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[導(dǎo)讀]在后摩爾時(shí)代下,芯片的制程工藝難以進(jìn)步,為了實(shí)現(xiàn)晶體管密度的突破,各廠商均在尋求新技術(shù)突破。其中,Chiplet(小芯片)技術(shù)今年就備受關(guān)注,英特爾、AMD、ARM等巨頭均已推出小芯片架構(gòu),且還合作制定了小芯片標(biāo)準(zhǔn)UCIe。

在后摩爾時(shí)代下,芯片的制程工藝難以進(jìn)步,為了實(shí)現(xiàn)晶體管密度的突破,各廠商均在尋求新技術(shù)突破。其中,Chiplet(小芯片)技術(shù)今年就備受關(guān)注,英特爾、AMD、ARM等巨頭均已推出小芯片架構(gòu),且還合作制定了小芯片標(biāo)準(zhǔn)UCIe。

當(dāng)然,國(guó)內(nèi)科企、科研團(tuán)隊(duì)也沒(méi)閑著,近日,正式發(fā)布了國(guó)內(nèi)首個(gè)Chiplet技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。那么,今年備受關(guān)注的小芯片到底是什么呢?國(guó)內(nèi)發(fā)布它的標(biāo)準(zhǔn)有何大意義?

過(guò)去一年,在摩爾定律放緩以及芯片脫鉤等多個(gè)因素下,Chiplet(小芯片,又稱“芯?!?技術(shù)被認(rèn)為是提升算力密度的關(guān)鍵路徑,成為了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)關(guān)注的賽道之一。1月5日,美國(guó)、中國(guó)兩家半導(dǎo)體企業(yè)不約而同公布基于Chiplet的先進(jìn)芯片量產(chǎn):

CES 2023開(kāi)幕演講上,美國(guó)芯片巨頭AMD發(fā)布全球首個(gè)集成數(shù)據(jù)中心APU(加速處理器)芯片Instinct MI300,其采用5nm和6nm的先進(jìn)Chiplet 3D封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)高達(dá)1460億個(gè)晶體管,AI 性能比前代提升8倍以上,最快2023年下半年發(fā)貨;國(guó)內(nèi)晶圓封裝龍頭長(zhǎng)電科技(600584.SH)宣布,公司XDFOI Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計(jì)劃進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,同步實(shí)現(xiàn)4nm節(jié)點(diǎn)多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨。

實(shí)際上,Chiplet是一種芯片“模塊化”設(shè)計(jì)方案,通過(guò)2.5D/3D集成封裝等技術(shù),能夠?qū)⒉煌に嚬?jié)點(diǎn)、不同功能、不同材質(zhì)的芯片,如同搭積木一樣集成一個(gè)更大的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。與傳統(tǒng)的SoC方案相比,Chiplet模式具有設(shè)計(jì)靈活性、成本低、上市周期短等優(yōu)勢(shì),非常適用于高性能計(jì)算等領(lǐng)域。例如,搭配28nm、14nm等不同制程芯片,通過(guò)Chiplet等技術(shù)集成的芯片,可接近7nm芯片性能和作用,而且成本最高降低50%以上——設(shè)計(jì)一款5nm芯片的總成本接近5億美元。而且,國(guó)產(chǎn)Chiplet有助于減少美國(guó)對(duì)先進(jìn)技術(shù)封鎖的影響。

根據(jù)鈦媒體App編輯的統(tǒng)計(jì),自2022年8月開(kāi)始,“Chiplet”的百度中文搜索量突然猛增,周搜索指數(shù)最高增長(zhǎng)6123倍。而在去年12月中的一周內(nèi),搜索量暴增1005倍,熱度僅次于“布洛芬”、口罩和抗原等。這意味著,最近很多人開(kāi)始在中文互聯(lián)網(wǎng)上搜索、了解Chiplet半導(dǎo)體技術(shù)。

其實(shí),早在2022年3月份,就有消息稱,由中科院計(jì)算所、工信部電子四院以及多家國(guó)內(nèi)芯片廠商合作,共同制定的小芯片(chiplet)標(biāo)準(zhǔn):《小芯片接口總線技術(shù)要求》,已經(jīng)完成草案并公示。

經(jīng)過(guò)了大半年時(shí)間的醞釀,這份草案變成了正式小芯片標(biāo)準(zhǔn),通過(guò)審定后正式發(fā)布。

12月16日,在第二屆中國(guó)互連技術(shù)與產(chǎn)業(yè)大會(huì)上,國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)和專家共同主導(dǎo)制定的《小芯片接口總線技術(shù)要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),也是國(guó)內(nèi)首個(gè)原生Chiplet技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),正式面向世界發(fā)布。

