三星正在擴(kuò)大多項(xiàng)目晶圓服務(wù)，制程擴(kuò)大至4nm

星電子計(jì)劃于2023年擴(kuò)大多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù)，且制程技術(shù)將擴(kuò)大至4nm。隨著制造工藝水平的提高，在生產(chǎn)線上制造芯片的費(fèi)用不斷上漲，一次0.6微米工藝的生產(chǎn)費(fèi)用就要20-30萬(wàn)元，而一次0.35微米工藝的生產(chǎn)費(fèi)用則需要60-80萬(wàn)元。如果設(shè)計(jì)中存在問(wèn)題，那么制造出來(lái)的所有芯片將全部報(bào)廢。為了降低成本，我們采用了多項(xiàng)目晶圓。

多項(xiàng)目晶圓(Multi Project Wafer，簡(jiǎn)稱(chēng)MPW)就是將多個(gè)使用相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一晶圓片上流片，制造完成后，每個(gè)設(shè)計(jì)可以得到數(shù)十片芯片樣品，這一數(shù)量對(duì)于原型(Prototype)設(shè)計(jì)階段的實(shí)驗(yàn)、測(cè)試已經(jīng)足夠。而該次制造費(fèi)用就由所有參加MPW的項(xiàng)目按照芯片面積分?jǐn)?，成本僅為單獨(dú)進(jìn)行原型制造成本的5%-10%，極大地降低了產(chǎn)品開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)、培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)人才的門(mén)檻和中小集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)在起步時(shí)的門(mén)檻。

TrendForce資深分析師喬安在今日舉行的研討會(huì)中表示，晶圓代工產(chǎn)業(yè)自2020年進(jìn)入高成長(zhǎng)周期，5G技術(shù)發(fā)展、疫情及地緣政治等是增長(zhǎng)的主要原因。喬安指出，2020年晶圓代工產(chǎn)值成長(zhǎng)24%，2021年成長(zhǎng)26.1%，今年隨著業(yè)界擴(kuò)增的產(chǎn)能大量開(kāi)出，及晶圓漲價(jià)貢獻(xiàn)，晶圓代工產(chǎn)值可望成長(zhǎng)28%，增幅將高于過(guò)去兩年水平。

隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片特征尺寸越來(lái)越小，互連層數(shù)越來(lái)越多，晶圓直徑也不斷增大。要實(shí)現(xiàn)多層布線，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，而化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術(shù)，它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD/CVD一起被稱(chēng)為IC制造最核心的五大關(guān)鍵技術(shù)。 圖

由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片;1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù);低開(kāi)關(guān)損耗;正溫度系數(shù);簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)等等領(lǐng)域。

在新披露的展望報(bào)告中，SEMI 預(yù)計(jì)到 2025 年的時(shí)候，全球 300 mm 半導(dǎo)體晶圓廠的產(chǎn)能將再創(chuàng)新高。SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：“盡管某些芯片短缺已得到緩解，但另一些芯片的供應(yīng)仍然緊張。不過(guò)蘇子和半導(dǎo)體行業(yè)擴(kuò)大 300 mm 晶圓廠產(chǎn)能，其正努力為滿足廣大新興應(yīng)用的長(zhǎng)期需求而奠定基礎(chǔ)”。

近年來(lái)，由于受益于汽車(chē)電子、工業(yè)控制、AlOT等高增長(zhǎng)應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，晶圓制造市場(chǎng)增長(zhǎng)強(qiáng)勁。2021年全球晶圓代工廠總銷(xiāo)售額首次突破1000億美元大關(guān)，達(dá)到1101億美元，較2020年增長(zhǎng)26%，預(yù)計(jì)未來(lái)全球晶圓代工銷(xiāo)售額會(huì)持續(xù)上漲，2022年預(yù)計(jì)漲幅約20%。

TheLec 報(bào)道稱(chēng)，三星正計(jì)劃使用一種稱(chēng)為背面供電網(wǎng)絡(luò) (BSPDN) 的技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā) 2 納米，而該技術(shù)其實(shí)是上周剛剛由研究員 Park Byung-jae 在三星 SEDEX 2022 上推出的一種新技術(shù)。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，這種方案給出了除制程縮進(jìn)和 3D 封裝外的另一個(gè)方向：開(kāi)發(fā)晶圓背面。

Park 表示，在代工市場(chǎng)，技術(shù)正在從高 k 金屬柵極平面 FET 發(fā)展到 FinFET 再到 MBCFET 和現(xiàn)在的 BSPDN。

三星電子于今日公布了其2022年第三季度(7-9 月)的初步財(cái)報(bào)，由于全球經(jīng)濟(jì)放緩，沖擊消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品需求，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片訂單銳減，使得三星電子當(dāng)季利潤(rùn)同比大幅下滑近32%，為近3年來(lái)首次出現(xiàn)下滑，凸顯市場(chǎng)形勢(shì)險(xiǎn)峻。

根據(jù)三星發(fā)布的初步財(cái)報(bào)顯示，預(yù)計(jì)第三季營(yíng)收76萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)2.7%。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為10.8萬(wàn)億韓元(約77億美元)，較2021年同期的15.82萬(wàn)億韓元下滑31.7%，低于Refinitiv SmartEstimate調(diào)查所預(yù)期的11.8萬(wàn)億韓元，不僅創(chuàng)下2019年以來(lái)最差同期表現(xiàn)，且是3年來(lái)首次出現(xiàn)同比下滑。

另外值得一提的是，在近兩年晶圓代工產(chǎn)能緊缺的背景之下，晶圓代工廠紛紛對(duì)其晶圓代工報(bào)價(jià)進(jìn)行了提價(jià)，提升了運(yùn)營(yíng)表現(xiàn)。

Moonsoo Kang表示，“今年(提價(jià))取得了一些進(jìn)展，成本上升也體現(xiàn)在了其中……目前贏得的新訂單將在 2-3 年后完成?！?