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[導(dǎo)讀]HBM高帶寬存儲芯片被廣泛應(yīng)用于最先進的人工智能(AI)芯片,據(jù)業(yè)界消息,英偉達的質(zhì)量測試對存儲廠商提出挑戰(zhàn),因為相比傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品,HBM的良率明顯較低。

HBM高帶寬存儲芯片被廣泛應(yīng)用于最先進的人工智能(AI)芯片,據(jù)業(yè)界消息,英偉達的質(zhì)量測試對存儲廠商提出挑戰(zhàn),因為相比傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品,HBM的良率明顯較低。

臺積電、三星代工等公司,此前在加工單一硅晶圓時一直面臨將良率維持在最佳水平的挑戰(zhàn),但當前這一問題蔓延到了HBM行業(yè)。消息稱美光、SK海力士等存儲廠商,在英偉達下一代AI GPU的資格測試中將進行競爭,似乎差距不大,而良率將是廠商們的阻礙。

據(jù)悉,HBM制造過程中,多層堆疊的復(fù)雜性導(dǎo)致良率變低,小芯片之間通過硅通孔(TSV)工藝相連,這種復(fù)雜性增加了制造過程中出現(xiàn)缺陷的機會。如果HBM中的一層被證明有缺陷,那么整個堆疊都會被丟棄,因而造成良率難以提升。

消息人市場稱,目前HBM存儲芯片的整體良率在65%左右,其中美光、SK海力士似乎在這場競爭中處于領(lǐng)先地位。據(jù)悉,美光已開始為英偉達當前最新的H200 AI GPU生產(chǎn)HBM3e存儲芯片,因為其已通過Team Green設(shè)定的認證階段。

SK海力士副社長Kim Ki-tae曾在221日的官方消息中指出,雖然外部不穩(wěn)定因素仍然存在,但今年存儲芯片市場有望逐漸回溫,PC、智能手機等應(yīng)用,不僅會提升HBM3e銷量,也能帶動DDR5、LPDDR5T等產(chǎn)品需求增加。這名高管表示,旗下HBM已全部售罄,公司已開始為2025年準備。

(來源:集微網(wǎng))

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