Qorvo? 推出D2PAK封裝SiC FET，提升750V電動汽車設(shè)計性能
2024年1月30日，中國北京——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型D2PAK-7L封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS(on)。此款750V SiC FET作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá)60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應(yīng)用。
UJ4SC075009B7S在25°C時的典型導(dǎo)通電阻值為9mΩ，可在高壓、多千瓦車載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實現(xiàn)自動化裝配流程，降低客戶的制造成本。全新的750V系列產(chǎn)品是對Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車用SiC FET的補(bǔ)充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿足400V和800V電池架構(gòu)電動汽車的應(yīng)用需求。
Qorvo電源產(chǎn)品線市場總監(jiān)Ramanan Natarajan表示：“這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動汽車動力總成設(shè)計人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾，以助力其應(yīng)對獨特的車輛動力挑戰(zhàn)?！?/span>
這些第四代采用Qorvo獨特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置，將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢和硅基MOSFET簡單柵極驅(qū)動的器件。SiC FET的效率取決于傳導(dǎo)損耗；得益于業(yè)界卓越的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo的共源共柵結(jié)構(gòu)/JFET方式帶來了更低的傳導(dǎo)損耗。
UJ4SC075009B7S的主要特性包括：
● 閾值電壓VG(th)：4.5V（典型值），允許0至15V驅(qū)動電壓
● 較低的體二極管VFSD：1.1V
● 最高工作溫度：175°C
● 出色的反向恢復(fù)能力：Qrr＝338nC
● 低柵極電荷：QG＝75nC
● 通過汽車電子委員會AEC-Q101認(rèn)證
有關(guān)Qorvo先進(jìn)功率應(yīng)用SiC解決方案的更多信息，請訪問：cn.qorvo.com/go/gen4。
關(guān)于Qorvo
Qorvo（納斯達(dá)克代碼：QRVO）提供各種創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案，致力于讓我們的世界更美好。我們結(jié)合產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢、以系統(tǒng)級專業(yè)知識和全球性的制造規(guī)模，快速解決客戶最復(fù)雜的技術(shù)難題。Qorvo面向全球多個快速增長的細(xì)分市場提供解決方案，包括消費電子、智能家居/物聯(lián)網(wǎng)、汽車、電動汽車、電池供電設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療保健和航空航天/國防。訪問www.qorvo.com，了解我們多元化的創(chuàng)新團(tuán)隊如何連接地球萬物，提供無微不至的保護(hù)和源源不斷的動力。
Qorvo是Qorvo, Inc. 在美國和其他國家/地區(qū)的注冊商標(biāo)。
下載文檔
