據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道，臺灣地區(qū)中科管理局在本周一再度宣布延后臺積電 2nm 晶圓廠的開發(fā)日程，預(yù)計今年第四季度才能完成取地及相關(guān)計劃作業(yè)程序，大約 11 月交地后公共工程與廠商方可同步動工。
據(jù)悉，臺積電 2nm 晶圓廠區(qū)分別計劃在竹科寶山、中科設(shè)廠。臺積電總裁魏哲家在年初的法說會上表示，2nm 制程工藝的進度比之前預(yù)估的要更好，明年維持風(fēng)險試產(chǎn)，預(yù)計兩年后量產(chǎn)。
根據(jù)公開的資料顯示，臺積電 2nm 晶圓廠中科臺中園區(qū)二期的擴建案共規(guī)劃了兩期共計四座晶圓廠，本來是計劃 2023 年就開始動工并最快與明年年底前將第一座 2nm 晶圓廠投產(chǎn)。
根據(jù)臺積電的財報數(shù)據(jù)顯示，上個月合并總營收約為 1631.74 億新臺幣(約 53.38 億美金)，環(huán)比減少 18.4%，同比增長 11.1%，前兩個月的總營收約 3632.25 億新臺幣(約 118.82 億美金)，同比增長 13.8%。
2nm 制程工藝是在 3nm 制程工藝之后的下一個微縮制程，臺積電和英特爾都已經(jīng)在其戰(zhàn)略上規(guī)劃了 2nm 的產(chǎn)品。2018年底，臺積電董事長劉德音就預(yù)測芯片規(guī)模將繼續(xù)擴大到 2nm~3nm 制程工藝。
然而到 2019 年，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)還沒有確定臺積電的技術(shù)水平是否可以在 3nm 以外的水準(zhǔn)上使用的時候，臺積電已經(jīng)實現(xiàn)了從 FinFET 到閘極全環(huán)電晶體(GAAFET)類型的轉(zhuǎn)變。
2020 年的時候，臺積電就計劃在 2024 年左右進入 2nm 的風(fēng)險生產(chǎn)，同年臺積電開始在新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)建立一個 2nm 技術(shù)的研發(fā)實驗室。同年臺積電董事長劉德音也表示將在臺灣新竹建立一個 2nm 制程的工廠，也可以根據(jù)需求在臺中市的中部科學(xué)工業(yè)園區(qū)安裝生產(chǎn)。
據(jù)悉，2nm 制程相比 3nm 制程可在相同功耗下提高 10~15% 執(zhí)行效能，而在相同效能下則可降低 25~30% 的功耗，2nm 制程技術(shù)采用奈米片電晶體(Nanosheet)設(shè)計，將取代過往使用多年的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)設(shè)計，同時也能結(jié)合Chiplet小晶片設(shè)計方案，分別可對應(yīng)行動裝置運算，以及高效能運算處理器設(shè)計需求。
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