Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件， 助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表著下一代電源系統(tǒng)未來的，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN?FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個采用JEDEC標(biāo)準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。針對不適合使用傳統(tǒng)底部散熱型表貼器件的系統(tǒng)，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT 封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢。

TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 強大的高性能 650 V 常閉型 d-mode 氮化鎵平臺，該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復(fù)電荷和動態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、碳化硅和其他氮化鎵產(chǎn)品。SuperGaN 平臺的優(yōu)勢與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結(jié)合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統(tǒng)成本更低的電源系統(tǒng)客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

Transphorm正在與全球多個高功率GaN合作伙伴展開合作，包括服務(wù)器和存儲電源領(lǐng)域的領(lǐng)先客戶，能源/微逆變器領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，創(chuàng)新型離網(wǎng)電源解決方案制造商，以及衛(wèi)星通信領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。

Transphorm 業(yè)務(wù)發(fā)展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“TOLL 和 TOLT 這樣的表面貼裝器件具有降低內(nèi)部電感，以及在制造過程中更簡單的板載安裝等諸多優(yōu)勢。TOLT 通過采用頂部散熱來提供更靈活的整體熱管理，具有類似插孔式的散熱性能。這些器件通常用于中高功率系統(tǒng)應(yīng)用，關(guān)鍵細分市場包括高性能計算（服務(wù)器、電信、人工智能電源）、可再生能源和工業(yè)、以及電動汽車等。目前，其中一些市場應(yīng)用已采用了Transphorm的氮化鎵技術(shù)。我們非常高興能夠通過TOLT SuperGaN 解決方案幫助客戶實現(xiàn)額外的系統(tǒng)級優(yōu)勢。”

繼最近推出三款新型TOLL FET后，Transphorm發(fā)布該款TOLT FET新產(chǎn)品，進一步豐富了 Transphorm 的產(chǎn)品線，并彰顯了Transphorm SuperGaN 平臺采用不同封裝形式器件“鎵”馭全功率以支持客戶應(yīng)用的市場承諾。

器件規(guī)格

?SuperGaN 器件憑藉其無與倫比的性能優(yōu)勢引領(lǐng)市場：

?可靠性：FIT失效率低于0.05

?柵極安全裕度：± 20 V

?抗擾性：4 V

?電阻溫度系數(shù)（TCR）比 e-mode 常閉型氮化鎵器件低 20%

?驅(qū)動靈活性（可采用標(biāo)準的市售硅器件驅(qū)動器）

該650 V SuperGaN TOLT 封裝器件穩(wěn)健可靠，已通過 JEDEC 標(biāo)準認證。由于常閉型 d-mode 平臺是將GaN HEMT與一個集成型低電壓硅 MOSFET結(jié)合，因此，SuperGaN FET 可以使用常用的市售柵極驅(qū)動器驅(qū)動，應(yīng)用于各種硬開關(guān)和軟開關(guān) AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，并減少系統(tǒng)尺寸、重量和成本。