以下內(nèi)容中，小編將對碳化硅的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對碳化硅的了解，和小編一起來看看吧。
一、碳化硅是如何制造的
最簡單的碳化硅制造方法包括在高達2500攝氏度的高溫下熔化硅砂和碳，例如煤。較暗，更常見的碳化硅版本通常包括鐵和碳雜質(zhì)，但純SiC晶體是無色的，當(dāng)碳化硅在2700攝氏度升華時形成。一旦加熱，這些晶體在較低的溫度下沉積到石墨上，這個過程稱為Lely方法。
Lely法：在此過程中，花崗巖坩堝通常通過感應(yīng)加熱到非常高的溫度，以升華碳化硅粉末。溫度較低的石墨棒懸浮在氣態(tài)混合物中，這固有地允許純碳化硅沉積并形成晶體。
化學(xué)氣相沉積：或者，制造商使用化學(xué)氣相沉積來生長立方碳化硅，化學(xué)氣相沉積通常用于碳基合成工藝并用于半導(dǎo)體工業(yè)。在這種方法中，一種特殊的氣體化學(xué)混合物進入真空環(huán)境并在沉積到基材上之前結(jié)合。
碳化硅晶圓生產(chǎn)的兩種方法都需要大量的能源、設(shè)備和知識才能成功。
二、碳化硅雙脈沖測試串?dāng)_問題解讀
01、正向串?dāng)_
[t0~t1]
Q1開始開通，但門極電壓未達到閾值電壓，溝道還是處于關(guān)閉狀態(tài)
[t1~t2]
當(dāng)Q1的門極電壓達到閾值電壓之后，溝道開啟，電流IL開始從D2換向Q1，這個過程在D2開始承受耐壓為止。此時Q2門極回路的等效電路為
可見，V1決定了這個階段Q2門極電壓的變化趨勢。
[t2~t3]
這個階段D2承受反向電壓，Q2電壓開始上升，此時米勒效應(yīng)產(chǎn)生的位移電流會在Q2門極產(chǎn)生壓降，此階段以Q1漏源極電壓減小到導(dǎo)通壓降為止。此時Q2門極回路的等效電路為
可見，V1決定了這個階段Q2門極電壓的變化趨勢。
這個正向串?dāng)_電壓有可能會超過Q2的閾值電壓，導(dǎo)致其部分開通，從而導(dǎo)致上下直通的可能性。
[t3~t4]
這個階段，Q1門極電壓上升達到驅(qū)動電壓，Q1完全開通。
02、負(fù)向串?dāng)_
[t5~t6]
Q1開始關(guān)斷，但電壓還未降低到米勒電壓。
[t6~t7]
Q1的門極電壓達到米勒電壓，Q1的漏源極電壓開始上升，Q2的漏源極電壓開始下降，當(dāng)Q2的漏源極電壓跌到D2的導(dǎo)通電壓時為止。此時Q2門極回路的等效電路為
在Q2門極產(chǎn)生的串?dāng)_電壓和[t2~t3]階段公式一樣，但電壓電流變化率不同。這個負(fù)向電壓可能超過額定門極負(fù)壓，對門極可靠性造成影響。
[t7~t8]
這個階段，電流開始從Q2換向D2，直到Q1溝道關(guān)斷，等效電路為
在Q2門極產(chǎn)生的串?dāng)_電壓和[t1~t2]階段公式一樣，但電壓電流變化率不同。
[t8~t9]
這個階段，Q1門極電壓下降到閾值電壓以下，直到Q1完全關(guān)斷。
以上大致闡述了串?dāng)_的產(chǎn)生機理，其中涉及到回路寄生參數(shù)以及電流電壓變化率，所以相應(yīng)的抑制措施一般都圍繞這些展開。
以上就是小編這次想要和大家分享的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。
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