三星在DRAM芯片產(chǎn)能方面有哪些消息傳出？

三星在去年12月發(fā)布了全球首款傳輸速率高達(dá)7.2Gbps的12nm級(jí)DDR5 DRAM內(nèi)存芯片，今天，三星正式宣布已大規(guī)模量產(chǎn)12nmDDR5DRAM芯片。

根據(jù)三星官方的說(shuō)法，該12nm DDR5 DRAM芯片采用了新的高介電(high-k)材料，以增加電池電容，并進(jìn)一步改善關(guān)鍵電路特性專(zhuān)利設(shè)計(jì)技術(shù)達(dá)成。結(jié)合先進(jìn)的多層極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)，新型 DRAM 具有業(yè)界最高的芯片密度，可將晶圓生產(chǎn)率提高 20%(即同樣的一片晶圓，由于單個(gè)芯片尺寸縮小，因此可以多生產(chǎn)20%的芯片)。同時(shí)，該DRAM芯片傳輸速率高達(dá)7.2Gbps，并且能耗相比上一代的DRAM還要低23%。

三星表示，其12nm DDR5 DRAM憑借卓越的性能和能效，能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的基礎(chǔ)。

三星電子最新推出的DRAM將以更高的能效和生產(chǎn)率，優(yōu)化人工智能應(yīng)用在內(nèi)的下一代計(jì)算

深圳2023年5月18日/美通社/ -- 今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)。

"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場(chǎng)對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代解決方案，助力實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)力。"

與上一代產(chǎn)品相比，三星最新的12納米級(jí)DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圓生產(chǎn)率提高了20%。出色的能效表現(xiàn)，使它能夠成為全球IT企業(yè)的服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心節(jié)能減排的優(yōu)秀解決方案。

三星12納米級(jí)工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)基于一種新型高κ材料，這種新型材料有助于提高電池電容。高電容使數(shù)據(jù)信號(hào)出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準(zhǔn)確地區(qū)分。同時(shí)，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。

星電子再次展示了在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，宣布正式啟動(dòng)了12納米工藝的16Gb DDR5 DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)。這款新一代內(nèi)存芯片采用差異化的工藝技術(shù)，具備出色的性能和電源效率。據(jù)三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee介紹，通過(guò)使用一種新的高K材料，12納米級(jí)DDR5 DRAM的開(kāi)發(fā)取得了重大突破。新工藝使得晶體管柵極材料具備更高的電容，提高了狀態(tài)準(zhǔn)確區(qū)分的能力。此外，三星還通過(guò)降低工作電壓和減少噪音的努力，為內(nèi)存芯片提供了優(yōu)化的解決方案。

據(jù)ITBEAR科技資訊了解，這次12納米級(jí)DDR5 DRAM的首次使用將主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計(jì)算等領(lǐng)域，而PC用戶則需要等待更長(zhǎng)的時(shí)間。然而，這次生產(chǎn)的16Gb DDR5 DRAM具有諸多優(yōu)勢(shì)，包括降低了約23%的功耗和提高了20%的晶圓生產(chǎn)力。此外，新一代內(nèi)存芯片的最大引腳速度可達(dá)7.2Gbps，進(jìn)一步提升了性能。

此次12納米工藝的推出標(biāo)志著三星電子在內(nèi)存領(lǐng)域的技術(shù)突破，不過(guò)值得注意的是，雖然這些內(nèi)存IC在功耗、速度和晶圓經(jīng)濟(jì)等方面有所改進(jìn)，但其容量仍然是16Gb，并沒(méi)有在密度路線圖上取得更大的突破。然而，隨著12納米級(jí)DDR5 DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)，三星電子進(jìn)一步鞏固了在DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，為數(shù)據(jù)中心和人工智能等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了更高性能和更低功耗的解決方案。

據(jù)韓國(guó)“每日經(jīng)濟(jì)新聞”英文版網(wǎng)站Pulse News引述業(yè)界知情人士指出，全球存儲(chǔ)芯片龍頭韓國(guó)三星電子計(jì)劃改變先前“堅(jiān)決不減產(chǎn)”的態(tài)度，考慮開(kāi)始著手減產(chǎn)，業(yè)界高聲歡呼，直言這是“拯救DRAM與NAND Flash市場(chǎng)的最關(guān)鍵行動(dòng)”。

報(bào)道稱(chēng)，由于三星在全球DRAM與NAND Flash芯片市占率均高達(dá)45%以上，若三星能進(jìn)行減產(chǎn)，不僅有利全球存儲(chǔ)市場(chǎng)快速回溫，也能讓自身獲利逐步回升，堪稱(chēng)一舉多得，尤其時(shí)值整體半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整尚未結(jié)束，三星有龐大的獲利壓力，更需要存儲(chǔ)業(yè)務(wù)協(xié)助，因此減產(chǎn)勢(shì)在必行。

在此之前，美光在公布2023年3月2日的2023財(cái)年第二財(cái)季業(yè)績(jī)后表示，終端市場(chǎng)的客戶庫(kù)存已經(jīng)減少;排除庫(kù)存減少的影響不計(jì)，美光認(rèn)為資產(chǎn)負(fù)債表庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)(DIO)已于2023會(huì)計(jì)年度第二季觸頂、正接近過(guò)渡至營(yíng)收季增階段。美光還預(yù)計(jì)公司的數(shù)據(jù)中心營(yíng)收已在2023會(huì)計(jì)年度第二季觸底、第三季將開(kāi)始恢復(fù)成長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心客戶庫(kù)存應(yīng)該會(huì)在2023年12月底達(dá)到相對(duì)健康水準(zhǔn)。

隨后SK海力士也表示，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求將在2023年下半年復(fù)蘇，雖然并不會(huì)減產(chǎn)，但是公司的資本支出將削減一半，也就是說(shuō)今年的產(chǎn)能投資將會(huì)更加保守。

顯然，如果此時(shí)存儲(chǔ)大廠三星啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片減產(chǎn)，那么將有望可加速存儲(chǔ)市場(chǎng)市況回暖。

不過(guò)，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce日前發(fā)布報(bào)告示警稱(chēng)，即便第2季DRAM報(bào)價(jià)跌幅可望收窄至10%至15%，但整體均價(jià)下行周期仍不見(jiàn)終止，意味“價(jià)格還沒(méi)跌完”。TrendForce認(rèn)為，除相關(guān)廠商發(fā)動(dòng)更大規(guī)模減產(chǎn)，后續(xù)合約價(jià)才有可能反轉(zhuǎn)向上。

三星計(jì)劃于4月7日公布本季財(cái)報(bào)，并舉行財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)。市場(chǎng)密切關(guān)注該公司是否會(huì)維持之前堅(jiān)持不人為減產(chǎn)的政策。市場(chǎng)預(yù)測(cè)，三星的半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)今年?duì)I業(yè)損失可能超過(guò)10萬(wàn)億韓元。此前，三星堅(jiān)持沒(méi)有人為減產(chǎn)的計(jì)畫(huà)，不會(huì)直接縮減投入的晶圓，而是尋求芯片產(chǎn)量自然減少。