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[導(dǎo)讀]在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組 此次新品為實(shí)現(xiàn)高達(dá)1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎(chǔ) 隨著12納米級內(nèi)存產(chǎn)品陣容的擴(kuò)展,三星將持續(xù)為AI,下一代計算等多行業(yè)的各種應(yīng)用提供支持 深圳2023年...

在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組

此次新品為實(shí)現(xiàn)高達(dá)1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎(chǔ)

隨著12納米級內(nèi)存產(chǎn)品陣容的擴(kuò)展,三星將持續(xù)為AI,下一代計算等多行業(yè)的各種應(yīng)用提供支持

深圳2023年9月1日 /美通社/ -- 2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就,這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位,并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 

三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(1)


三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(1)

"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上,我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案,這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時代對于大容量DRAM內(nèi)存日益增長的需求?!比请娮哟鎯ζ魇聵I(yè)部內(nèi)存開發(fā)組執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang表示,“我們將通過差異化的工藝與設(shè)計技術(shù),繼續(xù)研發(fā)內(nèi)存解決方案,以突破內(nèi)存技術(shù)的瓶頸。"

三星自1983年開發(fā)出首款64千比特(Kb)的內(nèi)存以來,在過去的40年間將內(nèi)存容量提高了50萬倍。最新開發(fā)的32Gb DDR5內(nèi)存顆粒,采用前沿的工藝技術(shù),提高了集成密度并優(yōu)化了封裝設(shè)計,與DDR5 16Gb顆粒相比,在相同封裝尺寸情況下,三星單片DRAM內(nèi)存顆粒容量翻倍。

尤其是,過去使用16Gb內(nèi)存顆粒制造的DDR5 128GB內(nèi)存模組需要采用硅通孔(TSV)工藝。而現(xiàn)在,通過使用最新開發(fā)的32Gb內(nèi)存顆粒,即使不使用硅通孔(TSV)工藝也能夠生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組。與使用16Gb內(nèi)存封裝的128GB內(nèi)存模組相比,其功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。

三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(2)


三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(2)

以12納米級32Gb DDR5 DRAM為基礎(chǔ),三星計劃繼續(xù)擴(kuò)充大容量內(nèi)存產(chǎn)品陣容,以滿足高性能計算和IT行業(yè)持續(xù)增長的需求。通過向數(shù)據(jù)中心,以及采用人工智能和下一代計算等應(yīng)用的客戶提供12納米級的32Gb內(nèi)存,三星希望鞏固其在下一代內(nèi)存市場的前沿地位。未來,該產(chǎn)品還將在三星與其他核心行業(yè)伙伴的長期合作中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產(chǎn)。

關(guān)于三星

三星以不斷創(chuàng)新的思想與技術(shù)激勵世界、塑造未來。重新定義電視、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、數(shù)碼電器、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、存儲、系統(tǒng)集成電路、半導(dǎo)體代工制造及LED解決方案。

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欲了解更多三星DRAM產(chǎn)品的相關(guān)信息,請訪問三星半導(dǎo)體網(wǎng)站(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。

 

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