意法半導(dǎo)體車規(guī)MDmesh DM9超結(jié)MOSFET提升硅片能效

2024 年 3 月 28 日，中國(guó)– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規(guī)600V/650V超結(jié) MOSFET為車載充電機(jī)(OBC)和采用軟硬件開(kāi)關(guān)拓?fù)涞?a href="/tags/DC/DC轉(zhuǎn)換器" target="_blank">DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用帶來(lái)卓越的能效和魯棒性。

這些硅基晶體管具有出色的單位芯片面積導(dǎo)通電阻RDS(on)和非常低的柵極電荷，兼?zhèn)浜艿偷哪芰繐p耗和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)，品質(zhì)因數(shù)成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。與上一代產(chǎn)品相比，意法半導(dǎo)體最新的MDmesh DM9 技術(shù)確保柵源閾值電壓(VGS(th)) 分布更窄，使開(kāi)關(guān)波形更加銳利，導(dǎo)通和關(guān)斷損耗更低。

此外，新產(chǎn)品還提高了體二極管反向恢復(fù)性能，所采用新的優(yōu)化工藝提高了 MOSFET 的整體魯棒性。體二極管的低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和快速恢復(fù)時(shí)間 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列非常適對(duì)能效要求很高的相移零壓開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?

該系列提供各種通孔和表面貼裝封裝，幫助設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)緊湊的外形尺寸、高功率密度和系統(tǒng)可靠性。TO-247 LL(長(zhǎng)引線)是一種深受市場(chǎng)歡迎的通孔封裝，可以簡(jiǎn)化器件在設(shè)計(jì)中的集成，并沿用成熟的封裝工藝。在表面貼裝封裝中，H2PAK-2(2 引線)和 H2PAK-7(7 引線)適用于有散熱基板的底部散熱設(shè)計(jì)或有熱通孔或其他增強(qiáng)散熱功能的 PCB板。兩款新產(chǎn)品還提供 HU3PAK和ACEPACK? SMIT頂部散熱表面貼裝封裝。

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款產(chǎn)品STH60N099DM9-2AG，是一款采用H2PAK-2封裝符合 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的 27A N溝道 600V 器件，典型導(dǎo)通電阻 RDS(on) 為 76mΩ。 意法半導(dǎo)體將擴(kuò)大該產(chǎn)品系列，提供型號(hào)齊全的產(chǎn)品，涵蓋更寬的額定電流范圍和 23mΩ 到 150mΩ 的 導(dǎo)通電阻RDS(on)。

STH60N099DM9-2AG已上架意法半導(dǎo)體電子商城ST eStore。