從封裝角度實(shí)現(xiàn)了3D DRAM。他們采用TSV封裝技術(shù),將多個(gè)DRAM芯片堆疊起來,從而大幅提升單根內(nèi)存條容量和性能。后來,各個(gè)廠商紛紛跟進(jìn),3D DRAM成為主流。

在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)方面,行業(yè)一般采用由固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)制定的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有獨(dú)有的周期性特質(zhì),一方面,當(dāng)產(chǎn)能與市場需求出現(xiàn)錯(cuò)配時(shí),價(jià)格波動就不可避免;另一方面,無論是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)業(yè)還是生產(chǎn)制造業(yè),都需要高投入、長周期,一旦錯(cuò)配出現(xiàn),往往不能在短時(shí)間內(nèi)在供需上實(shí)現(xiàn)削峰填谷,也就導(dǎo)致了明顯的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性特點(diǎn)。

在半導(dǎo)體主要芯片類別中,存儲器是最大的一類,大概占據(jù)整個(gè)芯片市場的近 1/3。其中 DRAM 和 NAND Flash 是量最大的兩類,占比約超 95%,剩下的份額由 NOR FLASH、EEPROM 等其他類型存儲芯片占據(jù)。因而,半導(dǎo)體市場稍有風(fēng)吹草動,DRAM 和 NAND 往往最先遭受震蕩。

2017-2018 年是最近幾年存儲市場的一個(gè)明顯增長期;2019 年,受全球貿(mào)易摩擦及下游需求放緩影響,存儲芯片營收出現(xiàn)大幅下滑,2020 年盡管有所恢復(fù),但市場營收仍在低位;2021 年,在疫情階段性控制、國內(nèi)手機(jī)市場恢復(fù)、北美服務(wù)器廠商資本支出受政府鼓勵(lì)等因素影響下,存儲器在需求端又迎來增長。同時(shí),持續(xù)的芯片缺貨間接導(dǎo)致 DRAM 與 NAND 單價(jià)漲幅較大,盡管存儲器價(jià)格在 2021 年第四季度轉(zhuǎn)為下滑,但全年市場規(guī)模仍達(dá)到 1650 億美元左右,同比增長 33%。

根據(jù) IC Insights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,從2020年下半年開始并持續(xù)到2022年5月的DRAM市場強(qiáng)勁回暖已經(jīng)結(jié)束。DRAM銷量在5月份創(chuàng)下兩年多來的最高月度銷量后,6月份和7月份分別暴跌36%和21%。市場崩潰的速度是如此之快,以至于7月份的DRAM市場規(guī)模只有5月份的一半(圖1)。對通貨膨脹和經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂削減了消費(fèi)者在新智能手機(jī)、電腦、電視和其他電子產(chǎn)品上的支出。反過來,系統(tǒng)制造商也縮減了新的 DRAM 訂單,理由是需要消耗他們積累的現(xiàn)有庫存。

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