三星發(fā)布采用12納米級工藝的32Gb DDR5 DRAM

（全球TMT2023年9月1日訊）2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就。 在最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，三星可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案。

最新開發(fā)的32Gb DDR5內(nèi)存顆粒，采用前沿的工藝技術(shù)，提高了集成密度并優(yōu)化了封裝設(shè)計，與DDR5 16Gb顆粒相比，在相同封裝尺寸情況下，三星單片DRAM內(nèi)存顆粒容量翻倍。通過使用最新開發(fā)的32Gb內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔(TSV)工藝也能夠生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組。與使用16Gb內(nèi)存封裝的128GB內(nèi)存模組相比，其功耗降低了約10%。全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產(chǎn)。