當前位置:首頁 > 模擬 > 模擬技術(shù)
[導(dǎo)讀]SDRAM 英文全稱“Synchronous Dynamic Random Access Memory”,譯為“同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存”或“同步動態(tài)隨機存儲器”,是動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory,簡稱 DRAM)家族的一份子。

DRAM" target="_blank">SDRAM 英文全稱“Synchronous Dynamic Random Access Memory”,譯為“同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存”或“同步動態(tài)隨機存儲器”,是動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory,簡稱 DRAM)家族的一份子。

同步(Synchronous):與通常的異步 DRAM 不同, SDRAM 存在一個同步接口,其工作時鐘的時鐘頻率與對應(yīng)控制器(CPU/FPGA)的時鐘頻率相同,并且 SDRAM 內(nèi)部的命令發(fā)送與數(shù)據(jù)傳輸均以此時鐘為基準,實現(xiàn)指令或數(shù)據(jù)的同步操作;

動態(tài)(Dynamic): SDRAM 需要不斷的刷新來保證存儲陣列內(nèi)數(shù)據(jù)不丟失;

隨機(Random):數(shù)據(jù)在 SDRAM 中并不是按照線性依次存儲,而是可以自由指定地址進行數(shù)據(jù)的讀寫。

同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存(synchronous dynamic random-access memory,簡稱SDRAM)是有一個同步接口的動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)。通常DRAM是有一個異步接口的,這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入的變化。而SDRAM有一個同步接口,在響應(yīng)控制輸入前會等待一個時鐘信號,這樣就能和計算機的系統(tǒng)總線同步。時鐘被用來驅(qū)動一個有限狀態(tài)機,對進入的指令進行管線(Pipeline)操作。這使得SDRAM與沒有同步接口的異步DRAM(asynchronous DRAM)相比,可以有一個更復(fù)雜的操作模式。管線意味著芯片可以在處理完之前的指令前,接受一個新的指令。

在一個寫入的管線中,寫入命令在另一個指令執(zhí)行完之后可以立刻執(zhí)行,而不需要等待數(shù)據(jù)寫入存儲隊列的時間。在一個讀取的流水線中,需要的數(shù)據(jù)在讀取指令發(fā)出之后固定數(shù)量的時鐘頻率后到達,而這個等待的過程可以發(fā)出其它附加指令。這種延遲被稱為等待時間(Latency),在為計算機購買內(nèi)存時是一個很重要的參數(shù)。SDRAM在計算機中被廣泛使用,從起初的SDRAM到之后一代的DDR(或稱DDR1),然后是DDR2和DDR3進入大眾市場,2015年開始DDR4進入消費市場。SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代,分別是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,第五代,DDR4 SDRAM。

第一代SDRAM采用單端(Single-Ended)時鐘信號,第二代、第三代與第四代由于工作頻率比較快,所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率,第一代內(nèi)存用時鐘頻率命名,如pc100,pc133則表明時鐘信號為100或133MHz,數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標準,并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作頻率是333/2=166MHz,2700表示帶寬為2.7G。DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400,DDR2從DDR2-400到DDR2-800,DDR3從DDR3-800到DDR3-1600。很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM,并且作為名詞解釋,皆屬誤導(dǎo)。SDR不等于SDRAM。

Pin:模組或芯片與外部電路連接用的金屬引腳,而模組的pin就是常說的“金手指”。SIMM:Single In-line Memory Module,單列內(nèi)存模組。內(nèi)存模組就是我們常說的內(nèi)存條,所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳(雖然兩側(cè)都有金手指)。DIMM:Double In-line Memory Module,雙列內(nèi)存模組。是我們常見的模組類型,所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳,模組電路板兩側(cè)的金手指對應(yīng)一列引腳。RIMM:registered DIMM,帶寄存器的雙線內(nèi)存模塊,這種內(nèi)存槽只能插DDR或Rambus內(nèi)存。

SDRAM 全程是 Synchronous Dynamic Random Access Memory,即同步動態(tài)隨機存儲器,同步指內(nèi)存工作需要同步時鐘,動態(tài)指需要不停地刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失,隨機指數(shù)據(jù)讀寫可以制定地址進行操作。SDRAM 存儲數(shù)據(jù)是利用了電容能夠保持電荷以及其充放電的特性。SDRAM具有空間存儲量大、讀寫速度快、價格相對便宜等優(yōu)點。然而由于 SDRAM 內(nèi)部利用電容來存儲數(shù)據(jù),為保證數(shù)據(jù)不丟失,需要持續(xù)對各存儲電容進行刷新操作;同時在讀寫過程中需要考慮行列管理、各種操作延時等,由此導(dǎo)致了其控制邏輯復(fù)雜的特點。

1、SDRAM內(nèi)存計算

SDRAM 的內(nèi)部是一個存儲陣列,就像一張表格,我們在向這個表格中寫入數(shù)據(jù)的時候,需要先指定一個行(Row),再指定一個列(Column),就可以準確地找到所需要的“單元格”,這就是 SDRAM 尋址的基本原理。圖中的“單元格”就是 SDRAM 存儲芯片中的存儲單元,而這個“表格”(存儲陣列)我們稱之為 L-Bank。

