在這篇文章中,小編將為大家?guī)?a href="/tags/MOS" target="_blank">MOS等效輸入阻抗的相關報道。如果你對本文即將要講解的內容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
一、輸入阻抗
輸入阻抗是指一個電路輸入端的等效阻抗。在輸入端上加上一個電壓源U,測量輸入端的電流I,則輸入阻抗R就是U/I??梢园演斎攵讼胂蟪梢粋€電阻的兩端,這個電阻的阻值,就是輸入阻抗。輸入阻抗跟一個普通的電抗元件沒什么兩樣,它反映了對電流阻礙作用的大小。對于電壓驅動的電路,輸入阻抗越大,則對電壓源的負載就越輕,因而就越容易驅動,也不會對信號源有影響;而對于電流驅動型的電路,輸入阻抗越小,則對電流源的負載就越輕。因此,可以這樣認為:如果是用電壓源來驅動的,則輸入阻抗越大越好;如果是用電流源來驅動的,則阻抗越小越好(注:只適合于低頻電路,在高頻電路中,還要考慮阻抗匹配問題。)另外如果要獲取最大輸出功率時,也要考慮 阻抗匹配問題。
二、MOS等效輸入阻抗分析
在模擬集成電路設計中,正確地分析等效輸入阻抗可以大大降低電路的復雜程度。
其中正確分析MOS等效輸入阻抗是最常用、最重要的一部分,熟練掌握結論后可以直接應用于復雜電路的分析。
1.MOS線性區(qū)等效電阻
當VDS>0時,MOS的溝道將產(chǎn)生從D指向S的橫向電位梯度以及電流,并且隨著VDS增大而增大。
ID與VDS呈線性變化,MOS相當于一個線性電阻。MOS在不同的VGS,其等效電阻也不同。
NMOS線性區(qū)
線性區(qū)MOS等效電阻由下式給出:
2.MOS源極視入阻抗
源極視入阻抗顧名思義即從MOS源極看進去的等效電阻。考慮帶負載電阻的情況,分析MOS源極視入阻抗的等效模型由下圖所示:
MOS源極視入阻抗等效模型
根據(jù)基爾霍夫電壓定律:
化簡后得到MOS源極視入阻抗:
當沒有負載電阻時,MOS源極視入阻抗變?yōu)椋?
3.MOS漏極視入阻抗
利用與MOS源極視入阻抗相似的分析方式,先假設M1的等效電阻為ro1,畫出下圖的等效模型:
MOS漏極視入阻抗等效模型
根據(jù)基爾霍夫電壓定律:
化簡后得到MOS漏極視入阻抗:
當沒有M1時,MOS漏極視入阻抗就是ro2。也就是說,一個MOS從漏極看進去的等效電阻就是與溝道長度調制效應有關的輸出電阻。這正好驗證了M1等效電阻為ro1的假設是成立的。
熟練掌握以上結論之后可以試著找一些較復雜的電路,先試著能否直接看出某一結點的視入阻抗,再用等效電路的方法驗證直接看出來的視入阻抗是否正確。
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