晶發(fā)電子晶振廠家的產品涵蓋了從低頻到高頻的各種石英晶體諧振器、晶體振蕩器，包括HC-49/S、HC-S/SMD、HC-46SSMD、SMD諧振器、SMD振蕩器及圓柱26、38系列等，能滿足不同領域和不同應用場景的需求。
晶發(fā)電子晶振廠家
一、頻率
晶振的頻率是指晶體振蕩器的固有頻率。晶振的頻率通常以MHz為單位，常見頻率有4MHz、8MHz、16MHz等等。頻率是晶振的基本參數，也是影響到振蕩器整個性能的重要參數。
二、穩(wěn)定度
晶振的穩(wěn)定度是指在規(guī)定的溫度范圍內，晶振的頻率穩(wěn)定度。穩(wěn)定度可以用ppm(百萬分之一)和ppb(十億分之一)來計量。常見的晶振穩(wěn)定度在10ppm-100ppm之間。穩(wěn)定度好的晶振在溫度變化時頻率變化小，系統(tǒng)也更穩(wěn)定。
三、精度
晶振的精度是指在實際工作條件下，晶振輸出的頻率與設定頻率之間的差值。精度的計量單位也是ppm或ppb。精度高的晶振，輸出的頻率和設定頻率之間的偏差更小。
四、載波
晶振的載波是指晶振輸出的頻率所對應的電磁波。載波頻率是決定通訊帶寬的重要因素。例如在無線電通訊中，需要用到載波頻率進行數據傳輸。
五、振幅
晶振的振幅是指輸出波形的振幅值。振幅通常被稱為輸出信號的電平，用來表示晶振輸出信號的強度大小。正確選擇晶振的振幅可以有效提高系統(tǒng)抗干擾能力和信號傳輸距離。
總之，正確地選擇晶振的主要參數，在系統(tǒng)設計和工作過程中起著至關重要的作用，這也是保證系統(tǒng)穩(wěn)定性和信號準確性的關鍵。希望本文對晶振主要參數的理解有所幫助。
一、概述
晶振是有源晶振的簡稱，又叫振蕩器。英文名稱是oscillator。
晶體則是無源晶振的簡稱，也叫諧振器。英文名稱是crystal，電路上簡稱為XTAL。
無源晶振(晶體)：需要借助時鐘電路才能產生振蕩信號。
有源晶振(晶振)：內部有時鐘電路，只需供電便可產生振蕩信號。
有源晶振內部是包含了一個無源晶振，然后再將阻容、放大等電路也包含進去。
晶體單元的特性取決于切割工藝，不同的切割方式決定了晶振的性能或參數，主要有三種：
音叉型(Turning Fork)：頻率主要是KHz級，比如32.768KHz;
AT-Cut型：頻率主要是MHz，比如12MHz、26MHz、125MHz;
SAW型：頻率為百MHz、甚至GHz。
石英晶振結構圖：
晶體振蕩原理是壓電效應：
二、參數
標稱頻率(Normal Frequency) F0：電路設計上所需的實際頻率。
振動模式(Mode of Oscillation)：按照切割工藝來劃分的。
負載電容(Load Capacitance)CL：在電路中跨接晶振兩端總的外界有效電容;要等于或接近晶振數據手冊給出的數值才能使晶振按照預期工作;比較通常使用的24MHz晶振負載電容是20pF;
靜態(tài)電容C0：以石英晶片為介電材料和兩個電極之間的電容;很多晶振規(guī)格里是<3pF的;
等效電阻：晶體上的等效ESR。
調整頻偏(Frequency Tolerance)：在確定的負載電容下，振蕩頻率的偏差。
頻偏：常溫頻偏+溫度頻偏<芯片要求頻偏。
溫度頻偏(Temperature Tolerance)：高溫時所帶來的頻率偏差。通常有溫度要求的，要選用10ppm。
激勵功率：振蕩需要的功率。主控端的輸出激勵功率不能太大，正常會串電阻，防止給到晶體的激勵功率偏大，造成晶體的損壞。
老化率：隨著使用時間，頻偏會加大。
