Qorvo?推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
2024年2月29日，中國北京——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻RDS(on)最低為9.4mΩ。全新的高效率SiC模塊非常適合電動(dòng)汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。
Qorvo SiC電源產(chǎn)品線市場總監(jiān)Ramanan Natarajan表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式SiC FET，從而簡化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。我們的共源共柵技術(shù)還支持以更高的開關(guān)頻率運(yùn)行，通過使用更小的外部元件進(jìn)一步縮小解決方案的尺寸。這些模塊的高效率特性可以簡化電源設(shè)計(jì)流程，讓我們的客戶能夠?qū)Ｗ⒆龊脝我荒K的設(shè)計(jì)、布局、組裝、特性分析和認(rèn)證，無需應(yīng)對多個(gè)分立式元件?！?/span>
以9.4mΩ導(dǎo)通電阻的UHB100SC12E1BC3N為代表的這四款SiC模塊均采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優(yōu)勢在軟開關(guān)應(yīng)用中尤為顯著。另外，銀燒結(jié)芯片貼裝將熱阻降至0.23°C/W；與帶“SC”的產(chǎn)品型號中的疊層芯片結(jié)構(gòu)相結(jié)合，其功率循環(huán)性能比市場同類SiC電源模塊高出2倍。得益于以上特性，這些高度集成的SiC電源模塊不僅易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。
下表概述了Qorvo全新的1200V SiC模塊系列：
Qorvo功能強(qiáng)大的設(shè)計(jì)工具套件（例如FET-Jet Calculator和QSPICE? 軟件）有助于產(chǎn)品選擇和性能仿真。如需詳細(xì)了解有關(guān)Qorvo先進(jìn)的工業(yè)應(yīng)用SiC解決方案，請?jiān)L問cn.qorvo.com/go/sic。
Qorvo SiC模塊系列已在美國加利福尼亞州長灘會議中心舉行的國際電力電子應(yīng)用展覽會（APEC）上進(jìn)行了首次亮相。更多信息，請?jiān)L問Qorvo APEC 2024頁面。
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