Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能

2024年3月14日，美國賓夕法尼亞MALVERN、中國上海——日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新型80V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET^® Gen IV MOSFET組合在3.3mm x 3.3mm PowerPAIR^® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì)。

日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個(gè)PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。器件為設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級，適用領(lǐng)域包括無線電基站、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、焊接設(shè)備和電動工具。這些應(yīng)用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時(shí)4.5V下邏輯電平導(dǎo)通簡化電路驅(qū)動。

為提高功率密度，該MOSFET在4.5V條件下導(dǎo)通電阻典型值降至18.5m，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低16%。SiZF4800LDT低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為131m*nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關(guān)應(yīng)用的效率。

器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，熱阻比競品MOSFET低54%。SiZF4800LDT導(dǎo)通電阻和熱阻低，連續(xù)漏電流達(dá)36A，比接近的競品器件高38%。MOSFET獨(dú)特的引腳配置有助于簡化PCB布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過100% Rg和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

競品對比表：

SiZF4800LDT現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為26周。

關(guān)于ISHAY

Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè)、計(jì)算、消費(fèi)、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.^®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000強(qiáng)企業(yè)”。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站：www.vishay.com。

The DNA of tech^®是Vishay Intertechnology的商標(biāo)。PowerPAIR和TrenchFET是Siliconix公司的注冊商標(biāo)。