通常 SDRAM 的存儲空間被劃分為 4 個 L-Bank,在尋址時需要先指定其中一個 L-Bank,然后在這個選定的 L-Bank 中選擇相應(yīng)的行與列進行尋址(尋址就是指定存儲單元地址的過程)。對 SDRAM 的讀寫是針對存儲單元進行的,對 SDRAM 來說一個存儲單元的容量等于數(shù)據(jù)總線的位寬,單位是 bit。那么 SDRAM 芯片的總存儲容量我們就可以通過下面的公式計算出來:SDRAM總存儲容量 = 行數(shù) × 列數(shù) × L-Bank的數(shù)量 × 存儲單元的容量

本次設(shè)計采用的 SDRAM 芯片為 Winbond W9812G6KH - 6,查詢數(shù)據(jù)手冊發(fā)現(xiàn)其容量為:2M × 4 banks × 16 bits = 128 Mbit,其中 2M 為“行數(shù)×列數(shù)”,4為 L-Bank 數(shù)量,16 為單個存儲單元的容量,即數(shù)據(jù)位寬。因此每個 Bank 能存儲 32 Mbit(33554432 bit)的數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)組成 4096行 x 512列,每個存儲單元存儲 16bit 的數(shù)據(jù)。

2、SDRAM存取原理

SDRAM存儲數(shù)據(jù)是利用了電容的充放電特性以及能夠保持電荷的能力。一個 1bit 的存儲單元的結(jié)構(gòu)如下圖所示,它主要由行列選通三極管,存儲電容,刷新放大器組成。行地址與列地址選通使得存儲電容與數(shù)據(jù)線導(dǎo)通,從而可進行放電(讀取)與充電(寫入)操作。

SDRAM 存儲數(shù)據(jù)是利用了電容能夠保持電荷以及其充放電的特性。對于這 1 bit 的的數(shù)據(jù),首先需要打開行地址線,然后打開列地址線,選中存儲單元。接著打開行選通三極管,再打開列選通三極管,對存儲電容進行放電,電容的電平狀態(tài)就能呈現(xiàn)在位線上,即實現(xiàn)了數(shù)據(jù)讀取。當位線的的電平值送到存儲電容上,對存儲電容進行充電,就實現(xiàn)了數(shù)據(jù)寫入。刷新放大器的作用是將電容放大,便于傳輸。

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存取存儲器)是一種儲存外界訊號和數(shù)據(jù)的設(shè)備,主要用來存取具有實時要求的程序。能夠根據(jù)外界訊號實時以某種以固定時間間隔規(guī)律向外供應(yīng)數(shù)據(jù)。它是指不包括DRAM(一種半導(dǎo)體元件)在內(nèi)的存儲器,可以給處理器(CPU)同步提供內(nèi)存數(shù)據(jù)。

SDRAM不同于DRAM,是一種芯片結(jié)構(gòu),可以與處理器(CPU)同步工作,即同步外部時鐘。它也與SDRAM有著極大的區(qū)別:如果要使DRAM的內(nèi)容保持有效,那么必須要不斷地更新存儲空間中的數(shù)據(jù)。但是SDRAM是有刷新時鐘,因此可以保持數(shù)據(jù)的準確性而不需要每隔一定的時間對數(shù)據(jù)進行刷新。

另外,SDRAM具有以下優(yōu)點:

1. SDRAM是一種高速存儲技術(shù),它可以提升計算機的性能和運行速度,大大提高計算機處理器(CPU)更多任務(wù)的能力。

2. SDRAM方案的容量可以擴大幾十倍,并可超出DRAM容量的上限。

3. SDRAM的讀取速度也是比較快的。

4. SDRAM的能量效率很高,可以長時間的保持數(shù)據(jù)的有效性,不需要每次頻繁的讀取數(shù)據(jù)。

5. SDRAM省電,可以更好的完成復(fù)雜操作,而且不會消耗太多的電力。

綜上所述,SDRAM是一種具有高速、高容量、高效率、節(jié)能等特點的動態(tài)存儲器。它既能提高計算機的速度,還能減少計算機本身的功率消耗。

聲明:該篇文章為本站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)不予轉(zhuǎn)載,侵權(quán)必究。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫毥谦F公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關(guān)鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

加利福尼亞州圣克拉拉縣2024年8月30日 /美通社/ -- 數(shù)字化轉(zhuǎn)型技術(shù)解決方案公司Trianz今天宣布,該公司與Amazon Web Services (AWS)簽訂了...

關(guān)鍵字: AWS AN BSP 數(shù)字化

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運行,同時企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險,如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對日本游戲市場的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會開幕式在貴陽舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機 衛(wèi)星通信

要點: 有效應(yīng)對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競爭力 堅持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強核心競爭優(yōu)勢...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運營商 數(shù)字經(jīng)濟

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺與中國電影電視技術(shù)學(xué)會聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會上宣布正式成立。 活動現(xiàn)場 NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會上,軟通動力信息技術(shù)(集團)股份有限公司(以下簡稱"軟通動力")與長三角投資(上海)有限...

關(guān)鍵字: BSP 信息技術(shù)
關(guān)閉