HOLTEK新推出HT32F61630/HT32F61641鋰電池保護MCU

時間：2023-05-25 17:10:46

關(guān)鍵字：鋰電池 MCU 電池管理系統(tǒng)

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[導讀]Holtek新推出鋰電池保護MCU?HT32F61630/HT32F61641，在原有HT45F8650/HT45F8662?8-bit MCU系列外，新增更高階的32-bit Arm??Cortex?-M0+鋰電池保護系列MCU產(chǎn)品，重點規(guī)格特性如下：鋰電池電壓偵測精準度±24 mV、低待機功耗、內(nèi)建被動均衡、高壓Gate-driver等功能，LDO輸出能力達50 mA，適合應用于3~8串鋰電池產(chǎn)品，如電池管理系統(tǒng)(BMS)保護板、電動工具、無線吸塵器等。

Holtek新推出鋰電池保護MCU HT32F61630/HT32F61641，在原有HT45F8650/HT45F8662 8-bit MCU系列外，新增更高階的32-bit Arm® Cortex®-M0+鋰電池保護系列MCU產(chǎn)品，重點規(guī)格特性如下：鋰電池電壓偵測精準度±24 mV、低待機功耗、內(nèi)建被動均衡、高壓Gate-driver等功能，LDO輸出能力達50 mA，適合應用于3~8串鋰電池產(chǎn)品，如電池管理系統(tǒng)(BMS)保護板、電動工具、無線吸塵器等。

HT32F61630/HT32F61641具備32 KB / 64 KB Flash ROM、SRAM存儲容量為2 KB / 8 KB，最高運行速度為16 MHz / 20 MHz，I/O方面具有22個多功能引腳并提供豐富外圍資源，如UART、SPI、I2C、6通道最快1 Msps SAR ADC、最多16通道16-bit PWM等。整合2組Low-side高壓Gate-driver、1組High-side高壓Gate-driver用于驅(qū)動MOSFET；內(nèi)建待機零功耗與高壓喚醒電路，可增加電池待機時間；內(nèi)建被動均衡電路，大幅減少零件數(shù)量并縮減PCB空間。封裝提供48LQFP-EP。

HT32F61630/HT32F61641的開發(fā)環(huán)境與HT32系列相同，支持多種開發(fā)環(huán)境(Keil/IAR/SEGGER/GNU)，并提供硬件開發(fā)工具包、周邊驅(qū)動函數(shù)庫(Firmware Library)及應用范例等完整的開發(fā)資源。Holtek全系列M0+ MCU取得Keil MDK-ARM用戶許可證，可提供客戶免費使用。搭配ISP(In-System Programming)及IAP(In-Application Programming)技術(shù)方案，可輕易升級固件，也提供自檢程序庫(Safety Test Library)，可通過UL/IEC 60730-1 Class B認證，縮短產(chǎn)品認證時間。