2023年DRAM芯片供應將同比減少，NAND芯片供應量同比增幅將為個位數

存儲芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應用。因此，無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件，實現多功能和高性能，以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應用的支持。

對存儲行業(yè)而言，存儲芯片主要以兩種方式實現產品化：1、ASIC技術實現存儲芯片ASIC(專用集成電路)在存儲和網絡行業(yè)已經得到了廣泛應用。除了可以大幅度地提高系統(tǒng)處理能力，加快產品研發(fā)速度以外，ASIC更適于大批量生產的產品，根椐固定需求完成標準化設計。在存儲行業(yè)，ASIC通常用來實現存儲產品技術的某些功能，被用做加速器，或緩解各種優(yōu)化技術的大量運算對CPU造成的過量負載所導致的系統(tǒng)整體性能的下降。

2、FPGA 技術實現存儲芯片FPGA(現場可編程門陣列)是專用集成電路(ASIC)中級別最高的一種。與ASIC相比，FPGA能進一步縮短設計周期，降低設計成本，具有更高的設計靈活性。當需要改變已完成的設計時，ASIC的再設計時間通常以月計算，而FPGA的再設計則以小時計算。這使FPGA具有其他技術平臺無可比擬的市場響應速度。

新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷(多數工具以微微秒-百億分之一秒計算)的特性。同時，廠商可對FPGA功能模塊和I/O模塊進行重新配置，也可以在線對其編程實現系統(tǒng)在線重構。這使FPGA可以構建一個根據計算任務而實時定制軟核處理器。并且，FPGA功能沒有限定，可以是存儲控制器，也可以是處理器。新一代FPGA支持多種硬件，具有可編程I/O，IP(知識產權)和多處理器芯核兼?zhèn)洹＿@些綜合優(yōu)點，使得FPGA被一些存儲廠商應用在開發(fā)存儲芯片架構的全功能產品。

美東時間周三，美光科技表示，因市場需求下滑導致公司難以清理過剩庫存，美光將減少存儲芯片供應，并進一步削減資本支出計劃。不過，也有行業(yè)分析師指出，當芯片巨頭們普遍因需求疲軟而削減資本支出和供應時，往往意味著行業(yè)觸底信號已經出現。

美光計劃削減存儲芯片供應,今年早些時候，美光就早早對PC和智能手機需求下滑發(fā)出警告，也是行業(yè)內首家發(fā)出此類警告的大型芯片制造商。

今年以來，需求疲軟、庫存過剩已經是逐步蔓延至整個芯片行業(yè)的不爭事實。從最初的智能手機、PC等消費電子需求降溫，到后來的數據中心、乃至工業(yè)端都出現了芯片需求降溫的跡象。芯片制造商也為此面臨下游需求疲軟的沖擊，今年迄今為止，費城SE半導體指數已下跌超過31%。

美光公司表示：“為了顯著改善總庫存情況……DRAM芯片供應將需要收縮，NAND芯片供應增長將需要顯著低于此前的預期。美光表示，與截至今年9月1日的第四季度相比，該公司本季度正將DRAM和NAND晶圓開工量(即半導體生產的初始流程)減少約20%。該公司預計，2023年DRAM芯片供應將同比減少，NAND芯片供應量同比增幅將為個位數。

韓國三星電子公司等存儲芯片制造商近期同時面臨芯片價格下跌和需求下滑。一些行業(yè)人士預測，存儲芯片降價直到明年年中才能見底或緩和?！　〈鎯π酒饕糜谥悄苁謾C、個人電腦和數據服務器，去年年底開始降價。美國《華爾街日報》7日報道，存儲芯片可稱為半導體行業(yè)的晴雨表?！　　度A爾街日報》援引行業(yè)機構的分析報道，今年第三季度，兩種主要類型的存儲芯片DRAM和NAND閃存合同價格環(huán)比分別下跌15%和28%;隨著庫存積壓，這兩種芯片價格預計在第四季度和明年全年繼續(xù)下跌，但到明年春季應當會結束兩位數的下跌，到明年年底企穩(wěn)?！　∪蜃畲蟠鎯π酒圃焐倘请娮?日預測，其第三季度營業(yè)利潤減少32%，遠糟于分析師預期。韓國SK海力士公司則預計當季營業(yè)利潤同比減少大約40%?！　∶绹叩录{咨詢公司提供的數據顯示，半導體行業(yè)2022年共計6190億美元營收中，存儲芯片占大約27%。　　世界半導體貿易統(tǒng)計協(xié)會預測，2023年，存儲芯片營收增幅將在各類芯片中最小，僅為0.6%;邏輯芯片營收將增長8.1%;模擬芯片營收將增加6.4%;傳感芯片營收將增加3.9%?！　　度A爾街日報》認為，影響存儲芯片價格的一個變量是廠商是否減產。日本鎧俠控股公司上周說，其NAND閃存產量自10月起減少大約30%。

近年來，受物聯(lián)網、網絡通訊、汽車電子、消費電子等下游應用需求增長的驅動，代碼型閃存芯片市場空間持續(xù)擴張，雖然受全球貿易摩擦及下游需求變動的影響有一定波動，但 NOR Flash 及 SLC NAND Flash 市場規(guī)模整體保持穩(wěn)定增長的趨勢。芯天下技術股份有限公司(以下簡稱“芯天下 ”)作為業(yè)內代碼型閃存芯片產品覆蓋范圍較全面的廠商之一存在巨大發(fā)展機遇。

一直以來，芯天下在代碼型閃存芯片領域緊緊圍繞客戶及市場需求，在技術、模式、產業(yè)等方面持續(xù)創(chuàng)新。為滿足下游市場的應用需求，芯天下持續(xù)拓展產品系列，產品容量范圍覆蓋1Mbit-8Gbit，電壓范圍覆蓋主流電壓(3.3V)、低電壓(1.8V)及寬電壓(1.65-3.6V)，同時 NOR Flash 產品在研超低電壓(1.2V)系列產品。此外，芯天下自主研發(fā)的 SPI NAND 控制器晶圓具備較強的 ECC(錯誤檢查和糾正)及壞塊管理能力，包含自研控制器晶圓的 SPI NAND 產品已實現量產，有效提升產品的可靠性及穩(wěn)定性。