Vishay推出采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗

2024年2月29日，美國賓夕法尼亞MALVERN、中國上海——日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出五款采用改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊——VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造，為設(shè)計人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE（ON）或低Eoff—降低運輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級導(dǎo)通或開關(guān)損耗。

日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代FRED Pt^®反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局，與34mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝100%兼容，可采用機(jī)械插接方式更換。

這款工業(yè)級器件可用于各種應(yīng)用的電源逆變器，包括鐵路設(shè)備；發(fā)電、配電和儲電系統(tǒng)；焊接設(shè)備；電機(jī)驅(qū)動器和機(jī)器人。為降低TIG焊機(jī)輸出級導(dǎo)通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125C，額定電流下，集電極至發(fā)射極電壓僅為≤1.07V，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應(yīng)用，開關(guān)損耗極低，+125C，額定電流下，Eoff僅為1.0mJ。

模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，集電極至發(fā)射極電壓為650V，集電極連續(xù)電流為100A至200A，結(jié)到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認(rèn)證，可直接安裝散熱片，EMI小，減少了對吸收電路的要求。

器件規(guī)格表：

新型IGBT功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為15周。

關(guān)于VISHAY

Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè)、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.^®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000強(qiáng)企業(yè)”。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站：www.vishay.com。

The DNA of tech^®是Vishay Intertechnology的注冊商標(biāo)。FRED Pt是Vishay Intertechnology的注冊商標(biāo)。