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[導(dǎo)讀]今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)砹泓c(diǎn)電壓檢測(cè)的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)砹泓c(diǎn)電壓檢測(cè)的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

一、零點(diǎn)電壓產(chǎn)生的原因

零點(diǎn)殘余電壓產(chǎn)生原因:

①基波分量。由于差動(dòng)變壓器兩個(gè)次級(jí)繞組不可能完全一致,因此它的等效電路參數(shù)(互感M、自感L及損耗電阻 R)不可能相同,從而使兩個(gè)次級(jí)繞組的感應(yīng)電勢(shì)數(shù)值不等。又因初級(jí)線圈中銅損電阻及導(dǎo)磁材料的鐵損和材質(zhì)的不均勻,線圈匝間電容的存在等因素,使激勵(lì)電流與所產(chǎn)生的磁通相位不同。

②高次諧波。高次諧波分量主要由導(dǎo)磁材料磁化曲線的非線性引起。由于磁滯損耗和鐵磁飽和的影響,使得激勵(lì)電流與磁通波形不一致產(chǎn)生了非正弦(主要是三次諧波)磁通,從而在次級(jí)繞組感應(yīng)出非正弦電勢(shì)。另外,激勵(lì)電流波形失真,因其內(nèi)含高次諧波分量,這樣也將導(dǎo)致零點(diǎn)殘余電壓中有高次諧波成分。

二、如何用電路實(shí)現(xiàn)檢測(cè)過零點(diǎn)電壓

1、基本原理圖:

在本設(shè)計(jì)中,可以為電機(jī)調(diào)速作為依據(jù),在電控中主要為強(qiáng)電通訊作為時(shí)間參考。

2、工作原理

上述強(qiáng)電過零檢測(cè)電路,提供+5V電源。該電路可以實(shí)現(xiàn)對(duì)AC強(qiáng)電進(jìn)行過零點(diǎn)的檢測(cè)。由于L和N_IN為AC 220V的正選波,大部分電壓加在功率電阻R29上后,小部分電壓加在雙向光耦I(lǐng)C8上。正選波為正向時(shí),光耦A(yù)為正極;反向時(shí),光耦K為正極。光耦的正向?qū)〞r(shí),光耦發(fā)送一個(gè)零點(diǎn)電壓,完成每次的過零采樣,控制芯片通過對(duì)ZeroInt信號(hào)的采集即可基本判斷出AC過零點(diǎn)。若L和N_IN采樣電壓頻率為F,則經(jīng)光耦處理后ZeroInt的電壓頻率為2F。L或N_IN、光耦輸入及ZeroInt點(diǎn)的電壓波形如下圖:

零點(diǎn)電壓產(chǎn)生的原因是什么?如何檢測(cè)零點(diǎn)電壓?

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3、各個(gè)元器件的選擇和作用:

功率電阻R29,對(duì)AC交流輸入起限流作用,選用15K/2W;

濾波電容C26,選用插件或者貼片,容值選用223(C26-1為備用元件,做調(diào)試用);

雙向光耦I(lǐng)C8,選用TLP620;

分流電阻R31,可以選用貼片封裝或者插件封裝,阻值4.7K;

限流電阻R32, 可以選用貼片封裝或者插件封裝,阻值1K。

4、該電路的優(yōu)缺點(diǎn):

(1)優(yōu)勢(shì):

采用強(qiáng)電過零,可在沒有線性變壓器情況下使用;

使用元件數(shù)量少,占用PCB板面積小。

(2)劣勢(shì):

要使用一個(gè)功率電阻和一個(gè)雙向光耦,成本高,在有線性變壓器的電控不提倡使用;

過零檢測(cè)出來為三角波形,不利于軟件使用(但有將近20ms的時(shí)間及足夠的電壓反映),

5、小結(jié):

本電路經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證,效果良好。但也有不足之處,僅供參考。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)零點(diǎn)電壓檢測(cè)的內(nèi)容,希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章,可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。

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