英偉達(dá)H200/B100芯片訂單強(qiáng)勁，臺(tái)積電產(chǎn)能滿載！

業(yè)內(nèi)消息，AI年度大會(huì)英偉達(dá)GTC將于美國(guó)西部時(shí)間3月17日登場(chǎng)，市場(chǎng)預(yù)估H200及B100將提前發(fā)布搶市。據(jù)了解，H200及新一代B100將分別采臺(tái)積電4nm及3nm制程，H200將于第二季上市，傳聞B100采用Chiplet設(shè)計(jì)架構(gòu)、已下單投片。

法人指出，英偉達(dá)訂單強(qiáng)勁，臺(tái)積電3nm、4nm產(chǎn)能幾近滿載，首季運(yùn)營(yíng)淡季不淡。針對(duì)英偉達(dá)新一代芯片訂單占滿臺(tái)積電先進(jìn)制程一事，臺(tái)積電表示，產(chǎn)能制程仍依照上次法說會(huì)所述內(nèi)容，不再做進(jìn)一步說明。

據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)Blackwell系列的B100被市場(chǎng)視為下一代英偉達(dá)GPU利器，除了首先采用臺(tái)積電3nm打造外，更是第一款以Chiplet及CoWoS-L形式封裝的英偉達(dá)產(chǎn)品，解決高耗電量與散熱問題，單卡效率及晶體管密度，預(yù)估將超過AMD首季推出的MI300系列。

服務(wù)器制造商戴爾透露了英偉達(dá)即將推出的人工智能（AI）GPU Blackwell，這些芯片的功耗高達(dá)1000W，比上一代芯片的功耗增加40%，需要戴爾利用其獨(dú)創(chuàng)性工程來冷卻這些GPU。

根據(jù)目前市場(chǎng)消息，英偉達(dá)B200較當(dāng)前H100產(chǎn)品，雖然運(yùn)算性能更為強(qiáng)大，但是功耗也更為驚人，預(yù)計(jì)最高達(dá)到1000W，較H100增加40%以上。英偉達(dá)的H200芯片，因?yàn)椴捎?/span>Hopper架構(gòu)，搭配HBM3e高帶寬內(nèi)存，被視為業(yè)界性能最強(qiáng)大的AI運(yùn)算芯片。

據(jù)預(yù)估，因?yàn)?/span>B100芯片運(yùn)算能力至少是H200的2倍，也就是H100的4倍情況下，B200的運(yùn)算性能將更加強(qiáng)大。臺(tái)積電先進(jìn)制程也持續(xù)滿載，臺(tái)積電2月產(chǎn)能利用率持續(xù)超過9成，人工智能（AI）需求不減。

供應(yīng)鏈表示，AI、高性能計(jì)算（HPC）等應(yīng)用一片晶圓能產(chǎn)出的芯片僅為消費(fèi)產(chǎn)品的四分之一，生產(chǎn)制造難度更高、更復(fù)雜；臺(tái)積電能達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)，對(duì)芯片行業(yè)來說，非常重要。臺(tái)積電目前HPC／AI應(yīng)用平臺(tái)占營(yíng)收比重達(dá)43％，已與智能手機(jī)齊平。

（來源：集微網(wǎng)）