什么是自舉電容？自舉電容的選擇

自舉電容，主要應(yīng)用電容的特性-----電壓不能突變，總有一個(gè)充電放電的過(guò)程而產(chǎn)生電壓自舉、電位自舉作用的。

自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。

什么是自舉電容_自舉電容的作用是什么

1，自舉電容是利用電容兩端電壓不能突變的特性，當(dāng)電容兩端保持有一定電壓時(shí)，提高電容負(fù)端電壓，正端電壓仍保持于負(fù)端的原始?jí)翰?，等于正端的電壓被?fù)端舉起來(lái)了。實(shí)際就是正反饋電容，用于抬高供電電壓。自舉電容就是一個(gè)自舉電路。

2，自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高.有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。

應(yīng)用實(shí)例

1.利用自舉電路提高射極跟隨器的輸入電阻。

射隨器具有輸入阻抗高、輸出阻抗低的特點(diǎn)，所以在電子線路中的應(yīng)用是極為廣泛的。圖3是一典型射極跟隨器電路，由于基極采用的是固定偏置電路，所以無(wú)法保證工點(diǎn)的穩(wěn)定。

2.利用自舉電路擴(kuò)大電路動(dòng)態(tài)范圍。

利用自舉電路可以擴(kuò)大放大器的輸出動(dòng)態(tài)范圍。

3.利用自舉電路提高電路益增。

4.利用自舉電路解決交、直流參數(shù)設(shè)置。自舉電路與死區(qū)

自舉電路(Bootstrap circuit)

自舉電路(Bootstrap circuit)是一種常用于H橋驅(qū)動(dòng)器中的電路，用于提供高側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓。自舉電路通過(guò)利用低側(cè)MOSFET的開關(guān)動(dòng)作，將電源電壓轉(zhuǎn)移到高側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路上，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)高側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)。

自舉電路的作用之一就是減小死區(qū)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的影響。它通過(guò)提供額外的電源來(lái)啟動(dòng)電機(jī)，并且在電機(jī)正常工作之前，可以繞過(guò)開關(guān)元件，避免死區(qū)對(duì)電機(jī)的影響。這樣可以保證電機(jī)在啟動(dòng)時(shí)能夠穩(wěn)定運(yùn)行，提高驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率和可靠性。

因此，通過(guò)使用自舉電路，可以降低死區(qū)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的影響，提高系統(tǒng)的性能和可靠性。

死區(qū)

死區(qū)則是指在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中由于開關(guān)元件的切換延遲而導(dǎo)致的一段時(shí)間內(nèi)電機(jī)無(wú)法正常工作的現(xiàn)象。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)元件從一個(gè)狀態(tài)切換到另一個(gè)狀態(tài)時(shí)，由于開關(guān)元件的特性，會(huì)出現(xiàn)一小段時(shí)間內(nèi)無(wú)法提供合適的電流給電機(jī)，這段時(shí)間就被稱為死區(qū)。

死區(qū)問(wèn)題指的是在H橋電路中，當(dāng)兩個(gè)對(duì)角線上的開關(guān)元件由一個(gè)狀態(tài)切換到另一個(gè)狀態(tài)時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)一小段時(shí)間內(nèi)無(wú)法提供合適的電流給電機(jī)的情況。

這種情況下，可能會(huì)導(dǎo)致以下問(wèn)題：

短路：在切換過(guò)程中，可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)對(duì)角線上的開關(guān)元件同時(shí)導(dǎo)通，形成短路，導(dǎo)致電流異常增大，甚至損壞開關(guān)元件。

功耗增加：在死區(qū)期間，電流無(wú)法及時(shí)傳遞到電機(jī)，會(huì)導(dǎo)致能量損耗和功耗的增加。

脈沖噪聲：由于切換延遲，可能會(huì)產(chǎn)生脈沖噪聲，對(duì)電機(jī)和其他電路部件產(chǎn)生干擾。

效率降低：死區(qū)會(huì)導(dǎo)致電機(jī)控制的不準(zhǔn)確性，降低系統(tǒng)的效率和性能。

自舉電路可以一定程度上解決H橋驅(qū)動(dòng)電路中的死區(qū)問(wèn)題。

在H橋驅(qū)動(dòng)器中，由于高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET的開關(guān)動(dòng)作需要有一定的時(shí)間間隔，以避免兩個(gè)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通而導(dǎo)致短路。這個(gè)時(shí)間間隔就是死區(qū)時(shí)間。

在傳統(tǒng)的H橋驅(qū)動(dòng)器中，由于高側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓需要高于電源電壓，因此需要使用額外的電壓轉(zhuǎn)換電路。而自舉電路則通過(guò)利用低側(cè)MOSFET的開關(guān)動(dòng)作，將電源電壓轉(zhuǎn)移到高側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路上，從而實(shí)現(xiàn)高側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)。這樣，自舉電路可以提供足夠的驅(qū)動(dòng)電壓，使高側(cè)MOSFET能夠正常導(dǎo)通和截止，從而避免死區(qū)問(wèn)題。

(自舉電路的工作原理是在H橋電路中的每個(gè)開關(guān)元件上分別添加驅(qū)動(dòng)電源電容。當(dāng)需要切換H橋的狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電源電容會(huì)提供電荷來(lái)控制開關(guān)元件的導(dǎo)通和截?cái)?。這樣可以繞過(guò)死區(qū)期間的問(wèn)題，確保電機(jī)正常工作。)

在設(shè)計(jì)自舉電路時(shí)，應(yīng)考慮到自舉電容的充電和放電時(shí)間，以及自舉電路的穩(wěn)定性和可靠性。此外，還需要合理選擇和配置電路元件，以滿足具體應(yīng)用需求和參數(shù)要求。最好參考相關(guān)的應(yīng)用筆記和設(shè)計(jì)指南，以獲取更詳細(xì)的自舉電路設(shè)計(jì)和調(diào)整建議。

需要注意的是，自舉電路并不能完全消除死區(qū)問(wèn)題，它只是通過(guò)提供額外的電源來(lái)減小死區(qū)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的影響。死區(qū)時(shí)間的選擇和其他死區(qū)補(bǔ)償方法仍然是重要的，并且需要根據(jù)具體的應(yīng)用和系統(tǒng)需求進(jìn)行調(diào)試和優(yōu)化。