什么是關(guān)斷電路？關(guān)斷加速電路設(shè)計分析

在下述的內(nèi)容中，小編將會對關(guān)斷電路的設(shè)計進(jìn)行詳細(xì)的分析，如果關(guān)斷電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、什么是關(guān)斷電路

功率MOSFET是電壓型驅(qū)動器件，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高。功率MOS管的柵極有等效的輸入電容CISS。MOS電路中常見的電路之一就是關(guān)斷電路。

關(guān)斷電路通常指的是斷路，?即電路中某一處因斷開而使電阻過大，?電流無法正常通過，?導(dǎo)致電路中的電流為零。?中斷點(diǎn)兩端電壓為電源電壓，?一般對電路無損害。?這種情況可能是由于導(dǎo)線斷了，?或者用電器（?如燈泡中的燈絲斷了）?與電路斷開等原因造成的。?在物理學(xué)的語境中，?"開"被解釋為打開，?使電路隔絕，?也就是關(guān)閉，?而"關(guān)"則被解釋為合上，?是電路通順，?也就是打開。?然而，?這里的"關(guān)閉電路"實際上是指電路處于斷路狀態(tài)，?即電流無法流通的狀態(tài)。

二、關(guān)斷加速電路設(shè)計分析

為了減少M(fèi)OS管關(guān)斷時間從而減少開關(guān)損耗，驅(qū)動電路會要求關(guān)斷時快速抽取柵極電荷，此時驅(qū)動回路需要一個低阻抗回路。

如上圖中的VD1是快速關(guān)斷二極管，在關(guān)斷時它直接短路掉和它并聯(lián)的驅(qū)動電阻，使得驅(qū)動回路的阻抗降低從而快速將柵極電荷抽走。在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個二極管就是一種關(guān)斷加速電路，有時候二極管可以串聯(lián)一個合適的電阻，最終達(dá)到MOS管開通和關(guān)斷不同的工作狀態(tài)從而滿足設(shè)計要求，如下圖中VD1、R3所示。

上圖中雖然通過增加二極管減少驅(qū)動電路的阻抗，但二極管、三極管導(dǎo)通壓降以及導(dǎo)通電阻還是存在的，回路阻抗減小有一定的限度。如下圖中VT4管的存在是增加了MOS管柵極到低電平的回路，VT4可以選擇三極管，但三極管的導(dǎo)通需要基極偏置，三極管不能工作完全飽和狀態(tài)，抽取電荷的能力也是有限的?？梢赃x擇小容量MOS管來代替三極管，但這個MOS管需要一個電平的轉(zhuǎn)換以使和實際驅(qū)動信號的相位相反。

由于MOS管是電壓驅(qū)動，并能夠運(yùn)行在飽和導(dǎo)通狀態(tài)，把功率MOS管的電荷迅速抽走，如下圖所示。

關(guān)斷加速還有一個更簡單有效的方法就是使用足夠低的負(fù)電源關(guān)閉，所以解決措施要根據(jù)實際需要和效果來定，可以是一個方案也可以是多個方案，更可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)碾娐纷兎N。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)關(guān)斷電路的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。