英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，提高系統(tǒng)功率密度

時間：2024-06-13 16:10:01

關(guān)鍵字： AI服務器可再生能源電動汽車充電器

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[導讀]【2024年6月13日，德國慕尼黑訊】在技術(shù)進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個全新產(chǎn)品系列，擴展其 CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件 650 V產(chǎn)品組合。這兩個產(chǎn)品系列基于CoolSiC? 第2代(G2)技術(shù)，在性能、可靠性和易用性方面均有顯著提升，專門用于中高檔開關(guān)模式電源(SMPS)，如AI服務器、可再生能源、電動汽車充電器、大型家用電器等。

【2024年6月13日，德國慕尼黑訊】在技術(shù)進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個全新產(chǎn)品系列，擴展其 CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件 650 V產(chǎn)品組合。這兩個產(chǎn)品系列基于CoolSiC? 第2代(G2)技術(shù)，在性能、可靠性和易用性方面均有顯著提升，專門用于中高檔開關(guān)模式電源(SMPS)，如AI服務器、可再生能源、電動汽車充電器、大型家用電器等。

CoolSiC? MOSFET 650 V G2組合1-1

該系列的Thin-TOLL封裝外形尺寸為 8x8 mm，具有市場上同類產(chǎn)品中領(lǐng)先的板上熱循環(huán)(TCoB)能力。TOLT 封裝是一種頂部散熱(TSC)封裝，其外形尺寸與 TOLL相似。這兩種封裝都能為開發(fā)者帶來諸多優(yōu)勢。例如，在AI和服務器電源裝置(PSU)中采用這兩種封裝，可以減少子卡的厚度和長度并允許使用扁平散熱器。微型逆變器、5G PSU、電視 PSU 和 SMPS通常采用對流冷卻，Thin-TOLL 8x8封裝用于這些應用時，可以更大程度地減少主板上電源裝置所占的PCB面積。與此同時，TOLT還能控制設備的結(jié)溫。此外，TOLT 器件還與英飛凌采用Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 750 V這一頂部散熱CoolSiC? 工業(yè)產(chǎn)品組合形成了互補。當器件所需的電源不需要Q-DPAK封裝時，開發(fā)者可使用TOLT器件減少SiC MOSFET占用的 PCB 面積。

供貨情況

采用 ThinTOLL 8x8和TOLT封裝的 650 V G2 CoolSiC? MOSFET目前的RDS(on) 為20、40、50 和 60 mΩ。TOLT系列還推出了RDS(on) 為15 mΩ的型號。