一直以來,MOS管都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在,小編將為大家?guī)?a href="/tags/MOS管" target="_blank">MOS管的相關(guān)介紹,詳細內(nèi)容請看下文。
MOS管是一種由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的三極管,它的工作原理是通過控制門電壓來控制通過源極和漏極的電流。當(dāng)門電壓為正時,源極和漏極之間的電容會被放電,從而使源極和漏極之間的電壓差變小,從而使源極和漏極之間的電流增大;當(dāng)門電壓為負時,源極和漏極之間的電容會被充電,從而使源極和漏極之間的電壓差變大,從而使源極和漏極之間的電流減小。
MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成,其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分,它由一層金屬和一層氧化物組成,金屬層和氧化物層之間有一個很小的空隙,這個空隙可以控制電子的流動,從而控制MOS管的電流。
MOS管可以根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點分為兩大類:一類是普通MOS管,它的結(jié)構(gòu)由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成;另一類是雙極MOS管,它的結(jié)構(gòu)由源極、漏極、門極和兩層金屬氧化物層組成。
在實際項目中,我們基本都用增強型,分為N溝道和P溝道兩種。
我們常用的是NMOS,因為其導(dǎo)通電阻小,且容易制造。在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管,在驅(qū)動感性負載(如馬達),這個二極管很重要。順便說一句,體二極管只在單個的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的,需要具體看數(shù)據(jù)手冊。
了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn),使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復(fù)雜,一般情況下意義不大,所以很少采用。
下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷原理,請看下圖:
NMOS管的主回路電流方向為D→S,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,一般為5~10V(G電位比S電位高);而PMOS管的主回路電流方向為S→D,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,一般為-5~-10V(S電位比G電位高),下面以導(dǎo)通壓差6V為例。
NMOS管
使用NMOS當(dāng)下管,S極直接接地(為固定值),只需將G極電壓固定值6V即可導(dǎo)通;若使用NMOS當(dāng)上管,D極接正電源,而S極的電壓不固定,無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓,因為S極對地的電壓有兩種狀態(tài),MOS管截止時為低電平,導(dǎo)通時接近高電平VCC。當(dāng)然NMOS也是可以當(dāng)上管的,只是控制電路復(fù)雜,這種情況必須使用隔離電源控制,使用一個PMOS管就能解決的事情一般不會這么干,明顯增加電路難度。
PMOS管
使用PMOS當(dāng)上管,S極直接接電源VCC,S極電壓固定,只需G極電壓比S極低6V即可導(dǎo)通,使用方便;同理若使用PMOS當(dāng)下管,D極接地,S極的電壓不固定(0V或VCC),無法確定控制極G極的電壓,使用較麻煩,需采用隔離電壓設(shè)計。
經(jīng)由小編的介紹,不知道你對MOS管是否充滿了興趣?如果你想對它有更多的了解,不妨嘗試在我們的網(wǎng)站里進行搜索哦。