絕緣柵雙極晶體管工作原理是什么？它的結(jié)構(gòu)特點是什么？

絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET)的結(jié)合體，具備了兩者的優(yōu)點，同時還有自身獨特的特性。本文將詳細(xì)介紹絕緣柵雙極晶體管的工作原理以及它的結(jié)構(gòu)特點。

一、絕緣柵雙極晶體管的工作原理

絕緣柵雙極晶體管是一種由三個控制端構(gòu)成的器件，包括一個集電極(Collector)，一個發(fā)射極(Emitter)和一個絕緣柵極(Gate)。它的工作原理可以分為三個階段來理解：關(guān)斷狀態(tài)、導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷過程。

1.關(guān)斷狀態(tài)：

在絕緣柵雙極晶體管的關(guān)斷狀態(tài)下，絕緣柵極上的電壓為零，此時晶體管不導(dǎo)通電流。在這個狀態(tài)下，通過調(diào)節(jié)絕緣柵電壓(VGE)可以控制絕緣柵和絕緣柵區(qū)域的載流子注入。當(dāng)VGE為零時，絕緣柵區(qū)域被隔離，電流無法流動，因此晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)。

2.導(dǎo)通狀態(tài)：

當(dāng)給絕緣柵極施加一個合適的電壓時，絕緣柵雙極晶體管進入導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)絕緣柵極上的電壓大于閾值電壓時，絕緣柵形成電場。這個電場會導(dǎo)致PN結(jié)附近的N+型區(qū)域中的電子向P型區(qū)域注入，從而激活了PNP型雙極晶體管的發(fā)射區(qū)。在這個過程中，P型區(qū)域的電子會與注入進來的電子相遇，并流入集電極，形成電流。

3.關(guān)斷過程：

當(dāng)絕緣柵極的電壓再次降低，下降到一個特定的閾值以下時，絕緣柵雙極晶體管將自動進入關(guān)斷過程。在關(guān)斷過程中，原先激活的PNP型雙極晶體管會逐漸停止導(dǎo)通，電流停止流動。

綜上所述，絕緣柵雙極晶體管的工作原理是通過控制絕緣柵極的電壓，來控制晶體管的關(guān)斷和導(dǎo)通狀態(tài)。這種原理使得絕緣柵雙極晶體管具有很好的電流控制能力和可靠性。

二、絕緣柵雙極晶體管的結(jié)構(gòu)特點

絕緣柵雙極晶體管的特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計使其具有許多獨特的特點，包括以下幾個方面：

4.PNP-NPN結(jié)構(gòu)：絕緣柵雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由P型區(qū)(底座)和N型區(qū)(發(fā)射區(qū))組成，形成了PNP型和NPN型的雙極晶體管結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)既具備了比較高的開關(guān)速度，又能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載。

5.隔離絕緣柵：絕緣柵雙極晶體管的關(guān)鍵特點是在絕緣柵區(qū)域上覆蓋了一個絕緣柵氧化層。這一層氧化物可以隔離控制極和導(dǎo)電層，阻止電流的注入。絕緣柵的存在使得絕緣柵雙極晶體管具有更大的輸入電阻和更好的電流控制特性。

6.MOS結(jié)構(gòu)：絕緣柵雙極晶體管的絕緣柵極采用MOS結(jié)構(gòu)(Metal-Oxide-Semiconductor)設(shè)計。這種結(jié)構(gòu)不僅可以提供高電流驅(qū)動能力，還具有較低的輸入電容和精確的控制特性。通過調(diào)節(jié)絕緣柵極的電壓，可以實現(xiàn)對晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)的控制。

7.大面積PN結(jié)附近的薄壘層技術(shù)：絕緣柵雙極晶體管中，為了實現(xiàn)低特征電流、低電壓失真和高開關(guān)速度，采用了大面積PN結(jié)附近的薄壘層技術(shù)。這種技術(shù)有助于提高電流傳輸效率，降低開關(guān)損耗，改善動態(tài)特性。

8.熱穩(wěn)定性：絕緣柵雙極晶體管的結(jié)構(gòu)具有良好的熱穩(wěn)定性。電流的控制主要通過絕緣柵極的電壓控制，而不是溫度。這使得絕緣柵雙極晶體管在高溫環(huán)境下的工作非常可靠。

三、絕緣柵雙極晶體管的層關(guān)系：

1. 溝道層：IGBT具有一個N型溝道層，它負(fù)責(zé)電流的輸送。溝道層被絕緣柵氧化物隔離，避免了與控制電壓之間的相互影響。

2. 阻擋層：IGBT具有一個P型阻擋層，它在導(dǎo)通過程中提供支持。阻擋層主要用于控制雙極晶體管的關(guān)斷過程。

3. 漏源區(qū)：IGBT的漏源區(qū)包含N型和P型材料，負(fù)責(zé)電流的輸入和輸出。

4. 絕緣柵：IGBT的絕緣柵位于溝道層上方，通過施加控制電壓來形成或消除電子溝道。絕緣柵通常由氧化硅制成，具有較高的絕緣性能。

綜上所述，絕緣柵雙極晶體管的工作原理是通過控制絕緣柵極的電壓來實現(xiàn)關(guān)斷和導(dǎo)通狀態(tài)的控制。它的結(jié)構(gòu)特點包括PNP-NPN結(jié)構(gòu)、隔離絕緣柵、MOS結(jié)構(gòu)、大面積PN結(jié)附近的薄壘層技術(shù)以及熱穩(wěn)定性。這些特點使得絕緣柵雙極晶體管成為一種重要的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。