CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數(shù)據(jù)中心、逆變器和工業(yè)開關(guān)電源的實現(xiàn)超高效率

2024 年 6 月 11日

英國劍橋 - 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設(shè)計的、超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ICeGaN? GaN 功率 IC ，將 GaN 的優(yōu)勢提供給數(shù)據(jù)中心、逆變器、電機驅(qū)動器和其他工業(yè)電源等高功率應(yīng)用。新型 ICeGaN? P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率應(yīng)用，并提供超高效率。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商務(wù)官

“人工智能的爆炸性增長導(dǎo)致能源消耗的顯著增加，促使數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)設(shè)計師優(yōu)先考慮將 GaN 用于高功率、高效的功率解決方案。CGD這一新系列 GaN 功率 IC 支持我們的客戶和合作伙伴在數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)超過100 kW/機架的功率密度，滿足高密度計算的最新 TDP(熱設(shè)計功率)趨勢的要求。在電機控制逆變器方面，開發(fā)人員正在使用 GaN 來減少熱量，獲得更小、更持久的系統(tǒng)功率。以上兩個市場正是CGD ICeGaN 功率 IC 現(xiàn)在的目標市場。簡化的柵極驅(qū)動器設(shè)計和降低的系統(tǒng)成本，再加上先進的高性能封裝，使 P2 系列 IC 成為這些應(yīng)用的絕佳選擇?！?

ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速開關(guān)過程中的擊穿損耗，并實現(xiàn)了0V關(guān)斷從而最大限度地減少反向?qū)〒p耗，其性能優(yōu)于分立 eMode GaN 和其他現(xiàn)有技術(shù)。新的封裝提供了低至0.28 K/W的改進的熱阻性能，與市場上任何其他產(chǎn)品比較具有相當或更加優(yōu)異的性能。其雙面 DHDFN-9-1(雙散熱器 DFN)封裝的雙極引腳設(shè)計有助于優(yōu)化 PCB 布局和簡單并聯(lián)以實現(xiàn)可擴展性，使客戶能夠輕松處理高達多kW的應(yīng)用。經(jīng)過設(shè)計新型封裝不僅提高了產(chǎn)量，其側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，更便于光學(xué)檢查。

用戶現(xiàn)在可申請 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 樣品。該系列包括四款 RDS(on) 產(chǎn)品為25 mΩ和55 mΩ，額定電流為60 A和27 A的產(chǎn)品。產(chǎn)品采用10 mm x 10 mm封裝 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1(底部散熱器DFN)封裝。與所有CGD ICeGaN產(chǎn)品一樣，P2系列可以使用任何標準 MOSFET 或 IGBT 驅(qū)動器進行驅(qū)動。

現(xiàn)有2款采用新型 P2 產(chǎn)品演示板可供展示：一款是 CGD 與法國公共研發(fā)機構(gòu) IFP Energies nouvelles 合作開發(fā)的單相變?nèi)嗥?a href="/tags/逆變器" target="_blank">逆變器演示板;另一款是3kW圖騰柱功率因數(shù)校正演示板。

新型 P2 系列 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 和演示板將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD 的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產(chǎn)品。