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[導(dǎo)讀]NVMe NANDrive產(chǎn)品支持高耐久性、高性能和先進(jìn)的安全功能

中國(guó),北京和美國(guó),硅谷 - EQS Newswire - 2024年3月26日 - 綠芯正在提供其新推出的NVMe NANDrive® BGA封裝的固態(tài)硬盤樣品,以滿足其用戶在高壓力、嚴(yán)苛工作環(huán)境的嵌入式應(yīng)用中要求高可靠、高性能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。NVMe NANDrive固態(tài)硬盤工作溫度-40oC至+95oC,支持PCIe Gen3x4接口,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的M.2 1620(16 x 20mm,291球)BGA封裝。

綠芯總經(jīng)理王序倫表示:"基于綠芯在PATA、SATA和eMMC NANDrive產(chǎn)品開發(fā)和客戶應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn),我們現(xiàn)在又推出一款帶有PCIe NVMe高速接口并且高可靠的BGA SSD,來滿足既要求高性能又要求高可靠的應(yīng)用。"

采用綠芯EnduroSLC®技術(shù)的NVMe NANDrive EX系列具有卓越的數(shù)據(jù)保持能力和7.5萬、15萬或40萬擦寫次數(shù)(P/E)的超高耐久性(最高可達(dá)17,800 TBW(TeraBytes Written))。該產(chǎn)品系列目前有20 GB、40 GB、80 GB和160 GB多種容量供客戶選擇。為了支持長(zhǎng)壽命應(yīng)用的客戶,NVMe NANDrive EX 系列固態(tài)硬盤也包含在綠芯長(zhǎng)期支持 (LTA) 方案中 (https://bit.ly/SSD-LTA-program)。

NVMe NANDrive PX系列采用工業(yè)級(jí)3D TLC(每單元3bit)NAND,支持5千擦寫次數(shù)(P/E)的高耐久性(最高可達(dá)6,700 TBW),是要求高可靠而成本又不高的應(yīng)用的最佳選擇。該產(chǎn)品系列目前有64 GB、128 GB、256 GB和512 GB多種容量供客戶選擇。

NVMe NANDrive 固態(tài)硬盤的優(yōu)點(diǎn)包括:

?高耐久性: 7.5萬, 15萬, 40萬擦寫次數(shù) (EX 系列), 5千擦寫次數(shù) (PX 系列)

?工業(yè)級(jí)溫度: -40°C 至 +95°C (Tc = 芯片外殼表面溫度)

?高性能: 高達(dá) 2,400/1,480 MB/s 連續(xù)讀/寫性能

?節(jié)能: 在睡眠模式下,最低功耗僅 4mW

?數(shù)據(jù)安全: AES-256 硬件加密, 安全擦除, 硬件秘鑰擦除 (HCE)

供貨情況

綠芯目前正在向用戶提供NVMe NANDrive EX和PX系列固態(tài)硬盤樣品,預(yù)計(jì)將于2024年下半年開始量產(chǎn)。

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