在這篇文章中,小編將基于電路圖分析變容二極管在壓控振蕩器中的使用。如果你對本文即將要講解的內容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
一、變容二極管
(Varactor Diodes)為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負極)結的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應;當外加反向偏壓時,則會產(chǎn)生過渡電容效應。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生,所以在應用上均供給反向偏壓。
其實我們可以把它看成一個PN結,我們想,如果在PN結上加一個反向電壓V(變容二極管是反向來用的),則N型半導體內的電子被引向正極,P型半導體內的空穴被引向負極,然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層,該耗盡層的寬度我們設為d,隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來,反向電壓V增大,則耗盡層d變寬,二極管的電容量C就減少(根據(jù)C=kS/d),而反向電壓減小,則耗盡層寬d變窄,二極管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化,從而改變了壓控變容器的結容量C。達到了目的。
二、從電路圖看變容二極管在壓控振蕩器中的使用
下面所示的典型壓控振蕩器電路顯示了變容二極管通常包含在電路中的方式。
通常,陰極接地或以直流共電位運行。然后,另一端可以施加偏置電位。偏置電路需要隔離來自調諧電路的射頻信號,以防止性能下降。
壓控振蕩器電路
在該電路中,使用兩個二極管。一個直接接地,但第二個通過直流電流路徑通過電感器接地電壓。以這種方式使用兩個二極管可以更好地平衡由射頻振蕩本身引起的變化。該電路克服了RF調制調諧電壓的問題。這種影響被抵消了 - 隨著射頻電壓的升高,一個二極管上的電容將增加,另一個二極管上的電容將減小。背靠背配置也會使單個二極管的電容減半,因為兩個二極管的電容相互串聯(lián)。還應該記住,串聯(lián)電阻將加倍,這將影響 Q。
如果需要,可以用單個電容器代替D1。如果不這樣做,則控制電壓將有一個直流路徑通過電感器接地,電路將無法工作。
控制電壓需要施加到兩個二極管的結點上。電阻器或電感器可用于此目的,因為二極管在反向偏置下工作并具有高直流電阻。
電感器在某些情況下可以很好地工作,因為它們?yōu)槠锰峁┝说碗娮杪窂?。但是,它們可能會引入雜散電感,在某些情況下,當用于振蕩器時,它們可能會導致發(fā)生雜散振蕩。也可以使用電阻器。電阻必須足夠高,以便在不降低 Q 值的情況下將偏置電路與調諧電路隔離。它們還必須足夠低,以控制二極管上的偏置,以對抗射頻通過二極管的影響。10 kΩ 的值通常是一個很好的起點。
使用變容二極管設計電路時,必須注意確保二極管不會正向偏置。有時,特別是在使用低水平反向偏置時,電路RF部分的信號在周期的某些部分可能足以克服偏置并驅動二極管進行正向導通。這會導致產(chǎn)生雜散信號和其他令人討厭的不良影響。
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