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[導(dǎo)讀]如果不能在高速下提供正確的電壓,則 SiC 器件必然會發(fā)生故障,從而導(dǎo)致發(fā)熱和效率低下。使用的 MOSFET 是UnitedSiC UF3C065080T3S模型,包含在 TO-220 封裝中以及測試方案。

一些器件,例如二極管和 SiC 功率 MOSFET,非常昂貴,如果您不能 100% 確定電路,則不方便進(jìn)行試驗。電路的模擬非常重要,因為它允許在所有條件下進(jìn)行完整分析,同時在計算機(jī)后面保持安全。在本文中,我們將使用 LTspice 軟件。

適合正確使用 SiC MOSFET 的優(yōu)秀驅(qū)動器

本文的仿真重點(diǎn)是驅(qū)動器的性能。如果不能在高速下提供正確的電壓,則 SiC 器件必然會發(fā)生故障,從而導(dǎo)致發(fā)熱和效率低下。使用的 MOSFET 是UnitedSiC UF3C065080T3S模型,包含在 TO-220 封裝中以及測試方案。它具有以下特點(diǎn):

· Rds(開):0.080 歐姆;

· 最大電壓 DS:650 V;

· GS 電壓:-25 V 至 +25 V;

· 連續(xù)漏極電流:31 A;

· 脈沖漏極電流:65 A;

· 最大功耗:190 W;

· 最高工作溫度:175°C;

· 出色的反向恢復(fù);

· 低“門”電荷;

· 容量低;

· ESD保護(hù);

· 非常低的開關(guān)損耗。

UF3C065080T3S 650V 80mΩ RDS(on) 級聯(lián) SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 G3 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化的 MOSFET 共同封裝,以生產(chǎn)當(dāng)今市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該系列具有超低的柵極電荷,而且在任何類似額定值的器件中也具有最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件采用 TO-220-3L 封裝,在與推薦的 RC 緩沖器以及需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的任何應(yīng)用一起使用時,非常適合切換電感負(fù)載。


如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動器的重要性

圖 1:UnitedSiC 的 UF3C065080T3S SiC MOSFET 與測試示意圖

“門”電壓測試

該測試涉及器件的靜態(tài)行為,根據(jù)型號規(guī)格,固定“漏極”電壓為 24 V (V1),可變“柵極”電壓 (V2) 介于 -25 V 和 +25 V 之間。負(fù)載為 1 歐姆。這種類型的模擬稱為“直流掃描”,允許分析任何類型的電量,從而預(yù)測可變和增加的電源電壓。結(jié)果非常有趣,清楚地表明,設(shè)備“柵極”的電源電壓不正確會產(chǎn)生災(zāi)難性的后果。讓我們觀察圖 2中產(chǎn)生的電路的仿真。要檢查的信號如下:

· 電壓 V(gate),在下圖中以淺色顯示;

· 負(fù)載電流 I(R1),在下面的暗圖中;

· 上圖中 Power on Mosfet 器件消耗的功率;

· 所有信號都在圖表右側(cè)“放大”。

當(dāng)“柵極”電壓低于約 5.8 V 時,MOSFET 被禁用并且不傳導(dǎo)任何電流。另一方面,如果該電壓大于 6.8 V,則器件將關(guān)閉并傳導(dǎo)電流。因此,如果它處于遮斷狀態(tài),它不會消散任何力量。它的飽和導(dǎo)致功耗增加(例如大約 40 W),這是一個完全正常的值。臨界工作點(diǎn)出現(xiàn)在“柵極”電壓介于 5.8 V 和 6.8 V 之間。在這種情況下,電路處于線性狀態(tài),從功率圖中可以看出,MOSFET 的耗散非常高,達(dá)到140 W。必須避免此工作點(diǎn),并在“柵極”電壓曲線與負(fù)載電流曲線相交時出現(xiàn) (P = V * I)。優(yōu)秀的驅(qū)動器必須確保清晰的關(guān)斷電壓 (<5 V) 和飽和 (> 15 V)。


如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動器的重要性

圖 2:此模擬涉及在 -25V 和 + 25V 之間增加的“柵極”電壓。MOSFET 的行為發(fā)生顯著變化

在器件導(dǎo)通的情況下,從負(fù)載流過“漏極”的電流非常高,約為 22 A,可通過以下公式計算:


如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動器的重要性

Rds(ON) 的值也很容易計算,使用以下公式:


如何使用 <a href=LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動器的重要性" src="http://lujuzi.cn/uploads/10545/634ce5f4b0e9d.png" width="203" height="66" />

根據(jù)所使用的 SiC MOSFET 的規(guī)格,從中獲得約 85.8 毫歐的值。

結(jié)論

在本文中,我們對靜態(tài)行為進(jìn)行了重要的基本模擬,展示了優(yōu)秀驅(qū)動器的存在對于驅(qū)動和管理 SiC 器件的重要性。驅(qū)動程序必須具有以下功能:

· 必須在ON和OFF狀態(tài)下提供清晰準(zhǔn)確的電壓,絕對避免在線性區(qū)運(yùn)行;

· 它必須以極快的速度驅(qū)動,比 SiC MOSFET 提供的可能性要快得多。

如果您能夠正確驅(qū)動 SiC 器件,您可以獲得這些最新一代組件可以提供的速度、功率和效率的所有重要優(yōu)勢。碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導(dǎo)體材料,未來它肯定會取代硅用于大功率應(yīng)用。為了更好地管理 SiC 器件,有必要創(chuàng)建一個足夠的驅(qū)動程序,以保證其清晰的激活或停用。通常,要關(guān)閉它,“柵極”和“源極”之間需要大約 20 V 的電壓,而要打開它,需要大約 -5 V 的負(fù)電壓(地),并且開關(guān)驅(qū)動器必須非常快,否則會增加工作溫度、開關(guān)損耗和更大的電阻 Rds(on)。

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