5月9日消息，DRAM內(nèi)存芯片和內(nèi)存條、NAND閃存和SSD硬盤正在新一輪的上漲周期中加速狂奔，集邦咨詢在最新報告中大幅上調(diào)了二季度的價格漲幅預期，尤其是內(nèi)存。
2024年第一季度，內(nèi)存芯片合約價格上漲了多達20%，原本預計二季度會小幅上漲3-8%，但是集邦咨詢最新修正為13-18%。
NAND閃存的趨勢也類似，一季度已經(jīng)漲了多達23-28%，二季度原本預計漲13-18%，但現(xiàn)在上調(diào)為15-20%。
唯一利好的就是eMMC/UFS閃存，預計第二季度只會漲大約10%——其實也不少了。
集邦咨詢表示，4月3日的花蓮大地震是一個轉(zhuǎn)折點。
震前，內(nèi)存和閃存現(xiàn)貨價格和交易量都持續(xù)走低，上漲動力不足，主要是AI之外的智能手機、筆記本市場需求疲軟，PC廠商庫存也逐漸增加，買方也不愿意接受連續(xù)漲價。
但是震后，PC廠商出于種種考慮開始接受內(nèi)存、閃存合約價大幅上漲，尤其到了4月底，新一輪合約價談判陸續(xù)完成，漲幅超過此前預期，一方面是買方有意愿增加庫存，另一方面是AI需求持續(xù)強勁。
尤其值得一提的是，AI對于HBM高帶寬內(nèi)存需求旺盛，原廠都在紛紛擴產(chǎn)。
比如三星的HBM3E，使用了先進的1α工藝，尤其是第三季度會大幅擴產(chǎn)，預計到今年底這部分產(chǎn)能將占到大約60%，自然會排擠DDR5的產(chǎn)能，進一步加劇漲價。
同時，AI推理服務器越來越考慮節(jié)能，優(yōu)先采用企業(yè)級QLC SSD，也會占用相當大的產(chǎn)能，導致消費級的NAND出現(xiàn)緊缺。
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