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[導(dǎo)讀]業(yè)內(nèi)消息,近日韓國存儲芯片巨頭SK 海力士宣布,為應(yīng)對用于 AI 的半導(dǎo)體需求劇增,決定擴充 AI 基礎(chǔ)設(shè)施(Infra)的核心產(chǎn)品即 HBM 等新一代 DRAM 的生產(chǎn)能力(Capacity) 。

業(yè)內(nèi)消息,近日韓國存儲芯片巨頭SK 海力士宣布,為應(yīng)對用于 AI 的半導(dǎo)體需求劇增,決定擴充 AI 基礎(chǔ)設(shè)施(Infra)的核心產(chǎn)品即 HBM 等新一代 DRAM 的生產(chǎn)能力(Capacity) 。

當(dāng)天,公司通過董事會決議,將建設(shè)在韓國忠清北道清州市的M15X定為新的DRAM生產(chǎn)基地,并決定向廠房(Fab)建設(shè)投資約5.3萬億韓元。SK海力士將于本月末開始進行建設(shè)工程,計劃在202511月竣工并開始量產(chǎn)。

SK 海力士將于本月末開始進行建設(shè)工程,計劃在 2025 11 月竣工并開始量產(chǎn)。公司也將依次進行設(shè)備投資,從長遠來看,計劃向 M15X 投資逾 20 萬億韓元,由此進一步擴充產(chǎn)能。

SK 海力士強調(diào):“作為 AI 應(yīng)用的存儲器領(lǐng)域全球領(lǐng)先者,公司希望通過向韓國生產(chǎn)基地加大投資,為激活韓國經(jīng)濟動能做出貢獻,同時鞏固提升‘半導(dǎo)體強國’的地位。”

隨著 AI 時代的來臨,半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為 DRAM 市場進入了中長期增長時代。SK 海力士認(rèn)為,預(yù)計年均增長率高達 60% 以上的 HBM、以面向服務(wù)器的高容量 DDR5 模塊為主的普通 DRAM 產(chǎn)品需求也將持續(xù)增加。

在此趨勢下,要想確保 HBM 產(chǎn)品的產(chǎn)量達到與普通 DRAM 相同的水平,則至少需要相對于普通 DRAM 至少兩倍以上的生產(chǎn)能力。SK 海力士認(rèn)為,提高以 HBM 為主的 DRAM 產(chǎn)能是首要課題。

因此,SK 海力士決定在龍仁半導(dǎo)體集群的第一座工廠竣工(2027 年上半年)之前,在清州 M15X 廠生產(chǎn)新一代 DRAM 產(chǎn)品。而且也考慮了 M15X 廠的地理位置優(yōu)勢,其與正在擴充 TSV * 生產(chǎn)能力的 M15 廠相鄰,可以進一步優(yōu)化 HBM 生產(chǎn)。

SK 海力士推進 M15X 項目的同時,也將如期進行投入約 120 萬億韓元的龍仁半導(dǎo)體集群等韓國國內(nèi)的投資計劃。目前,龍仁半導(dǎo)體集群的用地在建工程進度約為 26%,相較于工程目標(biāo)快 3 個百分點。

據(jù)悉,SK 海力士已完成布局生產(chǎn)設(shè)施的用地相關(guān)補償和文化遺產(chǎn)調(diào)查工作,電力、用水、道路等基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)工程也比原計劃進行得更快。公司計劃在明年 3 月開工建造龍仁半導(dǎo)體集群第一座工廠,并于 2027 5 月竣工。

另外,SK 海力士的韓國國內(nèi)投資,在 SK 集團展開的整個韓國國內(nèi)投資當(dāng)中也起到了重要作用。2012 年并入 SK 集團后從 2014 年開始總投資 46 萬億韓元,以利川 M14 廠為開端,以增建三座工廠的“未來展望”為中心,在韓國持續(xù)加碼投資。

最終,SK 海力士在 2018 年和 2021 年依次竣工了清州 M15 廠和利川 M16 廠,超前實現(xiàn)了未來展望。SK 海力士期待隨之推進的 M15X 和龍仁集群投資,能夠促使韓國成為 AI 半導(dǎo)體強國,也將成為激發(fā)國家經(jīng)濟的牽引力。

SK 海力士 CEO 郭魯正表示:“M15X 將成為向全世界提供 AI 應(yīng)用存儲器的核心設(shè)施,也是公司邁向未來的墊腳石,我確信此次投資不僅有助于公司,還會對國家經(jīng)濟的未來發(fā)展做出貢獻?!?/span>

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