Qorvo?推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

2024年2月29日，中國(guó)北京——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo^®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻RDS_(on)最低為9.4mΩ。全新的高效率SiC模塊非常適合電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應(yīng)用。

Qorvo SiC電源產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監(jiān)Ramanan Natarajan表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式SiC FET，從而簡(jiǎn)化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。我們的共源共柵技術(shù)還支持以更高的開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行，通過(guò)使用更小的外部元件進(jìn)一步縮小解決方案的尺寸。這些模塊的高效率特性可以簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)流程，讓我們的客戶(hù)能夠?qū)Ｗ⒆龊脝我荒K的設(shè)計(jì)、布局、組裝、特性分析和認(rèn)證，無(wú)需應(yīng)對(duì)多個(gè)分立式元件?！?/span>

以9.4mΩ導(dǎo)通電阻的UHB100SC12E1BC3N為代表的這四款SiC模塊均采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低了導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優(yōu)勢(shì)在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中尤為顯著。另外，銀燒結(jié)芯片貼裝將熱阻降至0.23°C/W；與帶“SC”的產(chǎn)品型號(hào)中的疊層芯片結(jié)構(gòu)相結(jié)合，其功率循環(huán)性能比市場(chǎng)同類(lèi)SiC電源模塊高出2倍。得益于以上特性，這些高度集成的SiC電源模塊不僅易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了Qorvo全新的1200V SiC模塊系列：

Qorvo功能強(qiáng)大的設(shè)計(jì)工具套件（例如FET-Jet Calculator和QSPICE? 軟件）有助于產(chǎn)品選擇和性能仿真。如需詳細(xì)了解有關(guān)Qorvo先進(jìn)的工業(yè)應(yīng)用SiC解決方案，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)cn.qorvo.com/go/sic。

Qorvo SiC模塊系列已在美國(guó)加利福尼亞州長(zhǎng)灘會(huì)議中心舉行的國(guó)際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)（APEC）上進(jìn)行了首次亮相。更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)Qorvo APEC 2024頁(yè)面。