三、設計電路
Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器，反相器是不能驅動晶體震蕩的。因此，在反相器的兩端并聯(lián)一個電阻，由電阻完成將輸出的信號反向180度反饋到輸入端形成負反饋，構成負反饋放大電路。
Rf：反饋電阻(主控端內置或外接);
Rd：限流電阻(預防晶振過驅，限制振蕩幅度);
Cg和Cd：負載電容;
電路中負載電容計算法：
CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+CPAR
Cg、Cd：負載電容;
CPAR：電路布線雜散電容及引腳寄生電容(2pF---9pF)。
輸出頻率F與寄生電容是反比的：
當電路中心頻率偏大時，說明負載電容CL偏小，增加Cg、Cd容值。
當電路中心頻率偏小時，說明負載電容CL偏大，減小Cg、Cd容值。
四、負阻
4.1 負電阻
英文：Negative Resistance
英文簡稱：– R
單位符號：Ω
負電阻不是晶振的內置參數， 但卻是振蕩線路設計時，很重要的性能指標。
是電路放大器(AMP)注入能量的大小用電阻來表示(是提供功率的器件，相當于激勵源)。
是保證振蕩器穩(wěn)定振蕩并具有一定余量的重要指標。
是用阻抗表示的振蕩電路信號放大能力。
4.2 等效電路
在石英晶體振蕩狀態(tài)下，從石英振蕩體的兩端看振蕩回路時，能以等值輸入電容Ci和等值輸入電阻-Ri的串聯(lián)回路來表示，而石英晶體本身則成為等值的有效電感LL和有效電阻RR的串聯(lián)回路。
晶振是一種能夠穩(wěn)定產生高精度時鐘信號的振蕩器，它是電子設備中常見的重要組成部分。晶振的性能直接影響到系統(tǒng)的時鐘信號精度和可靠性，因此在選擇晶振時需要關注其主要參數，本文將對晶振的主要參數進行詳細介紹。
頻率
頻率是晶振最基本的參數，它決定了晶振輸出的時鐘信號的頻率。晶振的頻率一般在幾kHz到幾十MHz之間，不同應用需要的頻率不同。因此，在選擇晶振時需要確保其輸出頻率能夠滿足系統(tǒng)的時鐘要求。
頻率穩(wěn)定度
頻率穩(wěn)定度指晶振在一定時間范圍內輸出頻率的變化范圍，是衡量晶振精度的重要參數。晶振的頻率穩(wěn)定度通常用ppm(百萬分之幾)或者ppb(十億分之幾)來表示，一般情況下，頻率穩(wěn)定度越高，晶振輸出的時鐘信號精度越高，成本也越高。在選擇晶振時需要根據具體應用要求選擇頻率穩(wěn)定度合適的晶振。
溫度穩(wěn)定度
溫度穩(wěn)定度指晶振在溫度變化時輸出頻率的變化范圍，是影響晶振穩(wěn)定性的重要因素。一般情況下，晶振的溫度穩(wěn)定度越高，晶振的性能越好，但成本也越高。在選擇晶振時，需要考慮系統(tǒng)的工作溫度范圍，選擇具有合適溫度穩(wěn)定度的晶振。
負載能力
負載能力指晶振能夠驅動的最大負載電容，是決定晶振性能和可靠性的重要參數。晶振的負載能力一般在幾pF到幾十pF之間，不同應用需要的負載能力不同。在選擇晶振時，需要根據系統(tǒng)的電路特性和負載電容需求選擇合適的晶振。
工作溫度范圍
晶振的工作溫度范圍是指晶振能夠正常工作的溫度范圍。一般情況下，晶振的工作溫度范圍越寬，晶振的應用范圍就越廣泛。在選擇晶振時，需要 考慮系統(tǒng)的工作環(huán)境和工作溫度范圍，選擇具有合適工作溫度范圍的晶振。
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