今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/驅動電路" target="_blank">驅動電路參數(shù)計算的有關報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。
一、MOS驅動電路
在MOS管的結構中，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小?！?第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管?！?上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現(xiàn)在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導通就夠用了。
二、MOS驅動電路的參數(shù)計算
我的實際工作中碰到最多的驅動電路是以下這種能夠控制開關速度的驅動電路，我就以它舉例做進一步的分析。
如圖，在驅動電阻Rg2上并聯(lián)一個二極管。其中D1常用快恢復二極管，使關斷時間減小同時減小關斷損耗，Rg1可以限制關斷電流，R1為mos管柵源極的下拉電阻，給mos管柵極積累的電荷提供泄放回路。（ 根據(jù)MOSFET柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導致MOS管誤導通，所以R1也起降低輸入阻抗作用，一般取值在10k~幾十k ）
Lp為驅動走線的雜散寄生電感，包括驅動IC引腳、MOS引腳、PCB走線的感抗，精確的數(shù)值很難確定，通常取幾十nH。
1、驅動電阻Rg的計算
驅動走線的寄生電感和MOS管的結電容會組成一個LC振蕩電路，如果驅動芯片的輸出端直接到柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產(chǎn)生很大的震蕩，導致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)電阻，降低LC振蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。
2、驅動電阻下限值
當mos開通瞬間，Vcc通過驅動電阻給Ciss=Cgs+Cgd充電，如上圖所示(忽略下拉電阻R1的影響)。根據(jù)LC震蕩電路模型，可以列出回路在復頻域內(nèi)對應的方程。
求解出i g ，并化為典型二階系統(tǒng)的形式
再根據(jù)LC振蕩電路求解二階系統(tǒng)阻尼系比
那么根據(jù)LC振蕩電路的特性，為了保證驅動電流ig不發(fā)生震蕩，該系統(tǒng)要處于過阻尼的狀態(tài)；即阻尼比必須大于1，則方程式解得Rg=Rg1+Rg2的下限范圍
3、驅動關斷電阻上限值
MOS關斷時，Vds會產(chǎn)生很大的dv/dt，那么由于寄生電容Cgd的存在，就會對回路進行放電繼而產(chǎn)生較大的電流，根據(jù)公式：Ic=Cdv/dt。那么回路上Igd流過驅動電阻Rg,又會在GS間產(chǎn)生一個電壓Vgoff=IgdxRg。這樣我們的方向就是不能讓其高于MOS導通的門檻電壓Vth以避免誤導通。
那么列出不等式
則解得驅動電阻Rgoff=Rg1的取值范圍
最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。最后的最后，祝大家有個精彩的一天。
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