在這篇文章中，小編將詳細分析如何檢測比亞迪高壓電控總成IGBT模塊，以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內容吧。
一、IGBT
絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。
二、如何檢測比亞迪高壓電控總成IGBT模塊
1、比亞迪 e5高壓電控總成內 IGBT 模塊位置
2、比亞迪 e5高壓電控總成內IGBT模塊
3、比亞迪 e5高壓電控總成內IGBT實物
4、IGBT實物圖與工作原理圖
圖左上方為一相上橋臂和下橋臂的IGBT實物圖，其側面一般標有原理圖，如圖左下方所示。實際上上橋臂和下橋臂是由8個IGBT組成，上橋臂和下橋臂分別由4個IGBT并聯(lián)，再將上橋臂和下橋臂串接起來，如圖右側所示。連接T1、T2的是熱敏電阻（溫度傳感器）。
5、IGBT的檢查
a.未觸發(fā)導通性檢查 測量上橋臂IGBT的二極管的導通性（反向不導通），在IGBT未觸發(fā)狀態(tài)下用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的正向導通性，顯示導通，壓降為0.34 V。在IGBT未觸發(fā)狀態(tài)下用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的反向導通性，顯示不導通。 在IGBT未觸發(fā)狀態(tài)下用萬用表二極管擋測量下橋臂“～”與“-”之間的正向導通性，顯示導通，壓降為0.339 V，而反向不導通。
b.通電導通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT，用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的導通性，顯示導通，壓降為0.379 V。
在觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT后，斷開電源，1號IGBT的控制極C與控制級E仍保持導通。用萬用表二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的導通性，顯示導通，壓降為0.379 V。
c.放電后導通性檢查用螺絲刀將G11與Ex11短接放電后，上橋臂的1號IGBT的控制級C與控制級E不再導通，因其他3個IGBT也未觸發(fā)，故上橋臂“+”與“～”不再導通。實際的電路板上4個IGBT是一同觸發(fā)的。
依次對上橋臂的其他3個IGBT進行觸發(fā)，檢查其導通性，檢查前注意先短接控制級G與控制級E，使其內部電容放電。用相同方法可依次檢查下橋臂的各個IGBT。
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