設(shè)計(jì)一款N溝道MOSFET驅(qū)動電路！超詳細(xì)?。?/h1>
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞱溝道MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì)的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì)具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
一、驅(qū)動電路
驅(qū)動電路的基本任務(wù)，就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號，對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關(guān)斷控制信號，以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。驅(qū)動電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易被干擾，故驅(qū)動電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力，避免功率級電路對控制信號的干擾。
優(yōu)良的驅(qū)動電路對變換器性能的影響：
1.提高系統(tǒng)可靠性
2.提高變換效率(開關(guān)器件開關(guān)、導(dǎo)通損耗)
3.減小開關(guān)器件應(yīng)力(開/關(guān)過程中)
4.降低EMI/EMC
二、N溝道MOSFET驅(qū)動電路實(shí)現(xiàn)
本節(jié)描述一個N溝道MOSFET驅(qū)動電路的示例。
1、基本驅(qū)動電路
圖2.1顯示了一個基本的MOSFET驅(qū)動電路。在實(shí)際設(shè)計(jì)驅(qū)動電路時，必須考慮被驅(qū)動MOSFET的電容及其使用條件。
由于把MOSFET作為開關(guān)應(yīng)用（負(fù)載開關(guān)）的需求日益增長，MOSFET僅在電路工作時在電路中提供導(dǎo)電路徑，這樣可以降低電子設(shè)備的功耗。
3、 驅(qū)動電壓轉(zhuǎn)換
（1）將驅(qū)動電壓轉(zhuǎn)換為15V
圖2.3顯示了用數(shù)字邏輯驅(qū)動MOSFET的示例。當(dāng)MOSFET不能在5V下驅(qū)動時，該電路來提高驅(qū)動電壓。R2與柵極電阻R3串聯(lián)增加?xùn)艠O驅(qū)動電阻，使MOSFET難以在飽和模式下驅(qū)動。這降低了MOSFET的開關(guān)速度，因此增加了開關(guān)損耗。相反，減小R2導(dǎo)致在MOSFET關(guān)斷期間有較大的漏極電流ID流向驅(qū)動電路，增加驅(qū)動電路的功耗。
(2）推挽電路
圖2.3所示電路的缺點(diǎn)是，提升驅(qū)動電壓會增加驅(qū)動電路的功耗。這個問題可以通過增加一個推挽電路來解決，如圖2.4所示。
4、半橋或全橋的高端驅(qū)動
圖2.5展示了如何在半橋或全橋配置中使用MOSFET。為了接通上管Q1，必須向其柵極施加較高電壓。
驅(qū)動電路免受MOSFET故障的影響。
圖2.6顯示了一個簡單電路的例子。本電路中齊納二極管的作用是快速復(fù)位脈沖變壓器。圖2.7所示的電路有一個額外的PNP晶體管，以提高開關(guān)性能。
圖2.8所示電路有一個電容與一個脈沖變壓器串聯(lián)，以便在MOSFET關(guān)斷期間向MOSFET施加反向偏置，從而提高開關(guān)速度。由于電容阻斷了DC偏置，因此其還防止脈沖變壓器達(dá)到飽和點(diǎn)。
4.3、使用光耦和浮動電源
光耦也可用于驅(qū)動MOSFET柵極。光耦輸出需要單獨(dú)的電源。若要使用光耦驅(qū)動半橋或全橋的高邊，則需要一個浮動電源。
以上便是小編此次想要和大家共同分享的內(nèi)容，如果你對本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day！
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