算上此前英特爾領(lǐng)銜,AMD、Arm、臺(tái)積電、三星等十個(gè)芯片巨頭加入制定的UCIe標(biāo)準(zhǔn),全球已有兩個(gè)小芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí),眾多科技巨頭入局小芯片,比如蘋(píng)果發(fā)布的M1 Ultra,采用的就是chiplet技術(shù),將兩枚M1 Max芯片“粘連”而成。

長(zhǎng)電科技近日宣布,其XDFOIChiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已成功進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段。這意味著該公司的XDFOI技術(shù)已被應(yīng)用于高性能計(jì)算、人工智能、5G、汽車(chē)電子等領(lǐng)域,為客戶提供了輕薄、高速、低功耗的芯片成品制造解決方案。

XDFOI技術(shù)能將有機(jī)重布線堆疊中介層厚度控制在50微米以內(nèi),微凸點(diǎn)(μBump)中心距為40微米,實(shí)現(xiàn)在更薄和更小的單位面積內(nèi)進(jìn)行高密度的各種工藝集成。這樣一來(lái),芯片封裝的集成度更高,模塊功能更強(qiáng),封裝尺寸更小。

在全球半導(dǎo)體制造和封裝領(lǐng)域,小芯片chiplets是目前最熱門(mén)的技術(shù)之一。AMD和Intel已推出多款小芯片設(shè)計(jì)的芯片,而長(zhǎng)電科技也在這一領(lǐng)域快速崛起。該公司的XDFOI封裝技術(shù)已開(kāi)始量產(chǎn),并向國(guó)際客戶生產(chǎn)了4nm節(jié)點(diǎn)的多芯片封裝產(chǎn)品,最大封裝體面積約為1500平方毫米。

長(zhǎng)電科技的XDFOI技術(shù)的推出,為芯片制造領(lǐng)域帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)會(huì)。在未來(lái),隨著長(zhǎng)電科技的XDFOI技術(shù)得到進(jìn)一步提升和改進(jìn),我們期待它能在更多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,為人類(lèi)帶來(lái)更多的便利和改善。小芯片chiplets技術(shù)的發(fā)展,將有助于推動(dòng)芯片制造技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,促進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)的升級(jí)和發(fā)展。

2022年,在汽車(chē)、手機(jī)、存儲(chǔ)以及顯卡等領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)品牌的表現(xiàn)都可圈可點(diǎn)。在上游技術(shù)領(lǐng)域,尤其是半導(dǎo)體及封裝領(lǐng)域也取得了可喜可賀的成績(jī)。由于全球存儲(chǔ)顆粒供需關(guān)系的變化,特別是以中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、英韌等國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)顆粒、主控芯片方案廠商的崛起以及產(chǎn)能的迅速增加,國(guó)產(chǎn)徹底擺脫了低質(zhì)、黑片等關(guān)鍵詞,而是給消費(fèi)者帶來(lái)了清一色的國(guó)產(chǎn)顆粒和主控的正規(guī)產(chǎn)品,性價(jià)比極高。這些對(duì)于消費(fèi)者而言,2023年又多了許多優(yōu)質(zhì)的選擇。

說(shuō)到半導(dǎo)體領(lǐng)域,小芯片chiplets是半導(dǎo)體制造及封裝領(lǐng)域最熱門(mén)的技術(shù)之一,AMD、Intel已經(jīng)推出了多款小芯片設(shè)計(jì)的芯片,如今國(guó)產(chǎn)也在這個(gè)領(lǐng)域快速追趕,并取得了很好的成績(jī)。1月5日,長(zhǎng)電科技宣布自家的XDFOI封裝技術(shù)開(kāi)始量產(chǎn),并為國(guó)際客戶生產(chǎn)了4nm多芯片封裝產(chǎn)品。

據(jù)長(zhǎng)電科技表示,公司XDFOIChiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計(jì)劃進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,同步實(shí)現(xiàn)國(guó)際客戶4nm節(jié)點(diǎn)多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨,最大封裝體面積約為1500mm2的系統(tǒng)級(jí)封裝。

目前,長(zhǎng)電科技XDFOI技術(shù)可將有機(jī)重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內(nèi),微凸點(diǎn)(μBump)中心距為40μm,實(shí)現(xiàn)在更薄和更小單位面積內(nèi)進(jìn)行高密度的各種工藝集成,達(dá)到更高的集成度、更強(qiáng)的模塊功能和更小的封裝尺寸。同時(shí),還可以在封裝體背面進(jìn)行金屬沉積,在有效提高散熱效率的同時(shí),根據(jù)設(shè)計(jì)需要增強(qiáng)封裝的電磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。

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