OpenLight推出224G InP調(diào)制器以推進PIC設計

新型調(diào)制器將速度和規(guī)模提高到224G/λ，適用于未來的高速應用

加利福尼亞州山景城2023年3月7日 /美通社/ -- OpenLight 今天宣布已開發(fā)并成功展示了一種224G InP調(diào)制器，可用于Tower的PH18DA平臺。作為全面運行的光子集成電路（PIC）的一部分進行測量，OpenLight擴展了其PAM4調(diào)制器的速度并展示了PAM4 224G眼圖。

這種新的224G調(diào)制器集成在一個演示PIC上，帶有異構(gòu)集成激光器和其他所需的硅光子組件，以實現(xiàn)完整的發(fā)射器。在異構(gòu)SiPh平臺上制造這些部件可以顯著提高產(chǎn)量、降低生產(chǎn)復雜性，并且提高性能。 

數(shù)據(jù)通信客戶現(xiàn)在可以將基于多通道DR和FR的數(shù)據(jù)通信設計擴展到每波長224G，將整體速度提高一倍的同時不會增加PIC成本。

OpenLight首席執(zhí)行官Adam Carter博士表示： "這種新的調(diào)制器使每個PIC的速度加快了一倍。例如，我們最近發(fā)布的800G DR8 PIC可以成為1.6T PIC (8x200G)?；蛘?，400G DR4 PIC現(xiàn)在可以通過四通道提供800G。我們的最新產(chǎn)品讓數(shù)據(jù)通信客戶不僅可以為未來做好準備，還可以滿足對更高連接速度不斷增長的需求。"

Tower Semiconductor高級副總裁兼模擬業(yè)務部總經(jīng)理 Marco Racanelli博士表示："與OpenLight的合作不斷增強我們?yōu)樗泄韫庾哟た蛻籼峁┊a(chǎn)品的能力，OpenLight的技術通過Tower Semiconductor讓客戶能夠在硅光子平臺上實現(xiàn)224G操作，獲得與片上激光器和光學增益相同的優(yōu)勢，而無需單獨的激光器和昂貴的連接方法。"

HGGenuine USA研發(fā)副總裁Jim Theodoras表示："200G調(diào)制是交付基于200G/通道的下一代以太網(wǎng)速度的重要組成部分和關鍵路徑。這不僅僅是一個200G的調(diào)制器，而且是一個可用于混合光子集成電路的調(diào)制器。沒有光子集成電路，就無法按數(shù)據(jù)通信客戶所要求的功率和密度交付下一代以太網(wǎng)。我們很高興與OpenLight合作，利用其行業(yè)領先的PIC技術。該技術不僅可以實現(xiàn)今天的1.6T，而且可以在不久的將來實現(xiàn)3.2T。"

Dell'Oro Group數(shù)據(jù)中心和園區(qū)以太網(wǎng)交換機市場研究副總裁Sameh Boujelbene表示："隨著對更高數(shù)據(jù)速率的需求持續(xù)增長，開發(fā)滿足這些需求的先進技術變得越來越重要。200G/通道光鏈路將發(fā)揮至關重要的作用，以合適的密度和功耗提供1.6Tb和3.2Tb光鏈路，同時發(fā)布下一代Serdes以用于各種架構(gòu)，支持云、AI/ML和HPC應用所需的大規(guī)模帶寬擴展。"

OpenLight現(xiàn)在為其224G調(diào)制器提供早期訪問包，便于客戶開始設計基于最新調(diào)制器產(chǎn)品的PIC。今年晚些時候?qū)榭蛻籼峁┰u估工具，以測試OpenLight的224G調(diào)制器。 

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